一种磁控元件和磁控溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括闭合磁极和开路磁极，闭合磁极包围开路磁极，闭合磁极和开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5％。该磁控元件通过设置闭合磁极和开路磁极，能适用于RF/DC PVD技术，通过调节闭合磁极和开路磁极之间形成的等离子体路径的形状与分布，能在全工艺压力范围下使溅射沉积薄膜满足设定的均匀性要求，从而大大提高了沉积薄膜的均匀性；该磁控元件适用的磁控溅射系统以及适用的薄膜沉积材料都比较广泛，并且，该磁控元件还能提高靶材的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控元件和磁控溅射装置
本专利技术涉及半导体器件制备
，具体地，涉及一种磁控元件和磁控溅射装置。
技术介绍
磁控溅射或溅射(Sputtering)沉积技术是物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)的一种，是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺。物理气相沉积技术可应用于很多工艺领域，如铜互连线技术、封装领域中的硅穿孔(ThroughSiliconVia,TSV)技术等等。典型的PVD装置包括高真空工艺腔、被溅射的靶材和磁控管，为了提高溅射效率，磁控管放置在靶材背面，磁控管包括极性相反的磁铁，极性相反的磁铁在临近其的靶材表面产生磁场。为了达到均匀溅射的目的，磁控管通过电机带动，在靶材表面均匀扫描。如现有技术所示的一种由第一开路磁极122、第二开路磁极120、第三开路磁极132、第四开路磁极134组成磁控管，如图1所示。虽然其可以在一定程度上提高靶材寿命和薄膜均匀性，但是在使用中，发现以下问题：其一，因为该磁控管仅由开路磁极组成，各个开路磁极之间没有构成闭合的等离子体路径，所以只有在靶材电源为射频(RF)电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控元件，其特征在于，包括闭合磁极和开路磁极，所述闭合磁极包围所述开路磁极，所述闭合磁极和所述开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5％。

【技术特征摘要】
1.一种磁控元件，其特征在于，包括闭合磁极和开路磁极，所述闭合磁极包围所述开路磁极，所述闭合磁极和所述开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5％。2.根据权利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述开路磁极包括第一磁极，所述第一磁极呈弧形，所述闭合磁极与所述第一磁极相互间隔且极性相反，所述磁控元件的旋转中心位于所述第一磁极包围的区域中。3.根据权利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述闭合磁极的形状为相同曲率半径的闭合曲线或不同曲率半径的闭合曲线。4.根据权利要求2所述的磁控元件，其特征在于，所述第一磁极的形状为相同曲率半径的开路曲线或不同曲率半径的开路曲线。5.根据权利要求2所述的磁控元件，其特征在于，所述第一磁极与所述闭合磁极之间的间距为等间距或变间距。6.根据权利要求2所述的磁控元件，其特征在于，所述开路磁极还包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉杰，郭万国，王厚工，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11