半导体工艺控制方法、装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体工艺控制方法、装置及半导体工艺设备，该方法包括：检测当前腔室状态是否为当前工艺的激活状态，如否，则控制当前腔室状态转变为激活状态；其中，激活状态包括：腔室内气体环境及腔室温度满足当前工艺要求；在当前腔室状态为激活状态时，检测当前工艺的配方文件是否有效，如是，则获取所述配方文件中的工艺参数；检测工艺参数是否合法，如是，则控制对应当前工艺的设备执行配方文件中的工艺流程。本发明专利技术根据影响当前工艺的温度及气体环境来定义激活状态，并将工艺前将腔室状态转换至激活状态，保证工艺开始之前的腔室状态调整至一致的最佳工艺状态，进而确保工艺的稳定性，提高工艺质量及效率。

Semiconductor process control method, device and semiconductor process equipment

The invention discloses a semiconductor process control method, device and semiconductor processing apparatus, the method includes: detecting the current state of the chamber is activated, the current process or not, is in control of the chamber to the activated state; the activation state includes chamber gas and chamber temperature to meet the process requirements; in the current state of the chamber for the active state when the recipe file detection current process is effective, such as, obtaining the formula of process parameters in the file; detection of process parameters such as the legality, the control executing process in a recipe file corresponding to the current process equipment. The present invention is defined according to the activation effect of temperature and gas current process, and the process before the chamber state transition to active state, to ensure the process chamber state prior to the start of the adjustment to the consistent optimum state, thus ensuring the stability of the process, improve the processing quality and efficiency.

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺控制方法、装置及半导体工艺设备
本专利技术涉及微电子
，更具体地，本专利技术涉及一种半导体工艺控制方法、装置、及设置有该种装置的半导体工艺设备。
技术介绍
半导体工艺例如指外延工艺、刻蚀工艺等工艺过程，在工艺过程中，要对腔室内气体环境和腔室温度进行严格的控制才能保证工艺结果，因此半导体工艺中腔室内气体环境和腔室温度控制对工艺质量的影响至关重要。而现有半导体控制系统未对腔室工艺状态依据腔室内气体环境、腔室温度进行区分，工艺执行之前腔室所处的状态不一致，无论当前腔室是否处于适合当前工艺的状态，均可直接进行工艺，这样，会对工艺结果产生不良影响。
技术实现思路
本专利技术实施例的一个目的是提供一种解决现有工艺控制不能在半导体工艺开始之前保证腔室状态一致性的新技术方案。根据本专利技术的第一方面，提供了一种半导体工艺控制方法，包括：检测当前腔室状态是否为当前工艺的激活状态，如否，则控制当前腔室状态转变为所述激活状态；其中，所述激活状态包括：腔室内气体环境及腔室温度满足当前工艺要求；在当前腔室状态为所述激活状态时，检测当前工艺的配方文件是否有效，如是，则获取所述配方文件中的工艺参数；检测所述工艺参数是否合法，如是，则控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程。优选的是，所述控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程包括：获取所述工艺流程中开始执行的当前工艺的工艺步骤；向所述设备下发所述工艺步骤中设定的工艺参数；检测是否达到设定的完成所述工艺步骤的时间，如是，则：检测所述当前工艺的所有工艺步骤是否执行完毕，如否，则开始执行所述当前工艺的下一工艺步骤。优选的是，所述方法还包括：在控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程的过程之前，检测所述设备是否正常，如是，则控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程；如否，则进行报警提示并停止执行所述工艺流程。优选的是，所述方法还包括：在控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程的过程中，检测是否接收到控制工艺流程的信号，若是，则执行对应所述信号的操作。优选的是，所述控制工艺流程的信号包括暂停当前工艺步骤的信号、恢复当前工艺步骤的信号、跳转至下一工艺步骤的信号、终止工艺流程的信号、重新运行当前工艺步骤的信号中的至少一种。根据本专利技术的第二方面，提供了一种半导体工艺控制装置，其包括：腔室状态检测模块，用于检测当前腔室状态是否为当前工艺的激活状态；腔室状态转变模块，用于在所述当前腔室状态未处于当前工艺的激活状态时，控制当前腔室状态转变为所述激活状态；配方文件检测模块，用于当前腔室状态为所述激活状态的情况下，检测当前工艺的配方文件是否有效；工艺参数获取模块，用于在所述配方文件有效的情况下，获取配方文件中的工艺参数；工艺参数检测模块，用于检测所述工艺参数是否合法；以及，工艺流程执行模块，用于所述工艺参数合法时，控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程。优选的是，所述工艺流程执行模块包括：工艺步骤获取单元，用于获取所述工艺流程中开始执行的当前工艺的工艺步骤；工艺参数下发单元，用于向所述设备下发所述工艺步骤中设定的工艺参数；工艺时间检测单元，用于检测是否达到设定的完成所述工艺步骤的时间；工艺步骤检测单元，用于在达到设定的完成所述工艺步骤的时间的情况下，检测所述当前工艺的所有工艺步骤是否执行完毕；以及，工艺步骤切换单元，用于所述当前工艺的所有工艺步骤未执行完毕时，开始执行下一步骤。优选的是，所述工艺流程执行模块还包括：设备检测单元，用于在控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程之前，检测所述设备是否正常，如是，则控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程；如否，则进行报警提示并停止执行所述工艺流程。优选的是，所述工艺流程执行模块还包括：信号检测单元，用于检测是否接收到控制工艺流程的信号，若是，则执行对应所述信号的操作。根据本专利技术的第三方面，提供了一种半导体工艺设备，其包括加热装置、进气装置和排气装置，所述设备还包括上述任一所述装置。本专利技术的专利技术人发现，在现有技术中，存在不能在半导体工艺开始之前保证腔室状态一致性的问题。因此，本专利技术所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的，故本专利技术是一种新的技术方案。本专利技术的一个有益效果在于，本专利技术半导体工艺控制方法、装置及半导体工艺设备，根据影响当前工艺的温度及气体环境来定义激活状态，并将工艺前将腔室状态转换至激活状态，保证工艺开始之前的腔室状态调整至一致的最佳工艺状态，进而确保工艺的稳定性，提高工艺质量及效率。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1是本专利技术半导体工艺控制方法一种实施方式的流程图；图2是图1中执行工艺流程的一种实施方式的流程图；图3是本专利技术半导体工艺控制装置的一种实施结构的方框原理图；图4是图3中工艺流程执行模块的一种实施结构的方框原理图；图5是本专利技术半导体工艺设备的一种实施结构的方框原理图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。本专利技术为了解决现有半导体工艺控制中存在工艺开始之前腔室所处的状态不一致的现象，提供了一种半导体工艺控制方法，如图1所示，该方法包括如下步骤：步骤S1，检测机台腔室当前状态是否为当前工艺的激活状态，如是，则执行步骤S2；如否，则先执行步骤S11，即报警提示用户，并将腔室当前状态转变为激活状态，再执行步骤S2。上述激活状态包括：腔室内气体环境及腔室温度满足当前工艺要求，以当前工艺为外延工艺为例，其对应的激活状态为氢气环境，且腔室温度在600℃至800℃之间。对应地，将腔室当前状态转变为激活状态包括：通过进气装置和排气装置使腔室内只存在氢气，并通过加热装置使腔室温度保持在600℃至800℃之间。步骤S2，检测配方文件是否有效，如是，则执行步骤S3；如否，则执行步骤S21，即报警提示用户。其中，配方文件包括工艺流程中的工艺步骤，及各个工艺步骤中的各种工艺参数。步骤S3，获取配方文件中的工艺参数。步骤S4，检测配方文件中的工艺参数是否合法，如是，则执行步骤S5；如否，则执行步骤S41，即报警提示用户。其中，检测配方文件中的工艺参数是否合法具体指：检测参数类型、字符格式、字符长度、参数值范围等是否正确。步骤S5，控制对应当前工艺的设备执行配方文件中的工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体工艺控制方法，其特征在于，包括检测当前腔室状态是否为当前工艺的激活状态，如否，则控制当前腔室状态转变为所述激活状态，其中，所述激活状态包括：腔室内气体环境及腔室温度满足当前工艺要求；在当前腔室状态为所述激活状态时，检测当前工艺的配方文件是否有效，如是，则获取所述配方文件中的工艺参数；检测所述工艺参数是否合法，如是，则控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程。

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺控制方法，其特征在于，包括检测当前腔室状态是否为当前工艺的激活状态，如否，则控制当前腔室状态转变为所述激活状态，其中，所述激活状态包括：腔室内气体环境及腔室温度满足当前工艺要求；在当前腔室状态为所述激活状态时，检测当前工艺的配方文件是否有效，如是，则获取所述配方文件中的工艺参数；检测所述工艺参数是否合法，如是，则控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程包括：获取所述工艺流程中开始执行的当前工艺的工艺步骤；向所述设备下发所述工艺步骤中设定的工艺参数；检测是否达到设定的完成所述工艺步骤的时间，如是，则：检测所述当前工艺的所有工艺步骤是否执行完毕，如否，则开始执行所述当前工艺的下一工艺步骤。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程之前，检测所述设备是否正常，如是，则控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程；如否，则进行报警提示并停止执行所述工艺流程。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程的过程中，检测是否接收到控制工艺流程的信号，若是，则执行对应所述信号的操作。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制工艺流程的信号包括暂停当前工艺步骤的信号、恢复当前工艺步骤的信号、跳转至下一工艺步骤的信号、终止工艺流程的信号、重新运行当前工艺步骤的信号中的至少一种。6.一种半导体工艺控制装置，其特征在于，包括：腔室状态检测模块，用于检测当前腔室状态是否为当前工艺的激活状态；腔室状态转变模...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘悦，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11