本实用新型提供一种反应腔室及半导体加工设备，在反应腔室的内部设置有基座，且在反应腔室的侧壁内侧设置有内衬，内衬的上端通过反应腔室的侧壁接地。反应腔室还包括边缘环和遮挡环，其中，边缘环环绕在基座的周围，边缘环的下端通过基座接地，且在边缘环...

本实用新型提供一种法拉第屏蔽件及反应腔室，其包括导电环体，在该导电环体上形成有开缝，该开缝包括第一子开缝，该第一子开缝沿导电环体的圆周方向设置，且与导电环体的轴线之间形成夹角，用以通过增加电磁场在导电环体的圆周方向上的电场分量的耦合效率...

本实用新型提供一种进气机构及预清洗腔室。本实用新型的进气机构包括盖板和保护板，其中，在盖板中设置有进气通道，该进气通道与气源连接；在盖板和保护板之间设置有缓冲腔；在保护板中设置有出气口；气源提供的工艺气体依次通过进气通道、缓冲腔和出气口...

本实用新型提供一种用于处理工件的等离子体反应装置，其包括电子束产生腔、过滤装置和工艺腔，其中，电子束产生腔位于工艺腔的外部，且通过过滤装置与工艺腔相连通，并且电子束产生腔包括电感耦合等离子体源，该电感耦合等离子体源用于产生第一等离子体；...

本实用新型提供一种等离子体腔室和用于物理气相沉积的预清洗设备。本实用新型公开的等离子体腔室包括腔体、等离子体发生器、以及设置于腔体内用于支撑被加工工件的基座；还包括等离子体调节装置，等离子体调节装置设置在基座上方；且当工艺时，等离子体调...

本申请公开一种沉积环(50)及使用其的卡盘组件，其在卡盘组件中与盖环和基座配合使用，包括：具有上表面(52)和下表面(53)的环形本体(51)；形成于所述上表面(52)的环形凹槽(55)；其中，所述沉积环还包括用于卡接到所述基座的卡接部...

本发明提供了一种传输腔室及半导体加工设备，传输腔室包括腔体和进气装置，所述进气装置包括加热单元，所述加热单元用于加热进入腔体的空气，以降低所述空气中的水汽含量。本发明提供的传输腔室及半导体加工设备，可解决凝结形成的氢卤酸对大气端零部件腐...

本发明提供一种去气腔室和半导体处理装置。该去气腔室包括腔体和片盒，腔体的侧壁上开设有传片口；片盒在腔体内可沿竖直方向移动，还包括设置在腔体内的加热组件，加热组件包括第一光源件和第二光源件，腔体以传片口为界分为第一腔体和第二腔体；第一光源...

本申请实施例提供了一种生产线设备的调度序列生成方法，其中，生产线设备包括：多个功能模块；功能模块具有需要执行的动作；所述的方法包括：确定针对稳态加工周期的目标函数；稳态加工周期为生产线设备在稳态状态下加工单片硅片的周期；确定针对功能模块...

本申请实施例提供了一种生产线设备的调度方法，其中，生产线设备包括一个或多个功能模块，功能模块具有对应的任务序列，任务序列中包括一个或多个任务，所述的方法包括：针对各个功能模块的任务序列，分别计算各个任务序列中执行每个任务所需的等待时间；...

本发明公开了一种氮化钛原子层沉积装置及其沉积方法，通过对源瓶出口管路、钛的前驱体传输管路进行分段梯度升温加热、对前级管路进行分段梯度降温加热，以及将氧化剂吹扫管路直接接入真空泵而不经过腔室，并在ALD反应中通过提高氧化剂与钛的前驱体蒸气...

本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进...

本发明提供了一种电感耦合等离子体产生装置及等离子体加工设备，电感耦合等离子体产生装置包括感应线圈、线圈支架、第一导轨、第一电连接柱和驱动机构，感应线圈固定在线圈支架上；第一导轨与线圈支架的第一面相对且固定设置，线圈支架的第一面为线圈支架...

本发明提供的转盘定位装置、装载传输系统及等离子体加工设备，其包括转盘、原点检测单元和到位检测单元，其中，在转盘上设置有工位，用以承载工件；原点检测单元用于检测转盘的原点位置；到位检测单元包括第一检测模块和第一标识模块，其中，第一标识模块...

本发明提供一种静电卡盘和半导体处理装置。该静电卡盘包括静电卡盘基体和设置在静电卡盘基体内部的顶针组件，顶针组件能升起和下降，以将置于静电卡盘基体上的晶片顶起和降下，顶针组件包括设置在静电卡盘基体的边缘区域和中心区域呈大小不等的正三角形分...

本发明公开了一种晶片位置检测方法，包括以下步骤：S1，分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；两条侧位垂直线分别位于片槽的垂直中心线的两侧；S2，将同一晶片的沿两条侧位垂直线的两个扫描结果进行对比，若两个扫描结果一致，则确定晶片...

本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括闭合磁控管和非闭合磁控管，闭合磁控管的内磁极和外磁极之间组成闭合的等离子体路径，非闭合磁控管的第一磁极和第二磁极之间组成非闭合的等离子体路径，闭合的等离子体路径和非闭合的等离子体路径用...

本发明提供了一种水平调节装置、压环组件及半导体加工设备。本发明的水平调节装置包括第一本体和第二本体；第一本体和第二本体中的一个上设置有凸部，另一个上设置有容纳凸部的凹部，凹部的深度小于凸部的高度，以使凹部容纳部分凸部；第一本体与待调节件...

本发明公开了一种开盖机构和半导体加工设备，开盖机构包括提升机构和连接机构，连接机构包括：竖直设置的旋转轴；固定组件，用于将旋转轴与提升机构连接；连接组件，用于将上电极系统与旋转轴连接，且使上电极系统能够围绕旋转轴旋转；轴承组件，用于向连...

本发明提供一种加热腔室及半导体加工设备，其包括用于承载晶片的基座以及进气机构，该进气机构包括一级匀流腔和二级匀流腔，其中，二级匀流腔设置在基座的上方，且在二级匀流腔的底壁上均匀分布有多个出气口，用以朝向基座输送工艺气体；一级匀流腔环绕设...