去除晶片上的二氧化硅的方法及制造工艺技术

公开了一种去除晶片上的二氧化硅的方法及制造工艺。该方法可包括：向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体；使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合，生成气态的刻蚀剂；使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反应，并使所述工艺腔室内保持高压状态以提高刻蚀选择比；以及将所述反应的副产物从所述工艺腔室内抽出。根据本发明专利技术的去除晶片上的二氧化硅的方法通过使气态的刻蚀剂在高压力下与二氧化硅直接反应，并在反应后将反应产物抽出，实现高选择比、高效率地去除二氧化硅。

Removal of silicon dioxide on a wafer and its manufacturing process

A method and a manufacturing process for removing silicon dioxide on a wafer are disclosed. The method may include: alcohol gas dehydration to pass into the process chamber of hydrogen fluoride and dehydration; the alcohol gas mixing the hydrogen fluoride gas dehydration and dehydration, generation of gaseous etchant; the wafer reaction of the etchant and the process chamber, and make the process chamber indoor maintain high pressure to improve etching selectivity; and the by-product of the reaction from the process chamber out. The method of removing silicon dioxide from the wafer according to the present invention is to make the gaseous etching agent react directly with silica under high pressure and to extract the reaction product after reaction, so as to achieve high selective ratio and high efficiency to remove silicon dioxide.

【技术实现步骤摘要】
去除晶片上的二氧化硅的方法及制造工艺
本专利技术涉及集成电路制造工艺领域，更具体地，涉及一种应用于集成电路制造工艺中去除晶片上的二氧化硅的方法以及应用该去除晶片上的二氧化硅的方法集成电路制造工艺。
技术介绍
在集成电路制造工艺领域，目前通常使用硅基材料制造集成电路，硅(或者多晶硅)在空气中放置的情况下表面会自然氧化形成一层致密的二氧化硅(SiO2)层，如图1a所示。在有些工艺中，例如，在金属硅化物(Silicide)工艺中，金属镍铂(NiPt)薄膜要与硅衬底直接接触，如果衬底表面有一层SiO2，则会增加电阻率，影响器件性能，因此，制造后续工艺前需要去除这层SiO2。而在去除这层SiO2的同时，必须保护其他薄膜/结构不能被去除或者损伤，如图1a所示，隔离层(Spacer，由氮化硅(Si3N4)材料制成)的线宽尺寸会影响器件电性，如漏电(leakage)增加等。因此，需要在去除SiO2的同时尽量保持隔离层(Spacer，Si3N4)不被去除。如图1b所示，现有工艺多采用湿法刻蚀、等离子体干法刻蚀等方法去除SiO2，其对Si3N4的刻蚀选择比低，对隔离层去除过多，造成隔离层尺寸缩小，增大漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，包括：向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体；使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合，生成气态的刻蚀剂；使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反应，并使所述工艺腔室内保持高压状态以提高刻蚀选择比；以及将所述反应的副产物从所述工艺腔室内抽出。

【技术特征摘要】
1.一种去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，包括：向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体；使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合，生成气态的刻蚀剂；使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反应，并使所述工艺腔室内保持高压状态以提高刻蚀选择比；以及将所述反应的副产物从所述工艺腔室内抽出。2.根据权利要求1所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述工艺腔室内的压力为50Torr-300Torr。3.根据权利要求2所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述工艺腔室内的压力为200Torr。4.根据权利要求1所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述工艺腔室内的温度为20℃-80℃。5.根据权利要求4所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述工艺腔室内的温度为40℃。6.根据权利要求1所述的去除晶片上的二氧化硅的方法，其特征在于，所述氟化氢气体的流量为100sccm-50...

【专利技术属性】
技术研发人员：马振国，张军，吴鑫，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11