基底表面颗粒检测装置及加工机台制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基底表面颗粒检测装置及加工机台，所述基底表面颗粒检测装置包括承片台、激光发射器和光探测器；本实用新型专利技术相当于在原有的加工机台中增加一用于检测基底背面和/或正面上的颗粒污染情况的基底表面颗粒检测装置，能够对承片台所夹持的基底的背面和/或正面上所携带的颗粒进行检测，即能够在基底加工的相应工序中及时发现颗粒污染，以防止颗粒污染加工机台以及避免颗粒引起加工缺陷。

【技术实现步骤摘要】
基底表面颗粒检测装置及加工机台
本技术涉及半导体集成电路制造
，尤其涉及一种基底表面颗粒检测装置及加工机台。
技术介绍
半导体晶圆(Wafer)是生产集成电路所用的载体。在半导体集成电路生产制造的工艺流程中，半导体晶圆会经过光刻、刻蚀、沉积和抛光等工序处理，每一道工序对半导体晶圆的正面、背面或者正面和背面来说，都可以产生颗粒(particle)污染，这些颗粒污染，一旦超标，可能会导致缺陷(defocus)的产生和元器件的失效。例如目前的半导体晶圆的光刻工序，首先需要通过12寸半导体涂胶显影机台(track机台)中对半导体晶圆进行光刻胶旋涂(spincoating)、烘烤(bake)、传送(transform)等过程，由于半导体晶圆的背部在这些过程中会不断的与半导体涂胶显影机台中的中间载体(chuck)和对接柱(pin)等一些器件接触、摩擦，由此会产生颗粒粘附在半导体晶圆的背面，不仅会造成所述半导体涂胶显影机台的污染，而且当所述半导体晶圆被传送进扫描曝光机(scanner)进行曝光时,这些颗粒会造成半导体晶圆背部的不平整，导致半导体晶圆正面上的曝光缺陷(defocus)，最终导致制得的元器件的缺陷，甚至失效。因此，需要一种基底表面颗粒检测装置和加工机台，能够对晶圆表面上所携带的颗粒进行检测，以防止颗粒污染机台并避免颗粒引起的加工缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基底表面颗粒检测装置和加工机台，能够对晶圆或显示屏基板等基底的表面上所携带的颗粒进行检测，以防止颗粒污染机台并避免颗粒引起的加工缺陷。为解决上述问题，本技术提出一种基底表面颗粒检测装置，包括用于夹持基底的承片台、用于向所述基底的背面和/或正面发射激光的激光发射器、用于收集所述激光发射器发射的激光在所述基底上散射后的光信号的探测器以及用于驱动所述承片台和/或所述激光发射器运动的驱动装置。可选的，所述承片台包括环状结构以及与所述环状结构的外边缘连接的竖直侧壁，所述环状结构能够暴露所夹持的基底的背面的部分区域。可选的，所述环状结构上设有多个用于承接所述基底并将所述基底放置在所述环状结构上的支撑柱，所述支撑柱与所述竖直侧壁平行且在所述环状结构上对称分布，所述支撑柱能相对所述圆环状结构进行上下竖直移动。可选的，所述驱动装置带动所述承片台和/或所述激光发射器沿方波路线运动。可选的，所述基底表面颗粒检测装置还包括与所述光探测器电连接的报警器。可选的，所述基底为晶圆或者用于制作显示屏的基板。本专利技术还提供一种加工机台，包括上述的基底表面颗粒检测装置。可选的，所述加工机台为涂胶显影机台，所述加工机台还包括与所述基底表面颗粒检测装置组装在一起的涂胶装置、显影装置、边缘曝光装置、晶片盒站和机械传送手臂，所述基底表面颗粒检测装置组装在所述边缘曝光装置的一侧。可选的，所述加工机台还包括设置在所述基底表面颗粒检测装置远离所述边缘曝光装置一侧的扫描曝光装置。可选的，所述加工机台为图形曝光机台，所述加工机台还包括与所述基底表面颗粒检测装置组装在一起的扫描曝光装置和机械传送手臂。可选的，所述加工机台为化学机械抛光机台，所述加工机台还包括与所述基底表面颗粒检测装置组装在一起的抛光装置和机械传送手臂。可选的，所述加工机台为刻蚀机台，所述加工机台还包括与所述基底表面颗粒检测装置组装在一起的刻蚀装置和机械传送手臂。可选的，所述加工机台为沉积机台，所述加工机台还包括与所述基底表面颗粒检测装置组装在一起的沉积装置和机械传送手臂。与现有技术相比，本技术的技术方案具有以下有益效果：1、本技术的基底表面颗粒检测装置包括承片台、激光发射器和光探测器，能够对承片台所夹持的基底的背面和/或正面上所携带的颗粒进行检测，从而能够在基底加工的相应工序中及时发现颗粒污染，以防止颗粒污染加工机台以及避免颗粒引起加工缺陷。2、本技术的加工机台，相当于在原有的加工机台中增加一用于检测基底背面和/或正面上的颗粒污染情况的基底表面颗粒检测装置，从而能够在对基底进行加工的相应工序中及时发现颗粒污染，以防止颗粒污染加工机台以及避免颗粒引起加工缺，例如，在涂胶显影机台中添加用于检测晶圆背面上的颗粒污染情况的基底表面颗粒检测装置，能够在晶圆光刻加工的涂胶烘干工序后及时发现晶圆背面的颗粒污染，防止颗粒污染曝光机台以及避免颗粒引起曝光缺陷。附图说明图1是本技术一实施例的基底表面颗粒检测装置的结构示意图；图2是图1所示的基底表面颗粒检测装置的承片台的俯视结构示意图；图3A和图3B是图1所示的基底表面颗粒检测装置的激光探测原理图；图4是图1所示的基底表面颗粒检测装置的探测路线图；图5是本技术另一实施例的基底表面颗粒检测装置的结构示意图；图6是本技术又一实施例的基底表面颗粒检测装置的结构示意图；图7A至7F是本技术具体实施例的加工机台的系统结构图。具体实施方式为使本技术的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步的说明，然而，本技术可以用不同的形式实现，不应只是局限在所述的实施例。其中的“和/或”的含义是二选一或者两者兼具。请参考图1，本技术一实施例提供一种基底表面颗粒检测装置，能够用于检测晶圆背面上的颗粒污染情况，所述基底表面颗粒检测装置包括承片台(stage)11、支撑柱(pin)12、激光发射器13、光探测器14以及驱动承片台11运动的驱动装置(未图示)，其中，承片台11的正面用于夹持晶圆10；支撑柱12设置在所述承片台11的正面上，用于承接所述晶圆10并将所述晶圆10放置在所述承片台11的正面上；激光发射器13和光探测器14设置在所述承片台11的背面下方，激光发射器13用于向所述晶圆10的背面上发射激光(即产生入射到晶圆10背面上的入射光)，光探测器14用于收集激光发射器13发射的激光在所述晶圆10背面上散射后的光信号(即收集晶圆10背面上的散射光)。请结合图1和图2，本实施例中，所述承片台11包括圆环状结构112，所述圆环状结构112的外圆1121的半径R可以是150.1mm，内圆122的半径r可以是148mm，所述外圆1121的边缘上接有竖直侧壁111，所述竖直侧壁111与所述圆环状结构112组成凹槽状圆环结构，所述内圆1121能够暴露出所夹持的晶圆10的背面的部分区域。所述支撑柱(pin)12为多个(例如为4个)，所有支撑柱12与所述竖直侧壁111平行且在所述圆环状结构112上对称分布，所有支撑柱12能够相对所述圆环状结构112(即所述承片台11的底面)进行上下竖直移动，从而能够在向上移动后将一机械传送手臂传来的晶圆10顶接住，并在向下移动后将晶圆10向下放置到圆环状结构112上(如图1中的虚线所示)。所有支撑柱12承接住晶圆10时，能够共同作用使晶圆10保持平衡。例如使晶圆10的背面水平放置。本实施例中的激光发射器13可以采用488nm镭射激光，请参考图1、图3A和图3B，当激光发射器13向晶圆10的背面发射激光光束(即入射光)200后，晶圆10的背面上的颗粒经所述激光光束200照射后时，每个颗粒表面会衍射光，进而导致晶圆10的背面上产生大量的散射光，而每个颗粒表面产生的衍射光的角度与颗粒的粒径成反向的变化关系，如图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基底表面颗粒检测装置，其特征在于，包括用于夹持基底的承片台、用于向所述基底的背面和/或正面发射激光的激光发射器、用于收集所述激光发射器发射的激光在所述基底上散射后的光信号的光探测器以及用于驱动所述承片台和/或所述激光发射器运动的驱动装置。

【技术特征摘要】
1.一种基底表面颗粒检测装置，其特征在于，包括用于夹持基底的承片台、用于向所述基底的背面和/或正面发射激光的激光发射器、用于收集所述激光发射器发射的激光在所述基底上散射后的光信号的光探测器以及用于驱动所述承片台和/或所述激光发射器运动的驱动装置。2.如权利要求1所述的基底表面颗粒检测装置，其特征在于，所述承片台包括环状结构以及与所述环状结构的外边缘连接的竖直侧壁，所述环状结构能够暴露所夹持的基底的背面的部分区域。3.如权利要求2所述的基底表面颗粒检测装置，其特征在于，所述环状结构上设有多个用于承接所述基底并将所述基底放置在所述环状结构上的支撑柱，所述支撑柱与所述竖直侧壁平行且在所述环状结构上对称分布，所述支撑柱能相对所述环状结构进行上下竖直移动。4.如权利要求1所述的基底表面颗粒检测装置，其特征在于，所述驱动装置带动所述承片台和/或所述激光发射器沿方波路线运动。5.如权利要求1所述的基底表面颗粒检测装置，其特征在于，所述基底表面颗粒检测装置还包括与所述光探测器电连接的报警器。6.如权利要求1至5中任一项所述的基底表面颗粒检测装置，其特征在于，所述基底为晶圆或者用于制作显示屏的基板。7.一种加工机台，其特征在于，包括权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐磊，黄志凯，颜廷彪，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32