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本发明提供一种晶片吸附方法、下电极系统和半导体处理装置。该晶片吸附方法进入主工艺阶段之前包括：将静电卡盘基体接地；向工艺腔室内通入非工艺气体；将工艺腔室内的非工艺气体激发形成等离子体；为静电卡盘电极提供直流电，以使静电卡盘对晶片进行静电吸附...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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