The reaction chamber and the semiconductor processing equipment provided by the invention include a tray, a base shield plate and a supporting member, wherein the tray is used for carrying multiple wafers. The base is used for carrying the pallet, and the base is movable, and the process is carried out by raising to the technological position, or dropping to the loading and unloading position to take and remove the tray. In the process the shutter position in the base, on the tray, and a plurality of through holes arranged on the baffle plate, a plurality of wafer and a plurality of through holes on the tray corresponding shielding plate for wafer occlusion tray. The support is used to support the shield plate when the base is away from the process position so as to separate the baffle from the tray. The reaction chamber provided by the invention can avoid the contamination of the wafer surface during the pre cleaning of the wafer.
【技术实现步骤摘要】
反应腔室及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体制造
,具体地,涉及一种反应腔室及半导体加工设备。
技术介绍
半导体加工设备是加工半导体器件的常用设备,其在进行诸如刻蚀、溅射和化学气相沉积等工艺过程中,为了提高产品的质量,在实施沉积工艺之前,首先要对晶片进行预清洗(Preclean),以去除晶片表面的氧化物等杂质。一般的预清洗腔室的基本原理是:将通入清洗腔室内的诸如氩气、氦气或氢气等的清洗气体激发形成等离子体,以对晶片进行化学反应和物理轰击,从而可以去除晶片表面的杂质。另外,在进行工艺的过程中,一般采用基座来支撑和固定晶片等被加工工件,并将其运送至反应腔室中进行加工。为了提高等离子体加工设备的生产效率,降低生产成本,针对处理2寸、4寸或6寸等的小尺寸晶片时,一般将多个晶片同时固定在大尺寸的托盘上,从而实现对多个晶片等被加工工件同时进行工艺。图1为现有的一种用于支撑和固定托盘的结构的俯视图。图2为图1中结构的剖视图。请一并参阅图1和图2,该结构包括压环1、托盘2和基座10,其中,基座10设置在反应腔室内,用于承载托盘2。托盘2用于承载多个晶片3,且多个晶片3沿托 ...
【技术保护点】
一种反应腔室,包括托盘和基座,所述托盘用于承载多个晶片;所述基座用于承载所述托盘,且所述基座是可升降的,以上升至工艺位置进行工艺,或者下降至装卸位置进行取放所述托盘的操作,其特征在于,还包括遮挡板和支撑件,其中,所述遮挡板在所述基座位于所述工艺位置时,置于所述托盘上,且在所述遮挡板上设置有多个通孔,所述多个通孔与所述托盘上的多个晶片一一对应,所述遮挡板用于遮挡所述托盘的无晶片区域;所述支撑件用于在所述基座离开所述工艺位置时,支撑所述遮挡板,以使所述遮挡板与所述托盘相分离。
【技术特征摘要】
1.一种反应腔室,包括托盘和基座,所述托盘用于承载多个晶片;所述基座用于承载所述托盘,且所述基座是可升降的,以上升至工艺位置进行工艺,或者下降至装卸位置进行取放所述托盘的操作,其特征在于,还包括遮挡板和支撑件,其中,所述遮挡板在所述基座位于所述工艺位置时,置于所述托盘上,且在所述遮挡板上设置有多个通孔,所述多个通孔与所述托盘上的多个晶片一一对应,所述遮挡板用于遮挡所述托盘的无晶片区域;所述支撑件用于在所述基座离开所述工艺位置时,支撑所述遮挡板,以使所述遮挡板与所述托盘相分离。2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述托盘采用碳化硅制作。3.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述托盘采用铝合金制作。4.根据权利要求3所述的反应腔室,其特征在于,对所述托盘进行表面硬质阳极氧化处理。5.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室还包括衬环,用于保护所述反应腔室的内壁;所述衬环的下端具有环形支撑部,所述环形支撑...
【专利技术属性】
技术研发人员:李冬冬,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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