【技术实现步骤摘要】
功率馈入机构、旋转基座装置及半导体加工设备
本技术涉及半导体制造
,具体地,涉及一种功率馈入机构、旋转基座装置及半导体加工设备。
技术介绍
在PVD(PhysicalVaporDeposition,物理气相沉积)工艺中,溅射电源通过电极引入工艺腔室后耦合到工艺气体中,以激发工艺气体形成等离子体,在等离子体中电子和离子作用下,完成薄膜沉积。在薄膜沉积过程中,对沉积薄膜的均匀性有较高的要求,而靶材、线圈以及基座等部件对均匀性均有不同程度的影响。采用普通的PVD工艺沉积的薄膜会有较大的残余应力存在,造成薄膜质量降低。为此,就需要提高等离子体中带电离子的能量,以能够增强具有一定动能的离子(例如Ar+)的轰击作用,从而可以有效降低薄膜的内应力。提高等离子体中带电离子的能量通常采用向基座馈入射频的方式来实现。因此,获得适当的基座偏压对获得良好的工艺结果具有重要意义。随着晶片(wafer)尺寸的增加,为了提高产品良率,PVD工艺对薄膜沉积均匀性的要求也越来越高。通过基座旋转的方式可以显著提高沉积薄膜的均匀性,现已被广泛采用。但是,在基座旋转的过程中,如何保持良好稳定的射频 ...
【技术保护点】
1.一种功率馈入机构,用于将功率源的输出功率馈入可旋转部件,其特征在于,包括:导电固定件,其与所述功率源电连接;导电旋转件,其与所述可旋转部件电连接,且随所述可旋转部件同步旋转;导电连接结构,分别与所述导电固定件和所述导电旋转件电接触,且不影响所述导电旋转件的旋转运动。
【技术特征摘要】
1.一种功率馈入机构,用于将功率源的输出功率馈入可旋转部件,其特征在于,包括:导电固定件,其与所述功率源电连接;导电旋转件,其与所述可旋转部件电连接,且随所述可旋转部件同步旋转;导电连接结构,分别与所述导电固定件和所述导电旋转件电接触,且不影响所述导电旋转件的旋转运动。2.根据权利要求1所述的功率馈入机构,其特征在于,所述导电旋转件与所述导电固定件相对,且间隔设置;所述导电连接结构设置在所述导电旋转件与所述导电固定件的间隔中。3.根据权利要求2所述的功率馈入机构,其特征在于,所述导电旋转件与所述导电固定件的垂直间距大于或等于1mm。4.根据权利要求2所述的功率馈入机构,其特征在于,所述导电旋转件与所述导电固定件的相对面相互平行或者相互嵌套。5.根据权利要求2所述的功率馈入机构,其特征在于,所述导电连接结构包括第一弹性导电部件。6.根据权利要求5所述的功率馈入机构,其特征在于,所述第一弹性导电部件为环体、平面螺旋体或者柱状螺旋体。7.根据权利要求5所述的功率馈入机构,其特征在于,所述第一弹性导电部件包括软质合金。8.根据权利要求5所述的功率馈入机构,其特征在于,在所述导电旋转件与所述导电固定件的相对面中的至少一面上设置有安装槽,所述第一弹性导电部件的一部分设置在所述安装槽中。9.根据权利要求1所述的功率馈入机构,其特征在于,所述导电连接结构包括:柱状螺旋弹簧,所述柱状螺旋弹簧的第一端与所述导电固定件连接;第二弹性导电部件,其与所述柱状螺旋弹簧的第二端连接;第三弹性导电部件,其设置在所述第二弹性导电部件上,且在所述柱状螺旋弹簧的弹力作用下,与所述导电旋转件电接触;所述第二弹性导电部件的硬度低于第三弹性导电部件的硬度。10.根据权利要求9所述的功率馈入机构,其特征在于,在所述导电旋转件上设置有凹部,所述第二弹性导电部件的至少一部分位于所述凹部中。11.根据权利要求9所述的功率馈入机构,其特征在于,所述第二弹性导电部件通过固定座与所述柱状螺旋弹簧的第二端连接;在所述固定座上设置有安装槽,所述第二弹性导电部件可拆卸的固定在所述安装槽中。12.根据权利要求1所述的功率馈入机...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘建生,李良,姜鑫先,陈鹏,文莉辉,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:新型
国别省市:北京,11
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