加热腔室及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种加热腔室及半导体加工设备，包括加热装置和隔热件，该加热装置包括基座、连接筒和固定座，基座用于承载被加热件，在基座内设置有加热元件；连接筒分别与基座与固定座连接，且位于基座的中心区域；固定座与加热腔室的底部腔室壁连接。隔热件设置在固定座与底部腔室壁之间，用以隔绝二者之间的热量传递。本发明专利技术提供的加热腔室，其可以缩小基座的边缘区域和中心区域之间的温差，从而可以提高加热均匀性。

【技术实现步骤摘要】
加热腔室及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体设备制造
，具体涉及一种加热腔室及半导体加工设备。
技术介绍
物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，以下简称PVD)技术是微电子领域常用的加工技术，如，用于加工集成电路中的铜互连层。制作铜互连层主要包括去气、预清洗、Ta(N)沉积以及Cu沉积等步骤，其中，去气步骤是去除基片等被加工工件上的水蒸气及其它易挥发性杂质。在实施去气步骤时，需要将基片等被加工工件放入加热腔室内加热至230～350℃的某一温度。图1为现有的加热腔室的剖视图。图2为图1中加热装置的剖视图。请一并参阅图1和图2，加热腔室包括加热装置1，用于承载并加热被加工工件。加热装置1包括基座11、冷却盘12、加热丝13、连接筒15、固定座16和热电偶17。其中，基座11用于承载被加工工件。加热丝13设置在基座11内，用以加热被加工工件。冷却盘12嵌套在基座11的底部，用以引出加热丝13的接线。固定座16固定在加热腔室的底部腔室壁2上。连接筒15分别连接固定座16和基座11。热电偶17的上端与基座11连接，下端依次穿过冷却盘12、连接筒15和固定座16，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加热腔室，包括加热装置，所述加热装置包括基座、连接筒和固定座，所述基座用于承载被加热件，在所述基座内设置有加热元件；所述连接筒分别与所述基座与所述固定座连接，且位于所述基座的中心区域；所述固定座与所述加热腔室的底部腔室壁连接，其特征在于，还包括隔热件，所述隔热件设置在所述固定座与所述底部腔室壁之间，用以隔绝二者之间的热量传递。

【技术特征摘要】
1.一种加热腔室，包括加热装置，所述加热装置包括基座、连接筒和固定座，所述基座用于承载被加热件，在所述基座内设置有加热元件；所述连接筒分别与所述基座与所述固定座连接，且位于所述基座的中心区域；所述固定座与所述加热腔室的底部腔室壁连接，其特征在于，还包括隔热件，所述隔热件设置在所述固定座与所述底部腔室壁之间，用以隔绝二者之间的热量传递。2.如权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述隔热件包括隔热本体，在所述隔热本体内设置有中空部，用以增大所述隔热本体的导热路径。3.如权利要求2所述的加热腔室，其特征在于，所述隔热本体为环体；所述中空部包括第一凹部和第二凹部，其中，所述第一凹部为多个，且沿所述环体的轴向间隔设置在所述环体的外周壁上；所述第二凹部为多个，且沿所述环体的轴向间隔设置在所述环体的内周壁上；多个所述第一凹部与多个所述第二凹部在所述环体的轴向上相互交错。4.如权利要求3所述的加热腔室，其特征在于，每个所述第一凹部和每个所述第二凹部均为环形凹槽。5.如权利要求4所述的加热腔室，其特征在于，所述环形凹槽采用整体式结构，或者采用由多个子...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱国庆，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11