本发明提供了一种半导体制造设备及其操作方法。所述半导体制造设备包括反应室、支撑件与衬层。反应室用于等离子体工艺，并且具有室壁。支撑件固定晶圆於反应室內。衬层围绕支撑件，并且具有顶侧与底侧，顶侧可拆卸地挂在该室壁上，而底侧则具有多个气体通...

本发明公开了一种产生脉冲等离子体的方法及其等离子体设备，通过脉冲电源向反应腔室输出功率,以产生脉冲等离子体，所述方法包括以下步骤：所述脉冲电源输出第一脉冲信号，所述第一脉冲信号的功率为P1，持续时间为T1；所述脉冲电源输出第二脉冲信号，...

本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括腔体和射频电源，腔体接地，内衬套设在腔体内侧，且与腔体连接，射频电源用于向腔体内施加射频功率，以进行等离子体处理，射频功率经过等离子体与接地的腔体形成射频通路，还包括接地阻抗调节单元...

本发明提供的绝缘环、预清洗腔室及半导体加工设备，其应用在预清洗腔室中，在该预清洗腔室内设置有基座，该基座包括用于承载晶片下表面的中心区域的第一承载面。绝缘环设置在基座上，且环绕在第一承载面的边缘处。绝缘环包括环形本体，该环形本体具有第二...

本发明提供一种阻抗匹配方法、阻抗匹配器及半导体加工设备。阻抗匹配方法包括以下步骤：步骤S1，获取驱动机构的第一调节量；步骤S2，调节驱动机构的位置；步骤S3，获取驱动机构的实际位置；步骤S4，判断驱动机构的实际位置是否到达期望位置，若否...

本发明提供了一种数据更新方法及系统、半导体设备，该方法包括以下步骤：预先设置配置文件，所述配置文件中定义有所有数据类型对应的更新事件；读取所述配置文件来订阅所述更新事件；在任一所述数据类型需要更新时触发所述更新事件进行数据更新。本发明提...

本发明实施例提供了一种日志的记录方法和装置，其中的方法包括：确定应用程序的第一日志记录级别；确定所述应用程序中功能模块的第二日志记录级别；其中，所述第二日志记录级别通过控制系统的上位机设置得到；在所述第二日志记录级别低于所述第一日志记录...

本申请提供了一种生成XML日志的方法和装置，该方法包括：接收创建顶层日志节点的指令，创建与指令对应的顶层日志节点，顶层日志节点包括顶层日志节点的内容和xml节点；接收创建子日志节点的指令，创建与创建子日志节点的指令对应的子日志节点，子日...

本发明提供的机械卡盘，其包括用于承载晶片的基座以及卡环组件，卡环组件包括卡环、绝缘环和遮挡环，其中，卡环用于固定晶片。绝缘环设置在卡环上，用于支撑遮挡环，遮挡环用于遮挡卡环的上表面。卡环包括环状本体，该环状本体采用绝缘材料制作；在环状本...

本发明提供一种半导体处理装置。该半导体处理装置包括射频电源、阻抗匹配单元和处理腔室，射频电源连接阻抗匹配单元，用于将射频能量传输至处理腔室；阻抗匹配单元连接处理腔室，用于对处理腔室的阻抗和射频电源的阻抗进行匹配，阻抗匹配单元包括切换元件...

本发明实施例提供了一种数据库的XML Schema约束文件生成方法和装置，其中的方法包括：确定节点数据模型，所述节点数据模型包括：节点名、节点级别、节点数量限制、节点数据类型、是否允许为空和节点顺序；根据所述节点数据模型确定节点实例，所...

本发明提供一种上电极组件及反应腔室，其包括线圈，在该线圈上设置有功率馈入点，该功率馈入点位于线圈的除端点之外的位置处，且线圈的端点接地，以将线圈自功率馈入点形成相互并联的多个线圈分部。本发明提供的反应腔室，其可以减小线圈上存在的电位分布...

本发明提供了一种阻抗匹配系统及方法。本发明提供的阻抗匹配系统包括阻抗匹配器，分别与连续波射频电源和反应腔室相连，用于自动对连续波射频电源输出阻抗和反应腔室的输入阻抗进行阻抗匹配；选择开关和负载电路，选择开关用于使连续波射频电源选择性地与...

本发明提供的匹配装置、匹配方法及半导体加工设备，包括匹配器、固定负载和控制装置，匹配器用于使射频电源的输出阻抗与反应腔室的输入阻抗相匹配；固定负载的阻抗与射频电源的输出阻抗相等；控制装置用于按预设时序在匹配模式与固定模式之间进行切换，以...

本发明提供一种进气机构及预清洗腔室。本发明的进气机构包括盖板和保护板，其中，在盖板中设置有进气通道，该进气通道与气源连接；在盖板和保护板之间设置有缓冲腔；在保护板中设置有出气口；气源提供的工艺气体依次通过进气通道、缓冲腔和出气口进入工艺...

本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑...

一种半导体设备以及半导体设备的阻抗调节方法。该半导体设备包括多个腔室，各腔室包括被配置为承载基片的基座，至少一个腔室设置有阻抗调节电路，阻抗调节电路被配置为调节对应腔室的基座与接地端之间的阻抗，以使多个腔室的所述阻抗保持一致。由此，该半...

本发明提供一种静电卡盘，其包括底座、设置在所该底座上的加热层及设置在该加热层上的绝缘层，在底座与绝缘层之间，且环绕在加热层的外周壁上设置有环状保护部件，该环状保护部件采用抗等离子体腐蚀的弹性材料制作，且环状保护部件在底座与绝缘层之间处于...

本发明提供一种等离子体腔室和用于物理气相沉积的预清洗设备。本发明公开的等离子体腔室包括腔体、等离子体发生器、以及设置于腔体内用于支撑被加工工件的基座；还包括等离子体调节装置，等离子体调节装置设置在基座上方；且当工艺时，等离子体调节装置的...

本发明提供的反应腔室的下电极机构及反应腔室，其包括用于承载被加工工件的基座，以及设置在基座下方的下电极腔，该下电极腔包括相互隔离的电磁屏蔽空间和非电磁屏蔽空间，二者分别通过贯穿下电极腔的腔体与反应腔室的侧壁的第一引入通道和第二引入通道与...