本发明公开了一种半导体工艺控制方法、装置及半导体工艺设备，该方法包括：检测当前腔室状态是否为当前工艺的激活状态，如否，则控制当前腔室状态转变为激活状态；其中，激活状态包括：腔室内气体环境及腔室温度满足当前工艺要求；在当前腔室状态为激活状...

本发明公开了一种压环、反应腔室和半导体加工设备，该压环包括环状本体和沿环状本体周向排布的若干个压爪，其特征在于，还包括设置在压爪底部的弹性部件，弹性部件与若干个压爪一一对应；并且，弹性部件在压环将晶片固定于基座上时产生压缩变形，并与晶片...

本发明提供了一种片盒定位装置，用于对片盒进行定位，片盒定位装置包括安装板，安装板沿预设方向的一端设置有定位销，另一端设置有定位块；片盒底壁下表面上形成有第一空间和第二空间，第一空间的朝向片盒内部的内周壁上设置有与定位销一一对应的凹部，凹...

本公开提供了一种反应腔室以及电容耦合等离子体设备，反应腔室包括底壁、内衬、支撑组件和磁性组件。内衬设置于腔室本体内，包括位于腔室本体底壁上方的底衬；支撑组件设置于被底衬环绕的工艺区域内，用于支撑晶片；磁性组件设置于工艺区域外，用于形成磁...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，在反应腔室的内部设置有基座，且在反应腔室的侧壁内侧设置有内衬，内衬的上端通过反应腔室的侧壁接地。反应腔室还包括边缘环和遮挡环，其中，边缘环环绕在基座的周围，边缘环的下端通过基座接地，且在边缘环的内...

本实用新型提供了一种气体导入装置。本实用新型的气体导入装置，包括导管体和喷嘴，所述导管体固定在所述喷嘴的上表面上，且所述导管体中的气体通道与所述喷嘴中的气体通道相连通，在所述导管体与所述喷嘴的接触面上设置有第一垫片；所述第一垫片用于缓冲...

本发明公开了一种设置静电卡盘电压的方法、装置及半导体加工设备，通过检测是要求使用对应工艺配方中的静电卡盘电压参数值，还是要求使用配置文件中的静电卡盘电压参数值，来设置静电卡盘电压，其中，工艺配方中的静电卡盘电压参数值被设置为根据对应卡盘...

本发明提供一种晶片吸附方法、下电极系统和半导体处理装置。该晶片吸附方法进入主工艺阶段之前包括：将静电卡盘基体接地；向工艺腔室内通入非工艺气体；将工艺腔室内的非工艺气体激发形成等离子体；为静电卡盘电极提供直流电，以使静电卡盘对晶片进行静电...

本发明提供一种片盒驱动机构及装载腔室，包括驱动部和片盒保护部，其中，驱动部用于驱动片盒自水平位置向上倾斜；片盒包括底板和设置在其上的支架和背板，支架用于承载晶片；背板位于支架的一侧，用以在底板倾斜时支撑晶片的边缘。片盒保护部用于在驱动部...

本发明提供一种加热腔室及半导体加工设备，包括加热装置和隔热件，该加热装置包括基座、连接筒和固定座，基座用于承载被加热件，在基座内设置有加热元件；连接筒分别与基座与固定座连接，且位于基座的中心区域；固定座与加热腔室的底部腔室壁连接。隔热件...

本发明公开了一种获取压力规的误差值的方法和装置、压力控制方法和系统，该方法包括以下步骤：1)通过硬件调节的方法使得压力规的输出值比实际值大于m；2)检测压力规的零漂移值；3)比较(零漂移值－m)的绝对值与预设的零漂移阈值的大小，若(零漂...

本发明公开了一种原位膜厚监测方法及装置，该方法用于监测沉积在工艺腔室内的基片上的金属薄膜的厚度，其特征在于，工艺时，实时获取所述金属薄膜的电阻R，通过计算来获得所述金属薄膜的实时厚度t。本发明提供了一种新的原位膜厚监测方法，该方法基于方...

本实用新型提供一种石英轴固定装置、旋转升降装置和沉积腔室。该石英轴固定装置包括支撑板和固定设置于支撑板上的轴筒；轴筒用于容置和固定石英轴，轴筒的筒壁上设置有辅助形变结构，辅助形变结构用于增大轴筒的形变能力，以避免安装和拆卸时轴筒对石英轴...

本实用新型提供一种旋转基座的调平机构、反应腔室及半导体加工设备，其包括：调平组件，设置在旋转基座的旋转轴的下方，用于通过调节旋转轴的倾斜角度；转接部件，其与调平组件固定连接，并且转接部件与旋转轴的下端为球面接触。本实用新型提供的旋转基座...

本发明公开了一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备，其中，腔室包括对腔室进行密封的上盖和对上盖进行温度控制的冷却系统，该方法包括：判断腔室的当前工艺类型；控制冷却系统，以将上盖的温度保持在对应当前工艺类型的设定温度范围内。本发明腔室...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种制膜方法。该制膜方法，用于在晶圆上溅射形成薄膜，包括溅射步骤：所述溅射步骤包括循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段，从而调节所述薄膜的密度和应力，直至所述薄膜的厚度满足设定要求。该制膜方法通过向靶材...

本发明公开了一种晶圆去气腔室及物理气相沉积设备，包括腔室本体，腔室本体内设置有至少一个用于承载晶圆的晶圆载具和用于对晶圆加热的加热单元，晶圆去气腔室还包括隔离部，该隔离部用于将加热单元与晶圆分隔开，隔离部为透光材料，加热单元发出的热量能...

本发明揭示一种半导体设备的成膜方法、半导体设备的氮化铝成膜方法以及电子装置。本发明的半导体设备的成膜方法，包括进行溅射流程，该溅射流程包括下列步骤：将基板载入腔室内，并放置于腔室内的承载底座上；在基板加载至腔室的状况下，对腔室进行加热工...

本发明揭示一种半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法。半导体设备的成膜方法包括依序进行多次溅射流程，各溅射流程包括步骤：将基板载入腔室内并放置于承载底座上；将遮蔽盘移至靶材与基板之间；在腔室内通入惰性气体以对靶材进行表面修饰工...

本发明提供一种沉积设备，包括第一腔室、第二腔室以及第三腔室。第一腔室经配置用以载入基板。第二腔室配置用以提供高温环境，以使得基板于第二腔室内进行排气工艺以及溅射工艺。第三腔室设置于第一腔室以及第二腔室之间。第三腔室经配置用以将基板由第一...