反应腔室制造技术

本发明专利技术提供一种反应腔室，包括基座、基座升降机构、机械压环和支撑件，其中，基座用于承载晶片。基座升降机构用于驱动基座上升至工艺位置或者下降至装卸位置。机械压环用于在基座位于工艺位置时将晶片固定在基座上。支撑件用于在基座离开工艺位置时支撑机械压环。机械压环包括由上而下依次设置的遮挡环、压环和定位环，压环用于在基座位于工艺位置时，压住晶片上表面的边缘区域。定位环与支撑件相互配合，以使二者的位置相对固定。遮挡环用于遮挡压环和定位环暴露在反应腔室中的表面。本发明专利技术提供的反应腔室，其不仅可以避免机械压环的温度过高，还可以降低机械压环与基座之间的位置偏差，从而可以使晶片受力均匀，降低了碎片或卡滞的风险。

reaction chamber

The invention provides a reaction chamber, which comprises a base, a base lifting mechanism, a mechanical press ring and a supporting component, wherein the base is used for carrying the wafer. The base lifting mechanism is used to drive the base up to the process position or down to the loading and unloading position. The mechanical ring is used to fix the wafer on the base when the base is in the process position. The support is used to support the mechanical ring when the base is out of the process position. The mechanical press ring comprises a shielding ring, a pressing ring and a positioning ring sequentially arranged from top to bottom, and the pressing ring is used to press the edge area of the upper surface of the wafer when the base is in the process position. The positioning ring and the supporting component are mutually matched so that the positions of the two are relatively fixed. The occlusion ring is used to cover the pressure ring and the ring ring exposed to the surface of the reaction chamber. The reaction chamber is provided by the invention, it can not only avoid the mechanical pressure ring temperature is too high, but also can reduce the position deviation between the mechanical pressure ring and the base, which can make the wafer uniform stress, reduce the risk of debris or seizure.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，具体地，涉及一种反应腔室。
技术介绍
预清洗技术已被广泛地应用在半导体制备工艺中，特别是对于集成电路、硅穿孔等制造工艺。预清洗的目的是去除晶圆表面上的沾污和杂质，以有利于后续沉积工艺的有效进行，保证集成电路器件的整体性能。常用的预清洗腔室通常采取电感耦合等离子体(ICP)加工设备，其基本原理是利用射频电源产生的高压交变电场，将工艺气体(例如氩气、氦气、氢气和氧气等)激发形成等离子体，该等离子体中具有高反应活性或高能量的离子，这些离子通过化学反应或物理轰击作用，对工件表面进行杂质的去除。现有的一种预清洗腔室包括基座、基座升降机构、机械压环和压环支撑柱，其中，基座用于承载晶片；基座升降机构用于驱动基座上升至工艺位置进行工艺，或者下降至装卸位置进行取放片操作。机械压环用于在基座位于工艺位置时利用自身重力将晶片固定在基座上。压环支撑柱包括至少三个，且环绕在基座的周围用于在基座离开工艺位置时支撑机械压环。上述机械压环为单个环体，且具有多个压爪，均匀地压住晶片上表面的边缘区域。但是，在实际应用中，由于基座与机械压环之间会存在安装偏差，导致当压环被基座顶起之后很本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应腔室，包括基座、基座升降机构、机械压环和支撑件，其中，所述基座用于承载晶片；所述基座升降机构用于驱动所述基座上升至工艺位置或者下降至装卸位置；所述机械压环用于在所述基座位于所述工艺位置时将所述晶片固定在所述基座上；所述支撑件用于在所述基座离开所述工艺位置时支撑所述机械压环；其特征在于，所述机械压环包括由上而下依次设置的遮挡环、压环和定位环，其中，所述压环用于在所述基座位于所述工艺位置时，压住所述晶片上表面的边缘区域；所述定位环与所述支撑件相互配合，以使二者的位置相对固定；所述遮挡环用于遮挡所述压环和所述定位环暴露在所述反应腔室中的表面。

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，包括基座、基座升降机构、机械压环和支撑件，其中，所述基座用于承载晶片；所述基座升降机构用于驱动所述基座上升至工艺位置或者下降至装卸位置；所述机械压环用于在所述基座位于所述工艺位置时将所述晶片固定在所述基座上；所述支撑件用于在所述基座离开所述工艺位置时支撑所述机械压环；其特征在于，所述机械压环包括由上而下依次设置的遮挡环、压环和定位环，其中，所述压环用于在所述基座位于所述工艺位置时，压住所述晶片上表面的边缘区域；所述定位环与所述支撑件相互配合，以使二者的位置相对固定；所述遮挡环用于遮挡所述压环和所述定位环暴露在所述反应腔室中的表面。2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述定位环采用金属材料制作，用以作为所述压环的配重，增大所述压环的重量。3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述金属材料包括不锈钢。4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述压环采用金属材料制作。5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，在所述压环暴露在所述反应腔室中的表面喷涂有绝缘材料；或者，在所述压环暴露在所述反应腔室中的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：常大磊，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11