本发明提供一种基片刻蚀方法，该基片为碳化硅，基片刻蚀方法包括：基片刻蚀步骤，采用二氧化硅掩膜层对基片进行刻蚀形成侧壁倾斜的基片图形。其中，该二氧化硅掩膜层的图形侧壁倾斜。本发明提供的基片刻蚀方法，由于采用侧壁倾斜的二氧化硅掩膜层刻蚀碳化...

本发明公开了用于设置工艺配方数据的方法和系统，所述方法包括：S1、获取工艺配方的ID，根据所述工艺配方的ID从下位机中获取所述工艺配方的主体对象；其中，所述工艺配方的主体对象中含有所述工艺配方的类别、容差类型、以及工艺参数的信息；S2、...

本发明公开了一种用于自动测试设备功能的方法及系统。该方法包括：获取配置文件，其中，所述配置文件包括发送消息的规则和接收消息的规则；基于所述配置文件中的所述发送消息的规则将测试消息发送至被测设备；接收所述被测设备针对所述测试消息的反馈消息...

本发明公开了等离子体启辉方法及设备，所述等离子体启辉方法用于将气体激发为等离子体，包括以下步骤：计算将气体激发生成等离子体所需的启辉上电极功率RF，且RF＝RF1+RF1*RF2/(RF1+RF2)，其中，RF1及RF2分别为将气体维持...

本发明提供一种监控方法、微电子加工方法及装置。该监控方法用于监控加热部件的加热能力，包括：步骤S1，采集当前输出功率百分比下的加热部件的输出电流值；步骤S2，判断所述输出电流值是否发生变化；步骤S3，判断所述当前输出功率百分比下的输出电...

本发明提供一种配置IO通道的方法，包括在上位机配置文件中增加字段以区别不同腔室所对应的IO通道参数信息，从而提高了配置IO通道的灵活性。另外，本发明还提供一种半导体加工方法。

本发明提供的机械手及半导体加工设备，其包括手指安装板、安装在其上的机械手指和角度调节机构，其中，机械手指可相对于手指安装板在水平面内旋转。角度调节机构用于采用螺纹配合的方式调节机械手指的旋转角度。本发明提供的机械手，其可以减小机械手指的...

本发明提供一种反应腔室，包括传片口、基座、压环、内门和压环升降机构，其中，传片口设置在反应腔室的侧壁上，基座设置在反应腔室内，用以承载晶片；压环用于通过压住晶片将其固定在基座上。压环升降机构用于驱动压环上升至与基座相分离的第一位置或者下...

本发明公开了一种深硅刻蚀工艺，包括：沉积步骤，生成保护层以对图形底部和侧壁进行保护；刻蚀步骤，对图形底部和侧壁进行刻蚀；重复沉积步骤和刻蚀步骤至整个深硅刻蚀工艺结束；在沉积步骤中，加载下电极功率，以使在图形底部生成的保护层的厚度大于在图...

本发明提供一种下电极机构及反应腔室，其包括基座，在基座与腔室底壁之间设置有绝缘环，以在基座的底面的边缘区域与腔室底壁之间形成等效电容，该等效电容由至少两种不同介质填充形成的平行板电容并联而成。本发明提供的下电极机构，可以实现对下电极机构...

本发明公开一种控制晶圆进出大气真空转换腔室方法及大气真空转换腔室，前者包括：S1：判断第一和第二大气真空转换腔室的第一位置第二位置是否都有晶圆，是则执行S2，否则执行S3至S4；S2：同时对第一和第二大气真空转换腔室进行抽真空操作；S3...

本发明提供温度控制方法、装置及半导体加工设备。温度控制方法包括以下步骤：获取当前时刻的实时温度值；获得偏差量化因子、偏差变化率量化因子，计算偏差、偏差变化率；根据偏差和偏差量化因子获得偏差的量化值，以及根据偏差变化率和偏差变化率量化因子...

本实用新型提供了承载基座及预清洗装置。该承载基座用于承载待加工工件，承载基座上形成有第一凹部，待加工工件容纳于第一凹部中；第一凹部的底壁上设有第二凹部，第二凹部用于降低待加工工件中心区域的刻蚀速率。本实用新型的承载基座的一个用途在于用于...

本实用新型提供了一种承载装置及半导体加工设备。该承载装置包括加热盘、隔离件和冷却盘，其中，隔离件位于加热盘和冷却盘之间，以将加热盘和冷却盘之间的区域分隔为至少一个隔热区和至少一个传热区。本实用新型承载装置可实现加热盘与冷却盘的分离，且通...

本实用新型公开了一种用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备。本实用新型的磁控溅射腔室包括腔体、设置于腔体顶部的靶材、设置于靶材上方的磁控管、以及设置于腔体内部且位于靶材下方的基座，磁控管在靶材上的投影面积小于五分之一的靶材面积，以...

本实用新型提供了一种工艺腔室及半导体处理设备。本实用新型的工艺腔室用于对晶片进行去气和预清洗，包括：腔体、电极板、设置于腔体内顶部的热源、设置于腔体内底部的基座；其中，基座和热源相对设置，电极板可旋转；电极板中设置有输气通道；当电极板旋...

本实用新型提供一种磁控管旋转结构，第一旋转臂，其上设置有第一旋转轴和第二旋转轴；所述第一旋转轴，与驱动源相连，用以在驱动源的驱动下旋转并带动所述第一旋转臂旋转；所述第一旋转轴通过传动组件与所述第二旋转轴相连，所述传动组件用以在所述第一旋...

本实用新型公开了一种传输结构及物理气相沉积设备，该传输结构用于将遮盘传入或传出物理气相沉积室，并使遮盘的中心与位于物理气相沉积室内的基座的中心对准，该传输结构包括：托架，托架安装在托架旋转轴上，用于承载遮盘；调心块，调心块设置在托架上，...

本发明提供一种机械手及半导体加工设备，其包括：承载部件，其包括用于承载晶片的中心区域的中心承载面；多个校准部件，环绕设置在承载部件的外围，用以通过推动晶片的边缘，来校准晶片的位置；联动机构，与多个校准部件连接，用以驱动多个校准部件同时沿...

本发明公开了一种工艺室气氛检测方法和晶片加工设备。该工艺室气氛检测方法包括：移出工艺室内的晶片；关闭所述工艺室的阀门，将室内气压降低到指定工作压力以下；启动残气分析仪对室内气氛进行检测；若室内气氛无异常，则残气分析仪停止工作，打开工艺室...