真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法技术

本发明专利技术公开了真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法，其包括以下步骤：将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；使真空室内的真空度至少达到7.9×10-6mbar；向真空室内充入放电介质气体，使真空室内的真空度达到2.8x10-3mbar～5.0x10-3mbar；在纯氩或氩氧气氛中，在玻璃基板形成陶瓷TiOX基层；在纯氩气氛中，采在陶瓷TiOX基层上形成底层阻挡保护层；在纯氩中气氛中，在底层阻挡保护层上依次沉积上铜层和银层；在纯氩气氛中，在银层上形成顶层阻挡保护层；在纯氩或氩氧气氛中，在顶层阻挡保护层上形成底层电介质层；在氮氩气氛中，在底层电介质层上形成顶层电介质层。

【技术实现步骤摘要】
真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法
本专利技术涉及镀膜玻璃，具体涉及一种真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法。
技术介绍
Low-E玻璃又称低辐射玻璃，是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比，具有优异的隔热效果和良好的透光性。目前由于镀膜使用的浮法的玻璃大部分都偏绿，经镀膜后整体颜色偏绿，产品透过色明显发绿、发黄，造成室外反射色跟着发绿、发黄，造成光的透过率低，但随着人们对视觉品质的不断追求，生产更高透过率的触摸屏产品将拥有更大得市场。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供的真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法能够消除室外反射色发绿和发黄的问题。为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：提供一种真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法，其包括以下步骤：将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；对真空室抽真空处理，使真空室内的真空度至少达到7.9×10-6mbar；向真空室内充入至少一种放电介质气体，使真空室内的真空度达到2.8x10-3mbar～5.0x10-3mbar；在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在玻璃基板上形成陶瓷TiOX基层；在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在陶瓷TiOX基层上形成底层阻挡保护层；在纯氩气氛中，在底层阻挡保护层上依次沉积上铜层和银层；在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在银层上形成顶层阻挡保护层；在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在顶层阻挡保护层上形成底层电介质层；在氮氩气氛中，采用SiAl靶溅射方法在底层电介质层上形成顶层电介质层。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：在玻璃基板上沉积的铜层可以消除由于玻璃基板颜色偏绿致使室外反射色发绿和发黄的问题，在室外面颜色基本不变的情况下，透过色普遍更加接近中性；同时铜层的引入可以降低镀银层的厚度，从而降低了生产成本。在玻璃基板上设置的陶瓷TiOX基层使LOW-E玻璃的折射率至少可以达到2.5，大幅度提高了LOW-E玻璃的折射率；陶瓷TiOX基层上镀的底层阻挡保护层可以对陶瓷TiOX基层起保护作用，同时还可以提高铜层的附着力。通过该方法生产的LOW-E玻璃的可见光透过率为50％～65﹪，可见光玻璃面反射率为10％～20％，可见光玻璃面色坐标a*为-3.5～-2.0，可见光玻璃面色坐标b*为-2～-7.5，可见光透过色坐标a*为-1.1～-0.1，可见光透过色坐标b*为0.5～1.2。具体实施方式下面对本的具体实施方式进行描述，以便于本
的技术人员理解本，但应该清楚，本不限于具体实施方式的范围，对本
的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本构思的专利技术创造均在保护之列。该真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法，包括以下步骤：步骤1，将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；步骤2，对真空室抽真空处理，使真空室内的真空度至少达到7.9×10-6mbar。步骤3，向真空室内充入至少一种放电介质气体，使真空室内的真空度达到2.8x10-3mbar～5.0x10-3mbar；放电介质气体可以为氮气、氩气或氧气。步骤4，在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在玻璃基板上形成陶瓷TiOX基层；形成陶瓷TiOX基层时，其阴极类型选用交流旋转双靶。当陶瓷TiOX基层在氩氧气氛中形成时，氩气和氧气的体积比例为90：10～70：30。为了确保LOW-E玻璃的折射率至少大于2.5，上述的陶瓷TiOX基层选用陶瓷TiO2基层。步骤5，在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在陶瓷TiOX基层上形成底层阻挡保护层；形成底层阻挡保护层时，其阴极类型选用直流平靶；其中的底层阻挡保护层优选选用质量比例为80：20的镍镉组成。步骤6，在纯氩气氛中，在底层阻挡保护层上依次沉积上铜层和银层；在镀铜层和镀银层时，两个的阴极类型均选用直流平靶。铜层的设置可以消除由于玻璃基板颜色偏绿致使室外反射色发绿和发黄的问题，在室外面颜色基本不变的情况下，透过色普遍更加接近中性；同时铜层的引入可以降低镀银层的厚度，从而降低了生产成本。步骤7，在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在银层上形成顶层阻挡保护层；形成顶层阻挡保护层时，其阴极类型选用交流旋转双靶。底层阻挡保护层和顶层阻挡保护层均采用质量比例为80：20的镍镉组成。步骤8，在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在顶层阻挡保护层上形成底层电介质层；形成底层电介质层时，其阴极类型选用交流旋转双靶；当底层电介质层在氩氧气氛中形成时，氩气和氧气的比例为90：10～70：30。底层电介质层为陶瓷TiOX基层。步骤9，在氮氩气氛中，采用SiAl靶溅射方法在底层电介质层上形成顶层电介质层，形成顶层电介质层时，其阴极类型选用交流旋转双靶；氮氩气氛中的氩气和氮气的体积比例为30：70～40：60；顶层阻挡保护层采用质量比例为80：10的硅铝组成。上述的陶瓷TiOX基层、底层阻挡保护层、铜层、银层、顶层阻挡保护层、底层电介质层和顶层电介质层均在溅射气压为2.0x10-2mbar～3.0x10-4mbar的气氛形成。在本专利技术的一个实施例中，优选陶瓷TiOX基层的厚度为15nm～25nm，底层阻挡保护层的厚度为3.5nm～15nm，铜层的厚度为4nm～7nm、银层的厚度为4nm～7nm、顶层阻挡保护层的厚度为3.5nm～15nm、底层电介质层的厚度为15nm～20nm和顶层电介质层的厚度为15nm～55nm。陶瓷TiOX基层、底层阻挡保护层、铜层、银层、顶层阻挡保护层、底层电介质层和顶层电介质层均采用交流电依次溅射于玻璃基板上。上述的玻璃基板优先选用6MM钠钙硅酸盐浮法玻璃。在玻璃基板上设置的陶瓷TiOX基层使LOW-E玻璃的折射率至少可以达到2.5；陶瓷TiOX基层上镀的底层阻挡保护层可以对陶瓷TiOX基层起保护作用的同时，还可以提高铜层的附着力。通过该方法生产的LOW-E玻璃的可见光透过率为50％～65﹪，可见光玻璃面反射率为10％～20％，可见光玻璃面色坐标a*为-3.5～-2.0，可见光玻璃面色坐标b*为-2～-7.5，可见光透过色坐标a*为-1.1～-0.1，可见光透过色坐标b*为0.5～1.2。下面结合具体的多个实施例对本方法生产的LOW-E玻璃的光学性能进行说明：镀膜时，选用6mm钠钙硅酸盐浮法玻璃进行镀膜，镀膜设备选用2540系列建筑平板玻璃双端连续式镀膜机，同时选用交流溅射供电柜对每个溅射靶材的最大输出功率为120KW。实施例1表1本实施例镀膜玻璃靶位分布及镀膜工艺参数采用本实施例的方法生产的LOW-E玻璃光学性能如下：可见光透过率T＝60.1﹪；可见光玻璃面反射率11.5﹪；可见光玻璃面色坐标a*＝-2.2；可见光玻璃面色坐标b*＝-7.2；可见光透过色坐标a*＝-0.44；可见光透过色坐标b*＝-1.17。实施例2表2为本实施例镀膜玻璃靶位分布及镀膜工艺参数采用本实施例的方法生产的LOW-E玻璃光学性能如下：可见光透过率T＝51.5﹪；可见光玻璃面反射率18.15﹪；可见光玻璃面色坐标a*＝-3.05；可见光玻璃面色坐标b*＝-2.95；可见光透本文档来自技高网...

【技术保护点】
真空磁控溅射生产LOW‑E玻璃的方法，其特征在于，包括以下步骤：将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；对所述真空室抽真空处理，使真空室内的真空度至少达到7.9×10‑6mbar；向所述真空室内充入至少一种放电介质气体，使真空室内的真空度达到2.8x10‑3mbar～5.0x10‑3mbar；在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在所述玻璃基板上形成陶瓷TiOX基层；在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在所述陶瓷TiOX基层上形成底层阻挡保护层；在纯氩气氛中，在底层阻挡保护层上依次沉积上铜层和银层；在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在所述银层上形成顶层阻挡保护层；在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在所述顶层阻挡保护层上形成底层电介质层；在氮氩气氛中，采用SiAl靶溅射方法在所述底层电介质层上形成顶层电介质层。

【技术特征摘要】
1.真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法，其特征在于，包括以下步骤：将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；对所述真空室抽真空处理，使真空室内的真空度至少达到7.9×10-6mbar；向所述真空室内充入至少一种放电介质气体，使真空室内的真空度达到2.8x10-3mbar～5.0x10-3mbar；在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在所述玻璃基板上形成陶瓷TiOX基层；在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在所述陶瓷TiOX基层上形成底层阻挡保护层；在纯氩气氛中，在底层阻挡保护层上依次沉积上铜层和银层；在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在所述银层上形成顶层阻挡保护层；在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在所述顶层阻挡保护层上形成底层电介质层；在氮氩气氛中，采用SiAl靶溅射方法在所述底层电介质层上形成顶层电介质层；所述底层阻挡保护层和所述顶层阻挡保护层均采用质量比例为80：20的镍铬组成；所述底层电介质层为陶瓷TiOX层；所述顶层电介质层为采用质量比例为90：10的硅铝组成；所述陶瓷TiOX基层的厚度为15nm～25nm，底层阻挡保护层的厚度为3.5nm～15nm，铜层的厚度为4nm～7nm、银层的厚度为4nm～7nm、顶层阻挡保护层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺强，
申请(专利权)人：中建材内江玻璃高新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51