本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及升降门装置和晶片传输系统。该升降门装置包括连接模块、定位模块、传动模块和动力模块：连接模块用于连接腔室门和腔室，并与定位模块可活动连接；定位模块设置于与腔室门所在平面垂直的腔室的外壁，用于调节腔室门...

本实用新型提供一种半导体设备，包括：PVD腔室、ALD腔室和传输平台；所述PVD腔室和所述ALD腔室均与所述传输平台相连通；所述PVD腔室用于在基片上沉积所述电容的上电极和下电极；所述ALD腔室用于在基片上沉积所述电容的电介质层；所述传...

本实用新型的实施例提供一种基座以及包括该基座的半导体处理设备。该基座用于承载被加工工件，包括依次层叠设置的加热器、隔离层和射频电极，所述隔离层为绝缘材料，以将所述加热器和所述射频电极二者电位隔离。本实用新型的实施例的基座中加热器与射频电...

一种反应腔室内衬和反应腔室，反应腔室内衬包括第一内衬体、第二内衬体和调节连接件，调节连接件用于沿第一内衬体和第二内衬体的高度方向连接第一内衬体和第二内衬体，并调节第一内衬体和所述第二内衬体之间的距离。该反应腔室内衬采用分体式结构，使得相...

本发明提供一种等离子体产生方法及装置和半导体处理设备。该等离子体产生方法包括：上射频源输出主脉冲信号，用于激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体，在主脉冲信号的关闭阶段，上射频源输出一个或多个辅助脉冲信号，辅助脉冲信号能维持反应腔室内的等...

本发明提供一种传片腔室及半导体加工设备，其包括腔体，在所述腔体内设置有沿竖直方向依次排列的多个子腔，且在每个子腔内沿竖直方向间隔设置有至少两个用于承载被加工工件的托架。本发明提供的传片腔室，其能够增加单次传输晶片的数量，从而提高腔室的传...

本发明提供了一种承载装置，用于承载且固定被加工工件，承载装置包括导电层、和叠置于导电层上的绝缘层，绝缘层包括中心体、环形边缘体和凹槽体；在中心体的上表面上设置有凹部，凹部用于放置凹槽体；凹槽体上设置有用于与气源相连的气体凹槽；环形边缘体...

本发明属于加工技术领域，具体涉及导向升降结构和腔室传片机构。该导向升降结构用于完成晶片在腔室内的升降动作，所述导向升降结构包括升降单元、密封单元、轴承单元和保持单元，其中，所述轴承单元包括上端轴承和下端轴承，所述上端轴承和所述下端轴承同...

本发明提供一种半导体设备，包括：PVD腔室、ALD腔室和传输平台；所述PVD腔室和所述ALD腔室均与所述传输平台相连通；所述PVD腔室用于在基片上沉积所述电容的上电极和下电极；所述ALD腔室用于在基片上沉积所述电容的电介质层；所述传输平...

本发明提供一种在线监测系统及半导体加工设备，其包括第一光路、第二光路、采样频率调节单元、光电转换单元和计算单元，第一光路用于传输入射光，并将入射光向晶片表面辐射；第二光路用于接收干涉光，并将其传输至光电转换单元；该第二光路包括第一支路和...

本发明提供了一种清洗工艺终点监测系统，用于监测腔室的清洗工艺终点，射频电源通过阻抗匹配器与腔室相连，用以将射频能量耦合至腔室内将腔室内的清洗气体激发形成等离子体，阻抗匹配器用于通过执行单元调节阻抗可调单元来实现射频电源的负载阻抗和特征阻...

本发明提供一种介质窗和等离子体处理装置，在介质窗本体的内侧壁上形成具有缝隙的第一导电层，使得第一导电层为非闭合结构，从而起到法拉第屏蔽装置的作用；第一导电层可以直接形成在介质窗本体的内壁上，无需额外再设置法拉第屏蔽结构，使用方便，简化等...

本发明提供一种下电极结构及工艺腔室，所述下电极结构包括基台和位于基台下方的红外加热装置，红外加热装置包括多个真空电极和和多个红外加热管，由真空电极为红外加热管供电，使红外加热管产生红外线，利用红外加热方式为待加工工件加热，用红外加热装置...

本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括：S1，预设沉积第一厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；S2，将所述基片水平旋转一定角度；S3，预设沉积第二厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；执行上述步骤S1～S3至少一次，直至沉积预...

本发明提供一种沉积腔室和膜层沉积装置。该沉积腔室包括腔体、环绕设置在腔体侧壁的内衬、靶材和基座；靶材设置于内衬顶部开口的上方，基座设置于内衬底部开口的下方；还包括遮挡件，遮挡件环绕固定设置于基座外围，且遮挡件在靶材上的正投影覆盖内衬底部...

本发明提供了一种磁控溅射腔室，包括基座；用于承载基片的所述基座的上表面倾斜设置，在承载基片时，用以使基片上沉积厚度较薄的基片区域相对沉积厚度较厚的基片区域距离靶材位的距离较近。本发明还提供一种包含该磁控溅射腔室的磁控溅射设备。该磁控溅射...

本发明提供一种腔室及外延生长设备，该腔室包括石英腔体、设置在该石英腔体内用于承载被加工工件的基座、以及热源，该热源设置在石英腔体的外部，用以透过石英腔体朝向基座辐射热量，基座采用石英制作。本发明提供的腔室，其不仅可以减少热量损耗，提高工...

本实用新型提供一种气源及半导体加工设备，其包括用于盛放液源的腔体和用于加热该液源的加热装置，该加热装置包括加热件和棒状热电偶，其中，加热件用于加热热源；棒状热电偶自腔体的外部贯穿腔体，并延伸至液源中，用于直接检测液源的温度。本实用新型提...

本发明提供一种电容、制作方法及半导体设备。该电容包括上电极、下电极和电介质层，所述电介质层设置于所述上电极和所述下电极之间，所述上电极和所述下电极均包括一层相同的金属层。该电容结构简单，简化了制作流程，而且具有较好的电极特性。

本发明提供一种腔室和半导体设备。本发明的腔室，包括：腔体；顶针，顶针包括顶针本体，和设置在顶针本体一端的限位部；基座，基座设置在腔体下部，且基座上设置有用于穿过顶针的顶针孔，顶针孔包括与所述限位部配合的限位孔。本发明的半导体设备包括本发...