The present invention provides an epitaxial reaction cavity and a chemical vapor phase epitaxy device. The epitaxial reaction chamber includes a cavity, and a heating element and a protective part which are sequentially sleeved on the outer side of the cavity. The heating element is used for heating the cavity, and the protective part can bear the pressure set, so as to prevent the leakage of process gas in the cavity. The extension of the heating component is more close to the reaction cavity cavity, thereby greatly reducing the heat loss of the heating process, the heating of the cavity to improve heating efficiency; protection can withstand the pressure setting, the protection is not easily damaged under set pressure, thereby preventing the process gas cavity leak, at the same time ensure process safety epitaxial reaction chamber.
【技术实现步骤摘要】
一种外延反应腔和化学气相外延设备
本专利技术涉及半导体器件制备
,具体地,涉及一种外延反应腔和化学气相外延设备。
技术介绍
在半导体器件的制备过程中,半导体薄膜的厚度、掺杂、缺陷密度等都严重影响着器件的性能。化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition,简称CVD)外延是借助空间气相化学反应在衬底表面沉积固态薄膜的一种气相外延生长技术,利用该方法可以较为精确地控制薄膜的厚度、组分及其结构,并且得到的外延薄膜的质量较高,同时能够保证较快的生长速率,因此CVD方法是目前工业制作半导体电学器件产品的常用方法。CVD外延薄膜生长过程主要包括以下几个步骤:(1)反应气体分子随载气以一定流量输运至反应室内;(2)反应气体分解形成中间态;(3)气流中的反应气体分子和中间态扩散到衬底上;(4)反应气体分子进一步吸附在衬底表面上;(5)生长层的表面发生化学反应,生成外延薄膜和副产物分子;(6)副产物分子向外扩散,从而脱离表面吸附;(7)副产物分子进入输运气体被带出。目前Si基半导体器件处在微电子领域的统治地位。随着电子技术的发展,人们对超高频和高性能光电子器件的需求日益迫切,但由于Si本身的性质限制了其在超高频、超高温、大功率和强辐射环境等极端条件下的应用。以SiC为代表的宽带隙半导体材料与Si相比,在工作温度、抗辐射和耐击穿电压等性能方面具有明显的优势。作为目前发展最为成熟的宽带隙半导体材料,SiC具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、低介电常数和高键合能等优点,其优异性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率以及抗辐射的新要求,因而被看 ...
【技术保护点】
一种外延反应腔,包括腔体,其特征在于,还包括依次套设在所述腔体外侧的加热件和保护件,所述加热件用于对所述腔体进行加热,所述保护件能耐受设定的压力,以防止所述腔体内的工艺气体泄漏。
【技术特征摘要】
1.一种外延反应腔,包括腔体,其特征在于,还包括依次套设在所述腔体外侧的加热件和保护件,所述加热件用于对所述腔体进行加热,所述保护件能耐受设定的压力,以防止所述腔体内的工艺气体泄漏。2.根据权利要求1所述的外延反应腔,其特征在于,还包括隔热管,所述隔热管套设在所述腔体外侧,所述加热件和所述保护件依次套设在所述隔热管外侧,所述隔热管用于阻隔所述腔体内的热量向所述腔体外扩散。3.根据权利要求1所述的外延反应腔,其特征在于,所述保护件采用无磁不锈钢材质;所述保护件能耐受的设定的压力范围为50-200mbar。4.根据权利要求1所述的外延反应腔,其特征在于,所述保护件包括外层管和内层管,所述外层管和内层管相互嵌套,且所述外层管和内层管之间形成有第一中空夹层,所述第一中空夹层中用于通入循环去离子水。5.根据权利要求1所述的外延反应腔,其特征在于,所述保护件与所述加热件之间形成有第二中空夹层,所述第二中空夹层的间隙尺寸范围为10-100mm。6.根据权利要求1所述的外延反应腔,其特征在于,所述加热件包括电感线圈,所述保护件包括密封管。7.根据权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙伟,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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