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北京北方华创微电子装备有限公司专利技术
北京北方华创微电子装备有限公司共有3788项专利
一种门阀装置及半导体真空设备制造方法及图纸
本实用新型为一种门阀装置及半导体真空设备,门阀装置包括门阀座、门阀转接板、门阀驱动器以及门阀板。门阀座为环形结构,设置在相邻的两腔室之间,门阀座的两端分别与两腔室连接。门阀转接板为环形结构,可拆卸地安装在门阀座的内部,至少遮挡门阀座的部...
一种冷却盘组件制造技术
本实用新型为一种冷却盘组件,包括冷却盘和冷却盘底板,冷却盘与冷却盘底板相对扣合固定;冷却盘的与冷却盘底板相对的一面设有冷却剂凹槽和第一密封沟槽,冷却盘底板的与冷却盘相对的一面设有第二密封沟槽;冷却盘和冷却盘底板之间还设置有密封垫,密封垫...
下电极滤波盒与静电卡盘的连接装置及等离子设备制造方法及图纸
本实用新型提出了一种下电极滤波盒与静电卡盘的连接装置及等离子设备。该连接装置包括:电极铜柱,其一端设有用于容纳静电卡盘电极探针的第一盲孔,所述电极铜柱的另一端设有用于容纳下电极滤波盒插头的第二盲孔;电极探针套,其设置在所述电极铜柱和静电...
一种半导体处理设备制造技术
本实用新型提出了一种半导体处理设备,包括:气体输送部件,其用于输入反应气体;匀流腔,其与所述气体输送部件连接;真空腔室,其与所述匀流腔连通,所述真空腔室内部设置有用于放置晶片的载台;以及喷头,其设置在所述匀流腔和所述真空腔室的连通处;其...
上电极组件、反应腔室及半导体加工设备制造技术
本实用新型提供一种上电极组件及反应腔室,其包括线圈,在该线圈上设置有功率馈入点,该功率馈入点位于线圈的除端点之外的位置处,且线圈的端点接地,以将线圈自功率馈入点形成相互并联的多个线圈分部。本实用新型提供的反应腔室,其可以减小线圈上存在的...
一种上电极组件制造技术
本实用新型属于半导体制造技术领域,具体涉及一种上电极组件。该上电极组件,包括设置有上电极的腔体以及用于为所述腔体降温用的冷却装置,其中,所述冷却装置包括冷却介质道以及设置于所述冷却介质道两端的冷却介质入口和冷却介质出口,所述冷却介质道为...
射频阻抗匹配方法、匹配器和半导体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种射频阻抗匹配方法、匹配器和半导体处理装置。该匹配方法包括:检测匹配器的当前输入阻抗;用当前输入阻抗的共轭匹配阻抗代替射频电源的输出阻抗,计算当前输出阻抗;与当前输出阻抗共轭匹配的阻抗为负载阻抗;计算当负载阻抗与射频电源的实...
磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备制造技术
本实用新型提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备,其包括腔室主体,在该腔室主体内设置有基座,该基座包括用于承载待加工工件的承载面,并且磁性薄膜沉积腔室还包括偏置磁场装置,该偏置磁场装置包括第一磁体组,该第一磁体组设置在基座的下方,用于在...
托盘、反应腔室、半导体加工设备制造技术
本发明提供一种托盘、反应腔室、半导体加工设备,属于半导体加工技术领域,其可解决现有技术中基片容易出现位置偏差的问题。本发明的托盘,包括托盘本体,所述托盘本体上设置有凹部;预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位;所述第一...
磁控溅射腔室、磁控溅射设备以及磁控管制造技术
本发明提供磁控溅射腔室、磁控溅射设备和磁控管。本发明的磁控溅射腔室用于沉积磁性薄膜,包括:用于对靶材表面进行扫描的磁控管,和设置在磁控溅射腔室中用于形成水平磁场的偏置磁场装置。本发明的磁控溅射设备,包括本发明的磁控溅射腔室。本发明的磁控...
反应腔室以及电容耦合等离子体设备制造技术
本实用新型提供了一种反应腔室以及电容耦合等离子体设备,反应腔室包括底壁、内衬、支撑组件和磁性组件。内衬设置于腔室本体内,包括位于腔室本体底壁上方的底衬;支撑组件设置于被底衬环绕的工艺区域内,用于支撑晶片;磁性组件设置于工艺区域外,用于形...
真空卡盘及工艺腔室制造技术
本发明提供了一种真空卡盘及工艺腔室,真空卡盘用于承载基片,所述真空卡盘内设置有真空通道,所述真空卡盘内还设置有边缘通道;所述边缘通道的进气口与吹扫气源相连,所述边缘通道的出气口设置在靠近所述基片的边缘位置处,所述吹扫气源提供的吹扫气体以...
一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法和装置制造方法及图纸
本公开提供了一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法和装置,选取至少一个影响工艺结果的因素,获取因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子,调节因子使因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值与输入值的差值在预设精度范围内,基于调节因子,设定因素...
传输腔室及半导体加工设备制造技术
本发明提供了一种传输腔室及半导体加工设备,传输腔室包括腔体,在腔体内设置有用于承载基片的承载装置,还包括加热装置、进气装置和排气装置;加热装置用于加热基片,以使基片上的残余气体挥发;进气装置用于向腔体内输送气体;排气装置用于将腔体内的气...
气相刻蚀装置及设备制造方法及图纸
公开了一种气相刻蚀装置及设备。该装置包括:反应腔主体,其内形成有反应腔室;基座,处于反应腔室内部,用于承载晶片;进气件,连接到反应腔主体,向反应腔室内部通入刻蚀剂;以及压力组件,连接到反应腔主体,控制反应腔室的压力。该装置还包括:第一温...
去除晶片上的二氧化硅的方法及制造工艺技术
公开了一种去除晶片上的二氧化硅的方法及制造工艺。该方法可包括:向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体;使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合,生成气态的刻蚀剂;使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反应,并使所述工艺腔室内保持...
一种机械手制造技术
本发明提供一种机械手,属于半导体制备技术领域,其可解决现有的机械手指的预热时间过长的问题。本发明的机械手,包括机械手指,所述机械手指用于传输待加工工件,所述机械手指还包括加热件;所述加热件用于预热所述机械手指。
一种盖板及使用该盖板的托盘组件制造技术
本实用新型为一种盖板及使用该盖板的托盘组件,盖板设置为包括板体和压爪,板体设置有复数个通孔;在板体上每个通孔的周向可拆卸连接有复数个压爪,压爪向与其对应的通孔的中心伸出。托盘组件包括托盘和前述盖板,盖板压盖在托盘上,通孔的位置与晶圆片对...
用于蚀刻半导体衬底上的氧化物的系统技术方案
本实用新型提供了一种用于蚀刻半导体衬底上的氧化物的系统,其特征在于包括:反应腔室,用于对半导体衬底执行蚀刻工艺,所述蚀刻工艺包括采用第一催化气体和HF的第一气相蚀刻和采用第二催化气体和HF的第二气相蚀刻;进气单元,用于向反应腔室内引入第...
一种晶片处理装置制造方法及图纸
本实用新型属于晶片处理技术设备领域,尤其是涉及一种晶片处理装置,包括具有晶片进出通道的转接件,连通在所述转接件第一方向的设备平台,连接在所述转接件第二方向的晶片处理腔,所述转接件上具有气流隔断机构,所述气流隔断机构具有供保护气体喷入晶片...
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