一种晶片吸附方法、下电极系统和半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶片吸附方法、下电极系统和半导体处理装置。该晶片吸附方法进入主工艺阶段之前包括：将静电卡盘基体接地；向工艺腔室内通入非工艺气体；将工艺腔室内的非工艺气体激发形成等离子体；为静电卡盘电极提供直流电，以使静电卡盘对晶片进行静电吸附固定。该晶片吸附方法不仅能够避免晶片上表面对残留在工艺腔室内的负离子或微小颗粒进行吸附，从而避免了工艺腔室内的残留颗粒对晶片表面造成污染，进而确保了晶片的良率；而且能够避免静电卡盘基体的电势对晶片形成排斥作用，从而有效的提高了静电卡盘对晶片的吸附固定效果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片吸附方法、下电极系统和半导体处理装置
本专利技术涉及半导体器件制备
，具体地，涉及一种晶片吸附方法、下电极系统和半导体处理装置。
技术介绍
在集成电路芯片制造行业中，对晶片进行加工的整个流程中，普遍包括光刻、刻蚀、离子注入、金属沉积，核心封装等工艺。上述工艺的完成，通常是将晶片放置在半导体加工设备反应腔室内的卡盘上，对晶片进行加工。卡盘起到支撑、固定晶片，对工艺过程晶片温度进行控制等作用。静电卡盘是一种利用静电力固定晶片的卡盘结构，消除了机械卡盘结构复杂，晶片有效加工面积减少等缺点。如图1所示为安装静电卡盘的等离子体刻蚀设备工艺腔室示意图。反应腔5在工艺过程中是真空状态，腔体顶部设有介质窗6，介质窗6上方安装电感耦合线圈7，上射频源8通过上匹配器9，同电感耦合线圈7相连，用于将腔室内工艺气体激发成等离子体10。下射频源14，通过下匹配器15，连接至静电卡盘基体11，用于在晶片2表面产生直流自偏压，吸引等离子，对晶片2表面进行加工处理。静电卡盘基体11安装在卡盘基座16上，静电卡盘基体11内部埋设静电卡盘电极12，静电卡盘电极12四面被绝缘材料包裹。静电卡盘基体11内部设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片吸附方法，其特征在于，进入主工艺阶段之前包括：将所述静电卡盘基体接地；向所述工艺腔室内通入非工艺气体；将所述工艺腔室内的所述非工艺气体激发形成等离子体；为所述静电卡盘电极提供直流电，以使所述静电卡盘对所述晶片进行静电吸附固定。

【技术特征摘要】
1.一种晶片吸附方法，其特征在于，进入主工艺阶段之前包括：将所述静电卡盘基体接地；向所述工艺腔室内通入非工艺气体；将所述工艺腔室内的所述非工艺气体激发形成等离子体；为所述静电卡盘电极提供直流电，以使所述静电卡盘对所述晶片进行静电吸附固定。2.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，所述非工艺气体不会对所述晶片的表面进行等离子体处理；所述非工艺气体采用惰性气体，所述非工艺气体包括氩气或氮气。3.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，所述静电卡盘基体内设置有背吹气路，所述进入主工艺阶段之前还包括：所述背吹气路开启，所述背吹气路提供冷媒气体对所述晶片的背面进行吹气。4.根据权利要求1所述的吸附方法，其特征在于，进入所述主工艺阶段时包括：将所述静电卡盘基体接地断开；将通入所述工艺腔室内的气体切换为工艺气体，并将所述工艺气体激发形成等离子体。5.一种下电极系统，包括静电卡盘，所述静电卡盘包括静电卡盘基体和静电卡盘电极，所述静电卡盘电极设置于所述静电卡盘基体中，且二者相互绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉站，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11