卡盘、反应腔室及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种卡盘、反应腔室及半导体加工设备。本发明专利技术的卡盘包括本体和基体，该本体包括第一承载面和环绕在第一承载面外周的第二承载面，第一承载面用于承载晶片的中心区域，第二承载面用于承载晶片的边缘区域，其中，第一承载面具有第一粗糙度，第一粗糙度能够在保证位于第一承载面与晶片之间的气体均匀分布的前提下，增大晶片与第一承载面之间的接触面积。本发明专利技术的反应腔室包括本发明专利技术的卡盘。本发明专利技术的半导体加工设备包括本发明专利技术的反应腔室。本发明专利技术提供的卡盘，可以提高晶片向卡盘进行热传导的效率，避免因晶片表面升温过快而造成的损坏。

Chuck, reaction chamber and semiconductor processing equipment

The invention provides a chuck, a reaction chamber and a semiconductor processing device. The invention includes a chuck body and a base, the body includes a first bearing surface and around the periphery of the first bearing surface second bearing surface, the first bearing surface for bearing the center area of the wafer, second bearing surface for bearing the wafer edge region, which is the first the first bearing surface roughness, roughness can ensure the first in the first bearing gas between the surface and the wafer under the premise of increasing the contact area between the wafer and the first bearing surface. The reaction chamber of the invention includes the chuck of the invention. The semiconductor processing equipment of the invention includes the reaction chamber of the invention. The chuck provided by the invention can improve the efficiency of the heat conduction of the chip to the chuck, and avoid the damage caused by the rapid heating up of the wafer surface.

【技术实现步骤摘要】
卡盘、反应腔室及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种卡盘、反应腔室及半导体加工设备。
技术介绍
静电卡盘(ElectroStaticChuck，简称ESC)广泛的应用于集成电路的制造工艺过程中，特别是等离子体刻蚀(ETCH)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等工艺，都需要ESC在反应腔室内固定晶片、为晶片提供直流偏压，以及对晶片表面进行迅速冷却，以使晶片表面在工艺中产生的高温能够得到有效控制。图1为现有的静电卡盘的局部剖视图。请参阅图1，静电卡盘包括绝缘层1和用于支撑该绝缘层1的铝基座4，其中，绝缘层1的上表面采用陶瓷材料或陶瓷喷涂的方式加工制造，用以承载晶片2。在绝缘层1内部嵌有直流电极(图中未示出)，电导通后能够使绝缘层1与晶片2产生静电吸附力。而且，在绝缘层1内设置有冷却通道3，用以将冷却气体输送至绝缘层1与晶片2之间，以对晶片进行冷却。在铝基座4的内部设有冷却水道41，通过向该冷却水道41中通入冷却水来冷却绝缘层1。图2为现有的静电卡盘的俯视图。请参阅图2，在绝缘层1的上表面设置有环形凸台10和多个凸点11。其中，环形凸台10环绕设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种卡盘，包括本体和基体，其特征在于，所述本体包括第一承载面和环绕在所述第一承载面外周的第二承载面，所述第一承载面用于承载晶片的中心区域，所述第二承载面用于承载晶片的边缘区域，其中，所述第一承载面具有第一粗糙度，所述第一粗糙度能够在保证位于所述第一承载面与晶片之间的气体均匀分布的前提下，增大晶片与所述第一承载面之间的接触面积。

【技术特征摘要】
1.一种卡盘，包括本体和基体，其特征在于，所述本体包括第一承载面和环绕在所述第一承载面外周的第二承载面，所述第一承载面用于承载晶片的中心区域，所述第二承载面用于承载晶片的边缘区域，其中，所述第一承载面具有第一粗糙度，所述第一粗糙度能够在保证位于所述第一承载面与晶片之间的气体均匀分布的前提下，增大晶片与所述第一承载面之间的接触面积。2.根据权利要求1所述的卡盘，其特征在于，所述第一粗糙度为0.6-0.8um。3.根据权利要求1所述的卡盘，其特征在于，所述第二承载面具有第二粗糙度，所述第二粗糙度能使所述第二承载面与晶片紧密接触，从而密封所述第一承载面与晶片之间的气体。4.根据权利要求3所述的卡盘，其特征在于，所述第二粗糙度小于或等于0.4um。5.根据权利要求3所述的卡盘，其特征在于，所述第一粗糙度大于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张虎威，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11