用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，包括槽体，在槽体底部设置有多根背抛螺纹滚轮，所述背抛螺纹滚轮沿所述刻蚀槽中送料方向横置。本实用新型专利技术采用背抛螺纹滚轮代替常规的刻蚀槽滚轮，能够在相同的设备传动速度情况下，使得背面腐蚀更加均匀，不但能够将硅片建中控制至0.35g‑0.40g，还能够避免在此期间出现溶液过量腐蚀PN结的情况。

Etching groove for polysilicon back polishing

The utility model provides a etching groove for polysilicon backside polishing, comprising a slot body, and a plurality of back throwing thread rollers are arranged at the bottom of the tank body, and the back throwing thread roller is transverse along the feeding direction of the etching groove. The utility model adopts the back roller instead of throwing thread etching groove roller routine, in equipment transmission speed under the same condition, the etching is more uniform, not only can be built in to 0.35g control chip 0.40g, but also can avoid the excessive corrosion solution during the PN junction.

【技术实现步骤摘要】
用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽
本技术涉及一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽。
技术介绍
目前常规的湿法刻蚀工艺，利用硝酸与氢氟酸对硅片的背面以及四周进行腐蚀，减重的范围在0.05g-0.1g，他的目的主要是为了把硅片四周不需要的PN结进行腐蚀，防止其漏电。但如果减重的范围提升至0.35g-0.40g，就要对硅片背面进行比较大的腐蚀反应，目前需要提高的减重的话，又不能影响产量，就只能在不改变设备传动速度的情况下，提高腐蚀量，所以必须把溶液浓度提升。溶液浓度提升后，减重能达到要求，但是由于过大的腐蚀反应，背面反应的平稳性是一个比较大的问题。
技术实现思路
本技术的一个目的是要提供一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，能够保证硅片在0.35g-0.40g的减重情况下，还能够保持硅片背面抛光的均匀性以及硅片在槽体中传动的平稳性。特别地，本技术提供了一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，包括槽体，在槽体底部设置有多根背抛螺纹滚轮，所述背抛螺纹滚轮沿所述刻蚀槽中送料方向横置。与现有技术相比较，本技术的优点在于：进一步地，所述多根背抛螺纹滚轮的两端固定在槽体的槽壁上，且在槽体底部固定有多个竖直挡板，所述竖直挡板设置在相邻的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，其特征在于，包括槽体，在槽体底部设置有多根背抛螺纹滚轮，所述背抛螺纹滚轮沿所述刻蚀槽中送料方向横置。

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，其特征在于，包括槽体，在槽体底部设置有多根背抛螺纹滚轮，所述背抛螺纹滚轮沿所述刻蚀槽中送料方向横置。2.根据权利要求1所述的用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，其特征在于，所述多根背抛螺纹滚轮的两端固定在槽体的槽壁上，且在槽体底部固定有多个竖直挡板，所述竖直挡板设置在相邻的两根...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈少杰，
申请(专利权)人：苏州矽美仕绿色新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32