本发明提供的表面波等离子体加工设备，其包括微波传输机构、天线机构和反应腔室，其中，天线机构包括天线腔体、介质板、缝隙板和滞波板组。该天线腔体设置在反应腔室顶部。滞波板组、缝隙板和介质板由上而下依次内嵌在天线腔体内。微波传输机构用于向滞波...

本发明公开了一种工艺顺序控制方法和装置。所述方法包括：对预插队处理的第二工艺设置执行属性的属性级别，比较当前处理的第一工艺和预插队处理的第二工艺的执行属性的属性级别，若所述第二工艺的属性级别高于所述第一工艺的属性级别，则进一步判断预插队...

本发明提供的旋转基座的水平度调节机构及半导体加工设备，其包括调平座、多个调平作用杆和多个调平螺钉，其中，调平座用于支撑旋转轴。调平作用杆和调平螺钉一一对应地沿旋转轴的周向对称设置在调平座内，每个调平螺钉竖直设置，且与调平座螺纹连接。每个...

本发明提供一种传输腔室及半导体加工设备，其包括机械手吹扫装置，用于传输被加工工件的机械手在处于闲置状态时，位于传输腔室内的待命位置，且该机械手包括用于承载被加工工件的承载面，以及环绕在该承载面周边的边缘区域。机械手吹扫装置包括多个出气口...

本发明提供了一种半导体工艺处理方法，解决了物料加工失败后处理效率低下的问题，该方法包括：将待处理的物料传输至就绪状态的工艺腔室以执行工艺处理任务；检测所述工艺腔室内的工艺处理任务是否正常结束；当所述工艺处理任务出现异常时，设置相应的工艺...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括腔体、密封板组件、第一密封圈、第二密封圈和第三密封圈，其中，密封板组件与腔体对接形成封闭空间，且在密封板组件与腔体上形成有用于传输晶片的开口，且自靠近该开口的位置依次间隔设置，用以密封开口；第...

本发明提供了一种硬件设备的授权方法和系统,其中，所述方法包括：读取硬件设备对应的硬件信息；采用所述硬件信息和预设的字符集确定所述硬件设备的授权应用对象；采用所述授权应用对象针对所述硬件设备进行授权。本发明适用于所有品牌和类型的硬件设备，...

本发明公开了一种半导体集成加工设备和半导体加工方法。该半导体集成加工设备包括：至少两个工艺室(1)；连通所述工艺室(1)的高温通道(2)，所述高温通道(2)具有保温装置；传输装置，所述传输装置包括传输部(31)和驱动部(32)，所述驱动...

本发明提供一种聚焦环和等离子体处理装置。该聚焦环围设在处理腔室中用于承载基片的基台外侧，包括第一环形台阶面和第二环形台阶面，第一环形台阶面和第二环形台阶面均位于聚焦环的面向基片的一侧，第二环形台阶面位于第一环形台阶面的内侧，并低于第一环...

本发明提供一种半导体处理装置。该半导体处理装置包括反应腔、下电极、射频电源和阻抗匹配器，射频电源通过阻抗匹配器连接至位于反应腔内的下电极，还包括相位调节元件，相位调节元件串联于射频电源和阻抗匹配器之间，用于调节阻抗匹配器的输入阻抗，使其...

本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，其包括腔室主体，在该腔室主体内设置有基座，该基座包括用于承载待加工工件的承载面，并且磁性薄膜沉积腔室还包括偏置磁场装置，该偏置磁场装置包括第一磁体组，该第一磁体组设置在基座的下方，用于在基座...

本发明提供一种顶针机构及预清洗腔室，其应用在预清洗腔室中，包括至少三个顶针、安装架、安装法兰、绝缘垫块和绝缘螺钉，其中，安装架位于预清洗腔室内，且通过安装法兰与预清洗腔室底部的腔室壁固定连接；至少三个顶针竖直安装在安装架上，用于支撑晶片...

本发明公开了一种深硅刻蚀工艺和深硅刻蚀设备，涉及半导体技术领域，解决了深硅刻蚀过程中单个循环单元的持续时间长，刻蚀形成的沟槽的侧壁的粗糙度大的技术问题。该深硅刻蚀工艺包括多次重复进行的单个循环单元，所述单个循环单元包括一个沉积步骤和一个...

本发明提供一种阻抗匹配装置和等离子体处理设备。该阻抗匹配装置包括检测控制单元和阻抗匹配单元，检测控制单元用于检测射频电源的阻抗，并控制阻抗匹配单元对射频电源的阻抗和反应腔室内的等离子体阻抗进行匹配，阻抗匹配单元包括阻抗调整组件，检测控制...

本发明实施例提供了一种基于RGA的工艺过程控制方法及工艺过程控制系统，所述系统至少包括机台Tool、残余气体分析仪RGA的传感器RGA SENSOR、RGA的控制器Sensor Controller、工厂主机Fab Host；其中，所述...

本发明提供的反应腔室及半导体加工设备，本发明提供的反应腔室，在反应腔室的一侧设置有进气装置，用于向所述反应腔室内输送工艺气体，在所述反应腔室内设置有第一匀流板，所述第一匀流板和所述进气装置之间形成有气体缓冲区；所述第一匀流板上设置有多个...

本发明提供的反应腔室及半导体加工设备，其包括托盘、基座遮挡板和支撑件，其中，托盘用于承载多个晶片。基座用于承载托盘，且该基座是可升降的，以上升至工艺位置进行工艺，或者下降至装卸位置进行取放托盘的操作。遮挡板在基座位于工艺位置时，置于托盘...

本发明提供一种反应腔室，包括基座、基座升降机构、机械压环和支撑件，其中，基座用于承载晶片。基座升降机构用于驱动基座上升至工艺位置或者下降至装卸位置。机械压环用于在基座位于工艺位置时将晶片固定在基座上。支撑件用于在基座离开工艺位置时支撑机...

本发明提供的晶片支撑组件、反应腔室及半导体加工设备，包括托盘和基座，托盘用于承载多个晶片；基座用于承载托盘，且基座是可升降的，以上升至工艺位置进行工艺，或者下降至装卸位置进行取放托盘的操作。并且在托盘上设置有多个镂空部，各个晶片一一对应...

本发明提供一种法拉第屏蔽件及反应腔室，其包括导电环体，在该导电环体上形成有开缝，该开缝包括第一子开缝，该第一子开缝沿导电环体的圆周方向设置，且与导电环体的轴线之间形成夹角，用以通过增加电磁场在导电环体的圆周方向上的电场分量的耦合效率，来...