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本发明公开了真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法，其包括以下步骤：将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；使真空室内的真空度至少达到7.9×10-6mbar；向真空室内充入放电介质气体，使真空室内的真空度达到2.8x10-3mbar...该专利属于中建材（内江）玻璃高新技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中建材（内江）玻璃高新技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开了真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法，其包括以下步骤：将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；使真空室内的真空度至少达到7.9×10-6mbar；向真空室内充入放电介质气体，使真空室内的真空度达到2.8x10-3mbar...