本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括闭合磁极和开路磁极，闭合磁极包围开路磁极，闭合磁极和开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5％。该磁控元件通过设置闭合磁极和开路磁极，能适用于RF/DC PVD技术，通过调...

本实用新型提供一种反应腔室，其包括非金属腔体、环绕在该非金属腔体的外周壁上的法拉第屏蔽件以及环绕在该法拉第屏蔽件的外周壁上的紧箍组件，该紧箍组件用于限制法拉第屏蔽件的热变形。本实用新型提供的反应腔室，其可以避免法拉第屏蔽件与外侧的射频线...

本发明提供一种卡盘、反应腔室及半导体加工设备。本发明的卡盘包括本体和基体，该本体包括第一承载面和环绕在第一承载面外周的第二承载面，第一承载面用于承载晶片的中心区域，第二承载面用于承载晶片的边缘区域，其中，第一承载面具有第一粗糙度，第一粗...

本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，其包括托盘、盖板和压环，托盘和盖板共同夹持晶片；压环用于将托盘和盖板固定在卡盘上。该压环包括由下而上依次设置的导电层和非导电层，其中，导电层与所述盖板相接触；非导电层用于阻挡等离子体轰击导电层。本...

本实用新型提供一种静电卡盘，其包括底座、设置在所该底座上的加热层及设置在该加热层上的绝缘层，在底座与绝缘层之间，且环绕在加热层的外周壁上设置有环状保护部件，该环状保护部件采用抗等离子体腐蚀的弹性材料制作，且环状保护部件在底座与绝缘层之间...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种门阀隔热结构及刻蚀装置；包括设置于所述门阀与所述刻蚀工艺腔之间的所述隔热围挡，所述隔热围挡的内壁形成环形的所述材料输送通道，所述材料输送通道的一侧与所述门阀的通道连通，所述材料输送通道的另一侧...

本实用新型提供的反应腔室的下电极机构及反应腔室，其包括用于承载被加工工件的基座，以及设置在基座下方的下电极腔，该下电极腔包括相互隔离的电磁屏蔽空间和非电磁屏蔽空间，二者分别通过贯穿下电极腔的腔体与反应腔室的侧壁的第一引入通道和第二引入通...

本实用新型提供一种反应腔室，包括卡盘和散斑干涉检测装置；散斑干涉检测装置包括光源、光电转换器和处理器；所述光源输出的光信号分为物光和参考光；所述物光发射至所述晶片的表面并反射至所述光电转换器，所述参考光直接发射至所述光电转换器；所述光电...

本实用新型公开了一种密封圈、一种工艺腔室和一种半导体处理设备。所述密封圈包括第一密封部、第二密封部以及连接所述第一密封部和所述第二密封部的连接部，所述连接部形状为圆台，所述第一密封部位于所述圆台直径较小的顶面上，所述第二密封部位于所述圆...

本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑...

本实用新型提供了一种馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备。射频功率经馈入结构的引入杆中心馈入，并由多个分配杆均匀分配到靶材。

一种半导体设备。该半导体设备包括多个腔室，各腔室包括被配置为承载基片的基座，至少一个腔室设置有阻抗调节电路，阻抗调节电路被配置为调节对应腔室的基座与接地端之间的阻抗，以使多个腔室的所述阻抗保持一致。由此，该半导体设备可通过阻抗调节电路对...

本发明实施例提供了一种机械手取片方法和放片方法及装置，所述机械手应用于半导体外延设备，所述方法包括：当所述机械手伸入所述托盘的预设位置时，采用所述距离传感器获取多个取片距离特征值；其中，所述取片距离特征值表示所述距离传感器到晶圆上不同的...

本发明提供一种反应腔室以及半导体加工设备，其包括基座、基座升降机构、压环、预沉积内衬组件和接地机构，其中，基座用于承载晶片；基座升降机构用于驱动基座上升或下降；压环用于在基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且压环在基座位...

本发明提供的表面波等离子体加工设备，其包括反应腔室、微波传输机构以及谐振机构，谐振机构包括谐振腔、金属天线板、介质件和多个金属探针，谐振腔设置在反应腔室的顶部；多个金属探针是可升降的，其下端自谐振腔的顶部竖直延伸至谐振腔的内部；在金属天...

本发明公开了一种磁控溅射方法以及磁控溅射装置。该方法包括：步骤1：将待加工件移入工艺腔室内并放置于基座上；步骤2：将基座移动到加热位置，对待加工件进行加热，当待加工件的温度达到预设温度时进入步骤3；步骤3：检测工艺腔室的真空状态，如果满...

本发明提供一种等离子体源的冷却机构及半导体加工设备，该等离子体源包括介质筒、环绕在该介质筒周围的线圈以及罩设在该线圈周围的线圈盒。而且，冷却机构包括第一进气口和第一出气口，其中，第一进气口设置在线圈盒的侧壁底部，用以向线圈盒内输送冷却气...

本发明公开了一种晶片冷却方法和晶片冷却设备。该晶片冷却方法用于对完成工艺加工的晶片在冷却区域中进行去气冷却，所述冷却区域中设置有冷却槽，根据参与工艺的指定工艺腔室数量、单片晶片的工艺加工时间以及冷却时间在所述冷却槽中选择用于放置晶片的预...

本发明公开了一种用于界面配置的方法及设备。该方法包括：提供含有三级导航节点的配置文件，其中，所述配置文件包括三级导航节点的导航按钮配置文件，并且第二级和第三级导航节点的导航按钮配置文件中含有用于标识导航按钮对应处理腔室的属性字段；基于所...

本发明提供了一种晶片偏移检测方法及装置、半导体加工设备，该方法用于通过检测单元检测机械手上的晶片是否发生位置偏移，包括：驱动机械手沿第一旋转方向自初始位置旋转第一角度至第一预设位置，根据检测单元检测位于第一预设位置的机械手上是否存在晶片...