【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于触摸屏的ITO膜，属于电子屏幕的
技术介绍
ITO（Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物），作为一种典型的N型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。制备ITO镀膜的方法有很多，一般为ITO粉体通过气相沉积法将ITO沉积到玻璃、金属等基体表面，形成一薄膜层。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本技术的目的在于提供一种有利于工业化、连续化生产的需要的用于触摸屏的ITO膜。为了达到上述目的，本技术采用如下技术方案：一种用于触摸屏的ITO膜，该膜包括透明基体和镀覆在所述透明基体上的膜层，所述膜层包括自透明基体上表面依次向上排列的底层、中间层和第一面层。所述底层、中间层和第一面层均为单层结构。所述透明基体的厚度为50-188μm，所述透明基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚亚胺。所述底层为SiO2或Al2O3；所述中间层为Si3N4或Nb2O5；所述第一面层为ITO层。本技术的有益效果：本技术率先采用真空磁控溅射法制备柔性ITO薄膜，通过磁控溅射将ITO薄膜沉积在柔性基体上，再通过贴合等技术至基体上。由此方法制备的ITO薄膜不仅附着力好，性能优异，而且有利于工业化连续生产，大大提高了生产效率，为工业化生产的首选。 附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术进行详细说明：一种用于触摸屏的ITO膜，该膜包括透明基体1和镀覆在所述透明基体上的膜层，所述膜层...
【技术保护点】
一种用于触摸屏的ITO膜，该膜包括透明基体（1）和镀覆在所述透明基体上的膜层，其特征在于：所述膜层包括自透明基体（1）上表面依次向上排列的底层（2）、中间层（3）和第一面层（4），所述底层（2）为SiO2或Al2O3；所述中间层（3）为Si3N4或Nb2O5；所述第一面层（4）为ITO层。
【技术特征摘要】
1.一种用于触摸屏的ITO膜，该膜包括透明基体（1）和镀覆在所述透明基体上的膜层，其特征在于：所述膜层包括自透明基体（1）上表面依次向上排列的底层（2）、中间层（3）和第一面层（4），所述底层（2）为SiO2或Al2O3；所述中间层（3）为Si3N4或Nb2O5；所述第一面层（4）为ITO层...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈国阳，
申请(专利权)人：南昌欧菲光科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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