磁控溅射镀膜设备制造技术

本发明专利技术涉及一种磁控溅射镀膜设备，包括基板运载装置、镀膜工艺室和主控制器，所述镀膜工艺室包括依次连接的进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、出缓冲室、出过渡室和出片室，所述溅射区包括至少两组溅射室，每组溅射室之间设置有缓冲区，每组溅射室包括相邻设置的两个溅射室；通过设置多组溅射区，每组溅射区包括两个溅射室，大大的增加了溅射材料的存储容量，同时可以在不同的溅射区放置不同的溅射材料实现多层膜的喷涂，并通过缓冲区实现溅射区的隔离，不同的溅射材料不会彼此渗入产生污染；可以有效的延长溅射材料的使用时间，并且可以喷涂多种材料，提高了生产效率，减少了人工操作，喷涂效果好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁控溅射领域，特别是涉及一种磁控溅射镀膜设备。
技术介绍
光电玻璃是电子信息应用的重要材料之一，在光电玻璃表面镀制各种膜层是液晶显示器制造的基础，其中高性能的透明导电ITO(氧化铟锡)膜层是液晶显示器制造的重要环节。目前，在光电玻璃镀膜的主导方式是磁控溅射，传统的磁控溅射过程中，由于磁控溅射镀膜设备本身的限制，溅射室容量有限，可以装载的溅射材料也非常有限，材料更换周期短，并且一套磁控溅射镀膜设备只能喷涂一种材料。溅射材料不足时会导致膜层的导电性差、均匀性不一致等问题，频繁的更换材料会增加操作人员的工作量，同时当更换材料时由于设备需新启动、重新抽真空等操作，当需要喷涂多种材料时需多套设备来实现，使得生产效率不够高，整个镀膜系统不够智能。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种磁控溅射镀膜设备，可以有效的延长溅射材料的使用时间，并且可以喷涂多种材料，提高了生产效率，减少了人工操作，喷涂效果好。一种磁控溅射镀膜设备，包括：基板运载装置、镀膜工艺室和主控制器，所述镀膜工艺室包括依次连接的进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、出缓冲室、出过渡室和出片室，所述溅射区包括至少两组溅射室，每组溅射室之间设置有缓冲区，每组溅射室包括相邻设置的两个溅射室，所述基板运载装置包括导轨，所述导轨设置在所述镀膜工艺室内，所述主控制器控制所述基板在所述导轨上运动以通过所述镀膜工艺室实现镀膜，所述进片室、进过渡室、进缓冲室、缓冲室、出缓冲室、出过渡室、出片室和各溅射室分别连接所述主控制器。在其中一个实施例中，所述基板运载装置包括基板上片区和基板下片区，所述基板上片区连接所述进片室，所述基板下片区连接所述出片室，依次连接的所述基板上片区、进片室、进过渡室和进缓冲室之间分别设置有可控门，依次连接的所述基板下片区、出片室、出过渡室和出缓冲室之间分别设置有可控门，所述可控门上分别设置有用于控制所述可控门的门阀，所述门阀连接所述主控制器。在其中一个实施例中，所述进片室、进过渡室、进缓冲室、出片室、出过渡室和出缓冲室内分别设置有温度传感器和气压传感器，所述温度传感器和气压传感器分别连接所述主控制器，所述主控制器根据所述温度传感器和气压传感器采集的信息控制所述门阀以开启或关闭所述可控门。在其中一个实施例中，所述进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、缓冲室、出缓冲室、出过渡室和出片室内均设置有多个用于检测基板是否到达相应位置的红外感应探头，所述红外感应探头连接所述主控制器。在其中一个实施例中，所述进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、缓冲室、出缓冲室、出过渡室和出片室内均设置有用于对所述基板进行加热的加热装置。在其中一个实施例中，各所述溅射室内均设置有溅射材料包，不同组的所述溅射室的溅射材料包内的溅射材料相同。在其中一个实施例中，各所述溅射室内均设置有溅射材料包，不同组的所述溅射室的溅射材料包内的溅射材料不同。在其中一个实施例中，所述基板运载装置还包括运载车，所述主控制器通过控制所述运载车，带动所述基板在所述导轨上运动以通过所述镀膜工艺室实现磁控溅射镀膜，所述主控制器控制所述运载车在所述进片室、进过渡室、进缓冲室、缓冲室、出缓冲室、出过渡室和出片室的运动速度大于在溅射区运动的速度。在其中一个实施例中，所述导轨形成闭合回路。在其中一个实施例中，所述基板上片区和基板下片区分别设置有用于上料和下料的机械手，所述机械手连接所述主控制器。上述磁控溅射镀膜设备，包括基板运载装置、镀膜工艺室和主控制器，所述镀膜工艺室包括依次连接的进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、出缓冲室、出过渡室和出片室，所述溅射区包括至少两组溅射室，每组溅射室之间设置有缓冲区，每组溅射室包括相邻设置的两个溅射室；通过设置多组溅射区，每组溅射区包括两个溅射室，大大的增加了溅射材料的存储容量，同时可以在不同的溅射区放置不同的溅射材料实现多层膜的喷涂，并通过缓冲区实现溅射区的隔离，不同的溅射材料不会彼此渗入产生污染；可以有效的延长溅射材料的使用时间，并且可以喷涂多种材料，提高了生产效率，减少了人工操作，喷涂效果好。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。图1是一实施例中磁控溅射镀膜设备的结构图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。参见图1，图1是一实施例中磁控溅射镀膜设备的结构图。在本实施例中，该磁控溅射镀膜设备包括：基板运载装置、镀膜工艺室20和主控制器30，所述镀膜工艺室20包括依次连接的进片室21、进过渡室22、进缓冲室23、溅射区、出缓冲室27、出过渡室28和出片室29，所述溅射区包括至少两组溅射室，如第一组溅射室24和第二组溅射室26，每组溅射室之间设置有缓冲区25，每组溅射室包括相邻设置的两个溅射室，如第一组溅射室24包括溅射室241和溅射室242，第二组溅射室26包括溅射室261和溅射室262，所述基板运载装置包括导轨11，所述导轨11设置在所述镀膜工艺室20内，所述主控制器30控制所述基板在所述导轨11上运动以通过所述镀膜工艺室20实现镀膜，所述进片室21、进过渡室22、进缓冲室23、缓冲室25、出缓冲室27、出过渡室28、出片室29和各溅射室分别连接所述主控制器30。该基板的材料可以为塑料、玻璃、金属，在对基板进行磁控溅射镀膜需要在高真空的环境中进行，但基板不能直接进出高真空的溅射室，需要依次进入真空度依次升高的进片室21、进过渡室22和进缓冲室23，以及依次离开真空度依次降低的出缓冲室27、出过渡室28和出片室29，进片室21、进过渡室22、进缓冲室23，出缓冲室27、出过渡室28和出片室29彼此独立均为一个封闭的空间。进片室21在工作之前为大气压状态，同时对进过渡室22和进缓冲室23进行抽真空处理，使其气压分别达到不同的预设气压阈值，即真空度达到预设标准，当基板进入进片室21后，通过真空泵将进片室21抽至一定的真空度，当其气压达到进过渡室22的真空度时，控制基板进入进过渡室22，并继续对进过渡室22进行抽真空处理，当其气压达到进缓冲室23的气压时，控制基板进入进过渡室23。进缓冲室23、缓冲室25、出缓冲室27和溅射区为相通的区域，基板经过进缓冲室23后直接进入溅射区进行镀膜处理，在基板进入镀膜工艺室20之前，先将缓冲室23、缓冲室25、出缓冲室27和溅射区进行抽真空处理，使其处于高真空状态，基板在该高真空状态下进行磁控溅射镀膜。上述镀膜工艺室20的溅射区包括至少两组溅射室24、26，每组溅射室之间通过缓冲室25进行隔离，缓冲室25能将正在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射镀膜设备，其特征在于，包括：基板运载装置、镀膜工艺室和主控制器，所述镀膜工艺室包括依次连接的进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、出缓冲室、出过渡室和出片室，所述溅射区包括至少两组溅射室，每组溅射室之间设置有缓冲区，每组溅射室包括相邻设置的两个溅射室，所述基板运载装置包括导轨，所述导轨设置在所述镀膜工艺室内，所述主控制器控制所述基板在所述导轨上运动以通过所述镀膜工艺室实现镀膜，所述进片室、进过渡室、进缓冲室、缓冲室、出缓冲室、出过渡室、出片室和各溅射室分别连接所述主控制器。

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射镀膜设备，其特征在于，包括：基板运载装置、镀膜工艺室和主控制器，所述镀膜工艺室包括依次连接的进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、出缓冲室、出过渡室和出片室，所述溅射区包括至少两组溅射室，每组溅射室之间设置有缓冲区，每组溅射室包括相邻设置的两个溅射室，所述基板运载装置包括导轨，所述导轨设置在所述镀膜工艺室内，所述主控制器控制所述基板在所述导轨上运动以通过所述镀膜工艺室实现镀膜，所述进片室、进过渡室、进缓冲室、缓冲室、出缓冲室、出过渡室、出片室和各溅射室分别连接所述主控制器。2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述基板运载装置包括基板上片区和基板下片区，所述基板上片区连接所述进片室，所述基板下片区连接所述出片室，依次连接的所述基板上片区、进片室、进过渡室和进缓冲室之间分别设置有可控门，依次连接的所述基板下片区、出片室、出过渡室和出缓冲室之间分别设置有可控门，所述可控门上分别设置有用于控制所述可控门的门阀，所述门阀连接所述主控制器。3.根据权利要求2所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述进片室、进过渡室、进缓冲室、出片室、出过渡室和出缓冲室内分别设置有温度传感器和气压传感器，所述温度传感器和气压传感器分别连接所述主控制器，所述主控制器根据所述温度传感器和气压传感器采集的信息控制所述门阀以开启或关闭所述可控门。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：易伟华，张迅，张伯伦，
申请(专利权)人：江西沃格光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36