本发明揭示一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法，利用于主溅射进行之前先进行两次具有不同工艺参数的预溅射，以此达到稳定靶材状况的效果。本发明的形成薄膜的方法可在基板上形成氮化铝薄膜，而此氮化铝薄膜可用于电子装置中位于基板与氮化镓层之...

本实用新型提出了一种密封结构。该密封结构用于密封半导体设备的卡盘和托盘。所述托盘用于承载待加工件，所述卡盘用于承载托盘，其特征在于，所述密封结构包括设置在所述卡盘和托盘之间的外密封圈和内密封圈，所述外密封圈布置在所述卡盘和托盘的边缘，所...

本发明提供一种连接装置和升降机构，通过在直线轴承套筒的第一法兰上开设第一通孔，将连接立柱的第二端穿过第一通孔，并与第一通孔间隙配合，并利用紧固件将连接立柱的第二端与第一法兰紧固连接，使得实际起到连接作用的连接立柱的长度可灵活调节，从而灵...

本发明公开了一种承载装置及预清洗腔室，该承载装置包括用于承载待处理工件的顶板，所述顶板包括中心件以及环绕在所述中心件周围的环形件，且所述中心件与所述环形件相互绝缘；通过分别向所述中心件和环形件加载不同的负偏压，使所述待处理工件在其径向上...

本发明提供了一种用于蚀刻半导体衬底上的氧化物的方法，包括：用第一催化气体和HF对所述氧化物进行第一气相蚀刻；用第二催化气体和HF对所述氧化物进行第二气相蚀刻。其中，所述第一催化气体是醇类气体，第二催化气体是氨气。进一步地，所述醇类气体包...

公开了一种射频自动阻抗匹配器及半导体设备。所述射频自动阻抗匹配器可包括：射频传感单元，其采集射频传输线上的电压信号和电流信号，并将运算和转换后的多个数字信号输出到控制单元；控制单元，其连接到所述射频传感单元，接收所述射频传感单元的多个数...

本发明提供一种托盘调平机构、反应腔室及半导体加工设备，托盘设置在反应腔室内，用于承载被加工工件，在托盘的底部设置有用于驱动托盘旋转的旋转轴，旋转轴的下端自反应腔室的底部延伸至反应腔室之外，托盘调平机构包括传感器和调平组件，其中，传感器设...

本发明公开了一种传输腔室的压力控制方法及控制系统，方法包括以下步骤：获取传输腔室内的当前压力值；对比传输腔室内的当前压力值与目标压力值；通过传输腔室压力值与进气阀的进气量和抽气阀的抽气量之间的对应关系，同时控制进气阀的进气量和抽气阀的抽...

公开了一种磁控管及磁控溅射系统。所述磁控管可以包括内磁极和外磁极，所述外磁极围绕所述内磁极，所述外磁极与所述内磁极的磁极方向相反，其特征在于，所述磁控管还包括：辅助磁组，所述辅助磁组包括多个磁柱，所述多个磁柱的磁极方向与所述磁控管的磁极...

本发明实施例提供了一种刻蚀机的晶圆传送方法，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述方法包括：当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室...

本发明提供一种加热腔室及半导体加工设备，在加热腔室内设置有介质窗，用以将加热腔室分隔形成上子腔室和下子腔室，其中，在下子腔室内设置有承载部件，承载部件包括用于承载基片的承载面，在上子腔室内设置有多个加热灯，用于透过介质窗朝向承载面辐射热...

本发明提供一种内衬、反应腔室及半导体加工设备，用于保护反应腔室的侧壁和底部腔室壁不被等离子体刻蚀，底部腔室壁接地。内衬包括内衬本体、环形约束层和环形接地层，其中，环形约束层环绕设置在内衬本体的内侧壁上，且低于、并靠近对被加工工件进行工艺...

本发明提供一种外延反应腔和化学气相外延设备。该外延反应腔包括腔体，还包括依次套设在腔体外侧的加热件和保护件，加热件用于对腔体进行加热，保护件能耐受设定的压力，以防止腔体内的工艺气体泄漏。该外延反应腔使加热件更加靠近腔体，从而大大降低了加...

本发明提供了一种磁控管组件及磁控溅射设备。该磁控管组件包括安装背板和多个磁体组件，多个磁体组件按照预设排列方式安装在所述安装背板上，安装背板包括多个子安装背板；相邻两个子安装背板采用固定件进行可拆卸固定安装。本发明提供的磁控管组件，能够...

本发明实施例提供了一种设备上物料的传输方法和装置，其中，所述的方法包括：确定设备上物料传输的起始节点和终止节点；判断所述起始节点和终止节点之间是否存在必经节点；若是，则依据所述必经节点，起始节点和终止节点计算传输路径；若否，则采用所述起...

本发明提供一种半导体设备前端处理装置。该半导体设备前端处理装置包括微环境提供腔室，用于为置于其中的基片提供均匀气流环境，微环境提供腔室的一端开设有气流入口，还包括吹扫机构，吹扫机构连接在气流入口，用于向微环境提供腔室内输入吹扫气流。该半...

本发明提供的基座组件及反应腔室，其包括基座本体和压环，基座本体包括用于承载晶片的承载面，并且在基座本体内设置有背吹管路，用以向承载面与晶片下表面之间的间隙输送热交换气体。压环压住晶片上表面的边缘区域，以将晶片固定在基座本体上，并且，基座...

本发明提供一种下电极装置、半导体加工设备及残余电荷释放方法。该下电极装置包括静电卡盘、直流电源、顶针和电流测量装置，所述静电卡盘用于支撑、固定被加工件；所述直流电源与所述静电卡盘电连接，用以向所述静电卡盘提供静电吸附的能量；所述顶针包括...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括上电极装置和下电极装置，该下电极装置设置在反应腔室内，用于承载晶片。上电极装置包括介质筒、线圈、上功率电源和上电极组件，其中，介质筒设置在反应腔室的顶部；线圈环绕设置在介质筒的外围；上电极组件...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括上电极装置和下电极装置，该下电极装置设置在反应腔室内，用于承载晶片。上电极装置包括介质筒、线圈、上功率电源、上电极板、第一选择开关和第二选择开关，其中，介质筒设置在反应腔室的顶部；线圈围绕介质...