一种去气腔室和半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种去气腔室和半导体处理装置。该去气腔室包括腔体和片盒，腔体的侧壁上开设有传片口；片盒在腔体内可沿竖直方向移动，还包括设置在腔体内的加热组件，加热组件包括第一光源件和第二光源件，腔体以传片口为界分为第一腔体和第二腔体；第一光源件位于第一腔体内，第二光源件位于第二腔体内；第一光源件和第二光源件用于对片盒内的待去气基片进行均衡加热。该去气腔室通过设置加热组件，能使放置于片盒中的待去气基片都能受到均衡加热，从而确保了待去气基片在去气工艺和取放片过程中的工艺温度均衡，进而不仅提高了待去气基片的去气工艺质量，而且为后续工艺过程提供了更加洁净的基片。

A degassing chamber and a semiconductor processing device

The present invention provides a degassing chamber and a semiconductor processing device. Go to the gas chamber comprises a cavity and a cassette, the side walls of the cavities are arranged on the transfer sheet; cassette can move along the vertical direction in the cavity, also includes a heating component arranged in the cavity, the heating assembly includes a first light source and the second light source, to spread a mouth cavity is divided into a first cavity and the second cavity; the first light source is positioned within the first chamber, a second light source is positioned in the second cavity; the first light source and the second light source for gas to the substrate of the heat balance. Go to the gas chamber by setting the heating components, can make the cassette to be placed on the gas to the substrate can be evenly heated, so as to ensure the gas to the substrate in the process to take place and gas temperature during equilibrium, which not only improves the gas to the substrate to process gas quality the amount, but also provides a substrate cleaner for subsequent process.

【技术实现步骤摘要】
一种去气腔室和半导体处理装置
本专利技术涉及半导体器件制备
，具体地，涉及一种去气腔室和半导体处理装置。
技术介绍
在半导体制造
，物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)是指采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。在PVD设备中，通常需要Degas(去气)工艺步骤，例如在如图1所示的铜互连PVD工艺流程中，该工艺步骤的作用是在真空系统中，去除掉基片在大气中吸附的水蒸气等杂质，清洁基片表面，为后续工序提供尽可能干净的基片。如图2所示，传统的去气加热系统主要由真空腔室4、片盒2、升降系统5和光源6组成。真空腔室4提供了工艺环境，片盒2用于承载多个基片，升降系统5通过驱动片盒2升降将片盒2中放置于不同高度位置的基片传输到取放片的高度位置上(即传片口11的高度位置)，光源6提供了热量。上述去气加热系统的工作流程如下：1)通过升降系统5将第一批多个基片从传片口11传输到片盒2上的不同高度位置；2)通过升降系统5将片盒2顶起到光源6处的工艺位置上；3)点亮光源6，加热基片；4)关闭光源6，降低片盒2至传片口11的高度，并取走完成工艺的一些基片，同时补充一些基片；5)遵循先进先出的原则，循环工作。在实际进行加热去气工艺时，由于传片口11位于光源6的下方位置，因此存在着一种现象，即每次取放片都会将片盒2降下来，这样就远离了光源6的辐射区域，导致片盒2连同基片温度下降，且这种温度下降不可控，每个基片随着工艺流程的设定其下降次数也不相同，对基片的最终工艺结果例如工艺温度、均匀性等影响较大。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种去气腔室和半导体处理装置。该去气腔室通过设置多个加热组件，能使放置于片盒中的待去气基片都能受到均衡加热，从而确保了待去气基片在去气工艺和取放片过程中的工艺温度均衡，进而不仅提高了待去气基片的去气工艺质量，而且为后续工艺过程提供了更加洁净的基片。本专利技术提供一种去气腔室，包括腔体和片盒，所述腔体的侧壁上开设有传片口，所述传片口用于使所述待去气基片传入或传出所述腔体；所述片盒在所述腔体内可沿竖直方向移动，还包括设置在所述腔体内的加热组件，所述加热组件包括第一光源件和第二光源件，所述腔体以所述传片口为界分为第一腔体和第二腔体；所述第一光源件位于所述第一腔体内，所述第二光源件位于所述第二腔体内；所述第一光源件和所述第二光源件用于对所述片盒内的所述待去气基片进行均衡加热。优选地，所述加热组件还包括第一反光筒和第二反光筒，所述第一反光筒位于所述第一腔体和所述第一光源件之间；所述第二反光筒位于所述第二腔体和所述第二光源件之间；所述第一反光筒和所述第二反光筒用于将照射到其上的光线向所述片盒内的所述待去气基片反射。优选地，所述第一反光筒和所述第二反光筒对接形成一体，且在对应所述传片口的位置设有第一开口，所述第一开口能使所述待去气基片通过。优选地，所述加热组件还包括第一反光板和第二反光板，所述第一反光板盖合在所述第一反光筒的远离所述传片口的一端，所述第二反光板盖合在所述第二反光筒的远离所述传片口的一端；所述第一反光板和所述第二反光板用于将照射到其上的光线向所述片盒内的所述待去气基片反射。优选地，所述第一光源件包括多个第一线光源，所述多个第一线光源相互平行且围成一圈；所述第一线光源的长度方向平行于所述片盒的移动方向；所述第二光源件包括多个第二线光源，所述多个第二线光源相互平行且围成一圈；所述第二线光源的长度方向平行于所述片盒的移动方向；所述片盒能在所述第一线光源和所述第二线光源围成的空间内移动。优选地，所述第一反光筒和所述第二反光筒的内壁能使照射到其上的光线发生漫反射和/或镜面反射。优选地，所述第一反光板面向所述第一反光筒筒内的内壁和所述第二反光板面向所述第二反光筒筒内的内壁能使照射到其上的光线发生漫反射和/或镜面反射。优选地，所述第一反光筒和所述第二反光筒采用不锈钢材质。优选地，所述第一反光板和所述第二反光板采用不锈钢材质。本专利技术还提供一种半导体处理装置，包括上述去气腔室。本专利技术的有益效果：本专利技术所提供的去气腔室，通过设置多个加热组件，能使放置于片盒中的待去气基片都能受到均衡加热，从而确保了待去气基片在去气工艺和取放片过程中的工艺温度均衡，进而不仅提高了待去气基片的去气工艺质量，而且为后续工艺过程提供了更加洁净的基片。本专利技术所提供的半导体处理装置，通过采用上述去气腔室，提高了该半导体处理装置的处理工艺质量。附图说明图1为现有技术中铜互连PVD工艺流程的示意图；图2为现有技术中去气加热系统的结构剖视图；图3为本专利技术实施例1中去气腔室的结构示意图；图4为图3中第一光源件的结构示意图；图5为本专利技术实施例1中去气腔室的结构分解示意图；图6为本专利技术实施例1中第一光源件的结构分解示意图；图7为本专利技术实施例1中第二光源件的结构剖视图。其中的附图标记说明：1.腔体；11.传片口；12.第一腔体；13.第二腔体；2.片盒；3.加热组件；31.第一光源件；311.上盖组件；32.第二光源件；321.下盖组件；33.第一反光筒；34.第二反光筒；30.第一开口；35.第一反光板；36.第二反光板；300.第一线光源；301.下陶瓷内环；302.下陶瓷外环；4.真空腔室；5.升降系统；6.光源；7.反光筒；81.上电连接短组件；91.上电连接长组件；82.下电连接短组件；92.下电连接长组件。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术所提供的一种去气腔室和半导体处理装置作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种去气腔室，如图3所示，包括腔体1和片盒2，腔体1的侧壁上开设有传片口11，传片口11用于使待去气基片传入或传出腔体1；片盒2在腔体1内可沿竖直方向移动，还包括设置在腔体1内的加热组件3，加热组件3包括第一光源件31和第二光源件32，腔体1以传片口11为界分为第一腔体12和第二腔体13；第一光源件31位于第一腔体12内，第二光源件32位于第二腔体13内；其中，第一光源件31环绕分布于第一腔体12的侧壁内；第二光源件32环绕分布于第二腔体13的侧壁内；第一光源件31和第二光源件32用于对片盒2内的待去气基片进行均衡加热。其中，第一光源件31沿第一腔体12的内侧壁环绕分布；第二光源件32沿第二腔体13的内侧壁环绕分布。腔体1内第一光源件31和第二光源件32的设置相对于传片口11对称，片盒2在第一光源件31和第二光源件32环绕围成的空间内竖直移动，这能使腔体1内的片盒2无论移动到什么位置，片盒2内的待去气基片都能受到第一光源件31或第二光源件32的均衡加热，从而使得在待去气基片传入或传出腔体1时，片盒2在第一腔体12和第二腔体13内往复移动时，待去气基片在任意位置都能受到均衡加热。本实施例中，加热组件3还包括第一反光筒33和第二反光筒34，第一反光筒33位于第一腔体12和第一光源件31之间；第二反光筒34位于第二腔体13和第二光源件32之间；第一反光筒33和第二反光筒34用于将照射到其上的光线向片盒2内的待去气基片反射。其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去气腔室，包括腔体和片盒，所述腔体的侧壁上开设有传片口，所述传片口用于使所述待去气基片传入或传出所述腔体；所述片盒在所述腔体内可沿竖直方向移动，其特征在于，还包括设置在所述腔体内的加热组件，所述加热组件包括第一光源件和第二光源件，所述腔体以所述传片口为界分为第一腔体和第二腔体；所述第一光源件位于所述第一腔体内，所述第二光源件位于所述第二腔体内；所述第一光源件和所述第二光源件用于对所述片盒内的所述待去气基片进行均衡加热。

【技术特征摘要】
1.一种去气腔室，包括腔体和片盒，所述腔体的侧壁上开设有传片口，所述传片口用于使所述待去气基片传入或传出所述腔体；所述片盒在所述腔体内可沿竖直方向移动，其特征在于，还包括设置在所述腔体内的加热组件，所述加热组件包括第一光源件和第二光源件，所述腔体以所述传片口为界分为第一腔体和第二腔体；所述第一光源件位于所述第一腔体内，所述第二光源件位于所述第二腔体内；所述第一光源件和所述第二光源件用于对所述片盒内的所述待去气基片进行均衡加热。2.根据权利要求1所述的去气腔室，其特征在于，所述加热组件还包括第一反光筒和第二反光筒，所述第一反光筒位于所述第一腔体和所述第一光源件之间；所述第二反光筒位于所述第二腔体和所述第二光源件之间；所述第一反光筒和所述第二反光筒用于将照射到其上的光线向所述片盒内的所述待去气基片反射。3.根据权利要求2所述的去气腔室，其特征在于，所述第一反光筒和所述第二反光筒对接形成一体，且在对应所述传片口的位置设有第一开口，所述第一开口能使所述待去气基片通过。4.根据权利要求2或3所述的去气腔室，其特征在于，所述加热组件还包括第一反光板和第二反光板，所述第一反光板盖合在所述第一反光筒的远离所述传片口的一端，所述第二反光板盖合在...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾强，丁培军，赵梦欣，王厚工，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11