磁控溅射致冷件晶板镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及致冷件生产技术领域的设备和方法，名称是磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，包括机架，在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘，所述的机架上还具有晶板的送料斗和镀膜后成品的收集斗，所述的机架上还设置有晶板的检测装置；磁控溅射致冷件晶板镀膜方法，将晶板放置在磁控溅射装置里面下面进行镀膜，镀膜的耗材是镍、钯或银，可以形成一层镀膜的半导体晶板，较好的技术方案是：溅射的条件是加速电压:350～410V、电流密度:30～50mA/cm、气压:7～12 mTorr、磁场约:200～220G、功率密度:50～60W/cm。这样的装置和方法可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及致冷件生产
的设备和方法，具体地说是磁控溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法。
技术介绍
致冷件包括晶粒和瓷板，所述的晶粒主要成分是三碲化二铋，晶粒是由晶板切割而成的，将晶粒焊接在瓷板上之前需要在晶粒的表面形成一层镀膜——镍、钯或银层，以便晶粒和瓷板很好地结合。现有技术中，使用的是热喷涂装置将镀膜材料结合在晶板上的，这样的装置具有镀膜材料（镍、钯或银）浪费严重、环保性能差、镍和晶板结合力量差的缺点。采用热喷涂的装置和方法将镀膜材料（镍、钯或银）热熔化并喷涂到晶板上，也具有镀膜材料浪费严重、环保性能差、镀膜和晶板结合力量差的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述缺点，提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，还提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜方法本专利技术磁控溅射致冷件晶板镀膜装置这样实现的：磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是:包括机架，在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘。进一步地讲，所述的机架上还具有晶板的送料斗和镀膜后成品的收集斗。进一步地讲,所述的机架上还设置有晶板的检测装置。本专利技术致冷件晶板镀膜方法这样实现的：磁控溅射致冷件晶板镀膜方法，将晶板放置在磁控溅射装置里面下面进行镀膜，镀膜的耗材是镍、钯或银，可以形成一层镀膜的半导体晶板。较好的技术方案是：溅射的条件是加速电压:350～410V、电流密度:30～50mA/cm、气压:7～12mTorr、磁场约:200～220G、功率密度:50～60W/cm。本专利技术的有益效果是：这样的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜。这样的致冷件晶板镀膜方法具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的优点。附图说明图1是本专利技术磁控溅射致冷件晶板镀膜装置的结构示意图。其中：1、机架2、传送装置3、磁控溅射装置4、放置盘5、送料斗6、收集斗7、检测装置。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的说明。如图1所示，磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是:包括机架1，在机架上具有传送装置2,在传送装置上面安装磁控溅射装置3，所述的传送装置上具有晶板的放置盘4。这样，使用时晶板就放置在放置盘上，晶板就在磁控溅射装置下面进行溅射，形成一层镀膜，溅射装置所用的材料是镍、钯或银。相比现有技术中的热喷涂具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的优点。进一步地讲，所述的机架上还具有晶板的送料斗5和镀膜后成品的收集斗6。这样，送料和接料都很方便。进一步地讲,所述的机架上还设置有晶板的检测装置7。这样在传送装置上就可以对产品的质量进行检测，使用更方便。实施例1a、将晶板放置经过热喷涂，喷涂材料用镍，形成第一晶板，其利用率达到10%，散落到周围环境中的镍为90%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力较差。实施例2a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅，射溅射的条件是加速电压:350V、电流密度:30mA/cm、气压:7mTorr、磁场约:200G、功率密度:50W/cm，所用的溅射材料是镍，形成第二晶板。其利用率达到45%，散落到周围环境中的镍为55%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好。实施例3a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅，射溅射的条件是加速电压:410V、电流密度:50mA/cm、气压:12mTorr、磁场约:220G、功率密度:60W/cm，所用的溅射材料是镍，形成第三晶板。其利用率达到47%，散落到周围环境中的镍为53%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好。实施例4a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅，射溅射的条件是加速电压:380V、电流密度:40mA/cm、气压:8mTorr、磁场约:210G、功率密度:55W/cm，所用的溅射材料是镍，形成第四晶板。其利用率达到44%，散落到周围环境中的镍为56%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好。上述实施例2、3、4证实，磁控溅射可以使晶板镀层连接更牢固。将上述的镍换成银或钯，得到同样的结果，证明磁控溅射半导体晶板是可行的，并具有节省材料、减少污染、增加镀膜和晶板之间的结合力的优点。以上所述仅为本专利技术的具体实施例，但本专利技术的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本专利技术的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本专利技术的专利范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是:包括机架，在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘。

【技术特征摘要】
1.磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是:包括机架，在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘。2.根据权利要求1所述的磁控溅射致冷件...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，陈建民，赵丽萍，钱俊友，张文涛，蔡水占，张会超，王东胜，
申请(专利权)人：河南鸿昌电子有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41