基底表面颗粒检测装置及加工机台制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基底表面颗粒检测装置及加工机台，所述基底表面颗粒检测装置包括承片台、激光发射器和光探测器；本实用新型专利技术相当于在原有的加工机台中增加一用于检测基底背面和/或正面上的颗粒污染情况的基底表面颗粒检测装置，能够对承片台所夹持的基底的背面和/或正面上所携带的颗粒进行检测，即能够在基底加工的相应工序中及时发现颗粒污染，以防止颗粒污染加工机台以及避免颗粒引起加工缺陷。

【技术实现步骤摘要】
基底表面颗粒检测装置及加工机台
本技术涉及半导体集成电路制造
，尤其涉及一种基底表面颗粒检测装置及加工机台。
技术介绍
半导体晶圆(Wafer)是生产集成电路所用的载体。在半导体集成电路生产制造的工艺流程中，半导体晶圆会经过光刻、刻蚀、沉积和抛光等工序处理，每一道工序对半导体晶圆的正面、背面或者正面和背面来说，都可以产生颗粒(particle)污染，这些颗粒污染，一旦超标，可能会导致缺陷(defocus)的产生和元器件的失效。例如目前的半导体晶圆的光刻工序，首先需要通过12寸半导体涂胶显影机台(track机台)中对半导体晶圆进行光刻胶旋涂(spincoating)、烘烤(bake)、传送(transform)等过程，由于半导体晶圆的背部在这些过程中会不断的与半导体涂胶显影机台中的中间载体(chuck)和对接柱(pin)等一些器件接触、摩擦，由此会产生颗粒粘附在半导体晶圆的背面，不仅会造成所述半导体涂胶显影机台的污染，而且当所述半导体晶圆被传送进扫描曝光机(scanner)进行曝光时,这些颗粒会造成半导体晶圆背部的不平整，导致半导体晶圆正面上的曝光缺陷(defocus)，最终导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基底表面颗粒检测装置，其特征在于，包括用于夹持基底的承片台、用于向所述基底的背面和/或正面发射激光的激光发射器、用于收集所述激光发射器发射的激光在所述基底上散射后的光信号的光探测器以及用于驱动所述承片台和/或所述激光发射器运动的驱动装置。

【技术特征摘要】
1.一种基底表面颗粒检测装置，其特征在于，包括用于夹持基底的承片台、用于向所述基底的背面和/或正面发射激光的激光发射器、用于收集所述激光发射器发射的激光在所述基底上散射后的光信号的光探测器以及用于驱动所述承片台和/或所述激光发射器运动的驱动装置。2.如权利要求1所述的基底表面颗粒检测装置，其特征在于，所述承片台包括环状结构以及与所述环状结构的外边缘连接的竖直侧壁，所述环状结构能够暴露所夹持的基底的背面的部分区域。3.如权利要求2所述的基底表面颗粒检测装置，其特征在于，所述环状结构上设有多个用于承接所述基底并将所述基底放置在所述环状结构上的支撑柱，所述支撑柱与所述竖直侧壁平行且在所述环状结构上对称分布，所述支撑柱能相对所述环状结构进行上下竖直移动。4.如权利要求1所述的基底表面颗粒检测装置，其特征在于，所述驱动装置带动所述承片台和/或所述激光发射器沿方波路线运动。5.如权利要求1所述的基底表面颗粒检测装置，其特征在于，所述基底表面颗粒检测装置还包括与所述光探测器电连接的报警器。6.如权利要求1至5中任一项所述的基底表面颗粒检测装置，其特征在于，所述基底为晶圆或者用于制作显示屏的基板。7.一种加工机台，其特征在于，包括权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐磊，黄志凯，颜廷彪，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32