缺陷检测机台检测精度的校验方法及产品晶圆技术

本发明专利技术提供了一种缺陷检测机台检测精度的校验方法及产品晶圆，通过获取产品晶圆中的虚拟结构，根据获取的虚拟结构的数据得出缺陷检测机台的检测精度，即无需使用标准片，由此能够降低对缺陷检测机台检测精度进行校验的校验成本。进一步的，由于采用的是制造过程中的产品晶圆，其本身具有很高的清洁度等方面的质量要求，因此也基本不存在污损等问题，从而也能够提高校验结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】
缺陷检测机台检测精度的校验方法及产品晶圆
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种缺陷检测机台检测精度的校验方法及产品晶圆。
技术介绍
集成电路制造过程中，随着时间的推移，设备机台会出现不同的状况，例如性能不稳、出现故障等。为了能够及时监测设备机台，了解其性能是否发生偏差，就需要使用缺陷检测机台(Defectinspectiontool)对设备机台制造的产品晶圆进行缺陷检测，以此对设备机台的性能进行判断。随着集成电路制造工艺的不断提升，产能需求的不断增大，缺陷检测机台对于设备机台性能和产品晶圆缺陷的监测，更是有着极其重要的作用。由此，缺陷检测机台自身的检测精度，即能否正常的捕捉到缺陷成了一个至关重要的参数。所以，对缺陷检测机台检测精度的校验变得非常重要。现今，业内普遍采用日常监控(dailymonitor)的方式对对缺陷检测机台进行检测精度的校验。具体操作方式是：缺陷检测机台每24小时对厂商提供的标准片(Standardwafer)进行一次扫描，通过对标准片上的预设缺陷的抓取能力来判断缺陷检测机台的精度情况。但是，由于标准片需要向厂商购买并且在其备用放置过程中也可能发生污损等情况，从而将导致对缺陷检测机台检测精度进行校验的校验成本非常高或者容易发生校验结果不准确等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种缺陷检测机台检测精度的校验方法及产品晶圆，以解决现有技术中，对缺陷检测机台检测精度进行校验的校验成本非常高等问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种缺陷检测机台检测精度的校验方法，所述缺陷检测机台检测精度的校验方法包括：将产品晶圆放入所述缺陷检测机台，所述产品晶圆包括虚拟结构，所述虚拟结构为所述产品晶圆中的辅助性结构；对所述产品晶圆进行缺陷检测的同时，获取所述产品晶圆中的虚拟结构的数据；根据获取的所述虚拟结构的数据得出所述缺陷检测机台的检测精度。可选的，在所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法中，所述虚拟结构的数据包括所述虚拟结构的数量。可选的，在所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法中，所述虚拟结构的数据还包括所述虚拟结构在所述产品晶圆中的位置以及所述虚拟结构的形状和尺寸。可选的，在所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法中，所述产品晶圆还包括器件结构，所述器件结构为所述产品晶圆中的功能性结构；所述器件结构位于所述产品晶圆中的衬底中或者有源层中，所述虚拟结构位于所述产品晶圆的有源层中，以支撑制作浅沟槽隔离结构的氧化层；其中，所述有源层位于所述衬底上。可选的，在所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法中，根据获取的虚拟结构的数据得出缺陷检测机台的检测精度包括：将获取的虚拟结构的数据与一标准的虚拟结构的数据进行比较，根据比较结果得出所述缺陷检测机台的检测精度。可选的，在所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法中，根据获取的虚拟结构的数据得出缺陷检测机台的检测精度包括：将从多片产品晶圆上获取的虚拟结构的数据相互之间进行比较，根据比较结果得出所述缺陷检测机台的检测精度。可选的，在所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法中，所述虚拟结构包括多类虚拟结构，所述多类虚拟结构的形状不同和/或尺寸不同。可选的，在所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法中，所述虚拟结构包括第一类虚拟结构和第二类虚拟结构，所述第一类虚拟结构和所述第二类虚拟结构形状不同和/或尺寸不同，其中，所述产品晶圆的每个芯片单元具有相同的虚拟结构位置排布，每个虚拟结构位置上均设置有第一类虚拟结构或者第二类虚拟结构，相邻的两个芯片单元的相同虚拟结构位置至多有一个虚拟位置结构上设置的是第二类虚拟结构。可选的，在所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法中，对产品晶圆进行缺陷检测的同时，获取产品晶圆中的虚拟结构的数据包括：采用相邻芯片单元比对方式对产品晶圆进行缺陷检测的同时，对相邻芯片单元的相同虚拟结构位置上的虚拟结构作差异比较，得到差异数据；根据获取的虚拟结构的数据得出缺陷检测机台的检测精度包括：根据所述差异数据得出所述缺陷检测机台的检测精度。相应的，本专利技术还提供一种产品晶圆，所述产品晶圆包括器件结构和虚拟结构；其中，所述器件结构为所述产品晶圆中的功能性结构，所述虚拟结构为所述产品晶圆中的辅助性结构；所述虚拟结构包括多类虚拟结构，多类虚拟结构的形状不同和/或尺寸不同。可选的，在所述的产品晶圆中，所述产品晶圆包括多个芯片单元，每个所述芯片单元均具有器件结构，部分或者全部所述芯片单元具有所述虚拟结构。可选的，在所述的产品晶圆中，所述虚拟结构包括第一类虚拟结构和第二类虚拟结构，每个所述芯片单元具有相同的虚拟结构位置排布，每个所述虚拟结构位置上均设置有第一类虚拟结构或者第二类虚拟结构，相邻的两个芯片单元的相同虚拟结构位置至多有一个虚拟位置结构上设置的是第二类虚拟结构。可选的，在所述的产品晶圆中，所述器件结构位于所述产品晶圆中的衬底中或者有源层中，所述虚拟结构位于所述产品晶圆的有源层中，以支撑制作浅沟槽隔离结构的氧化层；其中，所述有源层位于所述衬底上。可选的，在所述的产品晶圆中，所述虚拟结构的横截面形状为方形。在本专利技术提供的缺陷检测机台检测精度的校验方法及产品晶圆中，通过获取产品晶圆中的虚拟结构，根据获取的虚拟结构的数据得出缺陷检测机台的检测精度，即无需使用标准片，由此能够降低对缺陷检测机台检测精度进行校验的校验成本。进一步的，由于采用的是制造过程中的产品晶圆，其本身具有很高的清洁度等方面的质量要求，因此也基本不存在污损等问题，从而也能够提高校验结果的准确性。更进一步的，由于是对产品晶圆进行缺陷检测的同时，获取产品晶圆中的虚拟结构，并依据获取的虚拟结构的数据得出缺陷检测机台的检测精度，也就是说对于缺陷检测机台检测精度的校验与使用缺陷检测机台进行产品晶圆的在线监测是同时进行的，即无需暂停使用缺陷检测机台进行产品晶圆的在线监测而特别进行缺陷检测机台检测精度的校验，由此既能够提高缺陷检测机台的使用效率，又能够实时进行缺陷检测机台检测精度的校验，提高校验频率，从而在缺陷检测机台的精度存在偏差时，能够非常及时的发现，也能够进一步保证校验结果的准确性。附图说明图1是本专利技术实施例的一产品晶圆的部分结构示意图；图2是本专利技术实施例的另一产品晶圆的部分结构示意图；图3是本专利技术实施例的另一产品晶圆的部分结构示意图；图4是本专利技术实施例的缺陷检测机台检测精度的校验方法的流程示意图；图5是图2所示的产品晶圆上得到差异数据的放大示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的缺陷检测机台检测精度的校验方法及产品晶圆作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。本申请实施例提供的缺陷检测机台检测精度的校验方法主要基于产品晶圆实现，因此，在本申请实施例中，首先对于产品晶圆作详细描述。请参考图1，其为本专利技术实施例的一产品晶圆的部分结构示意图。如图1所示，所述产品晶圆1-1包括器件结构10和虚拟结构11；其中，所述器件结构10为所述产品晶圆1-1中的功能性结构(即对于实现芯片生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种缺陷检测机台检测精度的校验方法，其特征在于，所述缺陷检测机台检测精度的校验方法包括：将产品晶圆放入所述缺陷检测机台，所述产品晶圆包括虚拟结构，所述虚拟结构为所述产品晶圆中的辅助性结构；对所述产品晶圆进行缺陷检测的同时，获取所述产品晶圆中的虚拟结构的数据；根据获取的所述虚拟结构的数据得出所述缺陷检测机台的检测精度。

【技术特征摘要】
1.一种缺陷检测机台检测精度的校验方法，其特征在于，所述缺陷检测机台检测精度的校验方法包括：将产品晶圆放入所述缺陷检测机台，所述产品晶圆包括虚拟结构，所述虚拟结构为所述产品晶圆中的辅助性结构；对所述产品晶圆进行缺陷检测的同时，获取所述产品晶圆中的虚拟结构的数据；根据获取的所述虚拟结构的数据得出所述缺陷检测机台的检测精度。2.如权利要求1所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法，其特征在于，所述虚拟结构的数据包括所述虚拟结构的数量。3.如权利要求2所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法，其特征在于，所述虚拟结构的数据还包括所述虚拟结构在所述产品晶圆中的位置以及所述虚拟结构的形状和尺寸。4.如权利要求1～3中任一项所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法，其特征在于，所述产品晶圆还包括器件结构，所述器件结构为所述产品晶圆中的功能性结构；所述器件结构位于所述产品晶圆中的衬底中或者有源层中，所述虚拟结构位于所述产品晶圆的有源层中，以支撑制作浅沟槽隔离结构的氧化层；其中，所述有源层位于所述衬底上。5.如权利要求1～3中任一项所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法，其特征在于，根据获取的虚拟结构的数据得出缺陷检测机台的检测精度包括：将获取的虚拟结构的数据与一标准的虚拟结构的数据进行比较，根据比较结果得出所述缺陷检测机台的检测精度。6.如权利要求1～3中任一项所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法，其特征在于，根据获取的虚拟结构的数据得出缺陷检测机台的检测精度包括：将从多片产品晶圆上获取的虚拟结构的数据相互之间进行比较，根据比较结果得出所述缺陷检测机台的检测精度。7.如权利要求1～3中任一项所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法，其特征在于，所述虚拟结构包括多类虚拟结构，所述多类虚拟结构的形状不同和/或尺寸不同。8.如权利要求7所述的缺陷检测机台检测精度的校验方法，其特征在于，所述虚拟结构包括第一类虚拟结构和第二类虚拟...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚笛，方鑫，陈思安，张珏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31