检测对准偏移的方法技术

本发明专利技术提供了一种检测对准偏移的方法，通过比较相邻两列接触孔的总电阻，判断出所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求。由于接触孔位于控制栅的两端，当所述接触孔与控制栅发生了移位时，势必会造成接触孔与控制栅之间接触的面积发生改变，进而改变接触孔的电阻，所以通过比较所述相邻两列接触孔的总电阻是否相同，可以简单有效的判断所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求，若产生移位，可以对机台进行调整，避免批量不良品的产生。

【技术实现步骤摘要】
检测对准偏移的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测对准偏移的方法。
技术介绍
闪存(FlashMemory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小，闪存的存储单元的尺寸也进一步缩小，当闪存单元的接触孔和多晶硅栅极的对准度有稍微的偏差就会造成器件整体性能的失效，或者编程失败。随着控制栅和连线的距离越来越近，常规的光阻定义接触孔的方法已经走不通，进而转向自对准接触孔(Self-Aligned-Contact，SAC)工艺，但现今没有一种有效的检测接触孔和控制栅是否对准的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种检测对准偏移的方法，以解决现有技术无法有效的检测接触孔和控制栅是否对准等问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种检测对准偏移的方法，包括：提供衬底，所述衬底中形成有浅槽隔离结构；在所述浅槽隔离结构上形成多列控制栅层，相邻两列所述控制栅层交错排布，每列所述控制栅层包括多个控制栅，在所述控制栅层形成沿着行方向交替排布的第一隔离结构和第二隔离结构，在列方向上，所述第一隔离结构较所述第二隔离结构窄，每个所述控制栅横跨所述第一隔离结构，同一列的相邻的两个控制栅被所述第二隔离结构分隔；在每个所述控制栅的两端均形成接触孔，其中，一接触孔靠近所述第一隔离结构，另一接触孔靠近所述第二隔离结构；将每列控制栅层的所有接触孔串联，检测每列接触孔的总电阻，通过比较相邻两列接触孔的总电阻，判断出所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求。可选的，每个所述接触孔在衬底上的投影面积较每个所述控制栅在所述衬底上的投影面积小。可选的，当相邻两列接触孔的总电阻相等时，所述接触孔与所述控制栅之间对准；当相邻两列接触孔的总电阻不相等时，所述接触孔与所述控制栅之间有移位。可选的，通过比较相邻两列接触孔的总电阻的大小，得到每个所述接触孔与每个所述控制栅之间移位的方向。可选的，形成所述第一隔离结构、第二隔离结构及控制栅层的方法包括：在所述浅槽隔离结构上形成控制栅多晶硅层；刻蚀所述控制栅多晶硅层直至暴露出所述浅槽隔离结构，形成多列呈反“Z”型的第一开口；形成介质层，所述介质层覆盖所述控制栅多晶硅层，在所述介质层中形成沿着所述行方向交替排布的第二开口和第三开口，所述第二开口的截面宽度较所述第三开口的截面宽度大；在所述第二开口和所述第三开口的侧壁均形成侧墙，所述第三开口的底壁全部被所述侧墙覆盖，所述第二开口的底壁部分被所述侧墙覆盖；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第二开口底壁下方的控制栅多晶硅层，并填充所述第二开口；去除所述介质层，保护所述第一开口中的一列控制栅多晶硅层，去除剩余的所述控制栅多晶层，形成所述第一隔离结构、第二隔离结构和多列控制栅层。可选的，每列所述第一开口的数量为多个，多个所述第一开口呈阵列排布。可选的，填充所述第二开口的材料与所述侧墙的材料相同。可选的，所述填充所述第二开口的材料与所述侧墙的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或多种。可选的，所述第一隔离结构的宽度与所述第三开口的宽度相等，所述第二隔离结构的宽度与所述第二开口的宽度相等。可选的，在每个所述控制栅的两端形成接触孔的方法包括：形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述衬底及所述多列控制栅层；刻蚀所述氧化硅层直至暴露出每个所述控制栅的两端，形成通孔；在所述通孔中填充导电材料。在本专利技术提供的检测对准偏移的方法中，在所述衬底的隔离结构上形成交替排布的控制栅层，每列所述控制栅层包括多个控制栅，再在所述控制栅层上形成宽窄不一的第一隔离结构和第二隔离结构，每个所述控制栅横跨所述第一隔离结构，同一列的相邻的两个控制栅被所述第二隔离结构分隔；在每个所述控制栅的两端均形成接触孔，将每列控制栅层的所有接触孔串联，检测每列接触孔的总电阻，通过比较相邻两列接触孔的总电阻，判断出所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求。由于接触孔位于控制栅的两端，当所述接触孔与控制栅发生了移位时，势必会造成接触孔与控制栅之间接触的面积发生改变，进而改变接触孔的电阻，所以通过比较所述相邻两列接触孔的总电阻是否相同，可以简单有效的判断所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求，若产生移位，可以对机台进行调整，避免批量不良品的产生。附图说明图1为实施例提供的检测对准偏移的方法的示意图；图2为实施例提供的形成第一开口的示意图；图3为实施例提供的形成第一开口的又一示意图；图4为实施例提供的形成介质层的示意图；图5为实施例提供的形成第二开口及第三开口的示意图；图6为实施例提供的形成侧墙的示意图；图7为实施例提供的去除介质层后的示意图；图8为实施例提供的形成接触孔的示意图；图9为实施例提供的接触孔相对于控制栅上移的示意图；图10为实施例提供的接触孔相对于控制栅下移的示意图；图11为实施例提供的将每列接触孔串联的示意图；图12为实施例提供的将每列接触孔串联的又一示意图；其中，1-衬底，2-浅槽隔离结构，3-控制栅多晶硅层，31-控制栅，32-接触孔，4-第一开口，5-介质层，61-第二开口，62-第三开口，7-侧墙，M-金属层，a-行方向，b-列方向，81-第一隔离结构，82-第二隔离结构，9-氧化硅层。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。参阅图1，其为本实施例提供的检测对准偏移的方法的示意图，如图1所示，所述检测对准偏移的方法包括：S1：提供衬底；S2：在所述浅槽隔离结构上形成多列控制栅层，相邻两列所述控制栅层交错排布，每列所述控制栅层包括多个控制栅，在所述控制栅层形成沿着行方向交替排布的第一隔离结构和第二隔离结构，在列方向上，所述第一隔离结构较所述第二隔离结构窄，每个所述控制栅横跨所述第一隔离结构，同一列的相邻的两个控制栅被所述第二隔离结构分隔；S3：在每个所述控制栅的两端均形成接触孔，其中，一接触孔靠近所述第一隔离结构，另一接触孔靠近所述第二隔离结构；S4：将每列控制栅层的所有接触孔串联，检测每列接触孔的总电阻，通过比较相邻两列接触孔的总电阻，判断出所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求。其中，由于所述接触孔位于每个所述控制栅的两端，当所述接触孔与控制栅发生了移位时，势必会造成接触孔与控制栅之间接触的面积发生改变，进而改变接触孔的电阻，所以通过比较相邻两列所述接触孔的总电阻是否相同，可以简单有效的判断所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求，若产生移位，可以对机台进行调整，避免批量不良品的产生。当然，所述控制要求并非唯一，可以根据实际形成的器件进行调整，本专利技术不作限制。所述晶圆分为测试区和非测试区，所述非测试区形成正常的闪存单元，所述测试区采用同样的工艺形成测试结构进行测试，通过对测试区进行测试，可以反应出晶圆非测试区的正常闪存单元中接触孔与控制栅移位的情况，若所述测试结构的接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测对准偏移的方法，其特征在于，所述检测对准偏移的方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有浅槽隔离结构；在所述浅槽隔离结构上形成多列控制栅层，相邻两列所述控制栅层交错排布，每列所述控制栅层包括多个控制栅，在所述控制栅层形成沿着行方向交替排布的第一隔离结构和第二隔离结构，在列方向上，所述第一隔离结构较所述第二隔离结构窄，每个所述控制栅横跨所述第一隔离结构，同一列的相邻的两个控制栅被所述第二隔离结构分隔；在每个所述控制栅的两端均形成接触孔，其中，一接触孔靠近所述第一隔离结构，另一接触孔靠近所述第二隔离结构；将每列控制栅层的所有接触孔串联，检测每列接触孔的总电阻，通过比较相邻两列接触孔的总电阻，判断出所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求。

【技术特征摘要】
1.一种检测对准偏移的方法，其特征在于，所述检测对准偏移的方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有浅槽隔离结构；在所述浅槽隔离结构上形成多列控制栅层，相邻两列所述控制栅层交错排布，每列所述控制栅层包括多个控制栅，在所述控制栅层形成沿着行方向交替排布的第一隔离结构和第二隔离结构，在列方向上，所述第一隔离结构较所述第二隔离结构窄，每个所述控制栅横跨所述第一隔离结构，同一列的相邻的两个控制栅被所述第二隔离结构分隔；在每个所述控制栅的两端均形成接触孔，其中，一接触孔靠近所述第一隔离结构，另一接触孔靠近所述第二隔离结构；将每列控制栅层的所有接触孔串联，检测每列接触孔的总电阻，通过比较相邻两列接触孔的总电阻，判断出所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求。2.如权利要求1所述的检测对准偏移的方法，其特征在于，每个所述接触孔在衬底上的投影面积较每个所述控制栅在所述衬底上的投影面积小。3.如权利要求2所述的检测对准偏移的方法，其特征在于，当相邻两列接触孔的总电阻相等时，所述接触孔与所述控制栅之间对准；当相邻两列接触孔的总电阻不相等时，所述接触孔与所述控制栅之间有移位。4.如权利要求3所述的检测对准偏移的方法，其特征在于，通过比较相邻两列接触孔的总电阻的大小，得到每个所述接触孔与每个所述控制栅之间移位的方向。5.如权利要求1所述的检测对准偏移的方法，其特征在于，形成所述第一隔离结构、第二隔离结构及控制栅层的方法包括：在所述浅槽隔离结构上形成控制栅多晶硅层；刻蚀所述控制栅多晶硅层直至暴...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹子贵，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31