晶片位置检测方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片位置检测方法，包括以下步骤：S1，分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；两条侧位垂直线分别位于片槽的垂直中心线的两侧；S2，将同一晶片的沿两条侧位垂直线的两个扫描结果进行对比，若两个扫描结果一致，则确定晶片位置正常；若两个扫描结果不一致，则确定晶片位置异常。本发明专利技术的晶片位置检测方法，只需沿着片槽的侧位垂直线扫描片槽内的晶片即可，对于侧位的扫描位置并没有具体的要求，避免了现有技术中的中心线检测法对于扫描位置必须要严格的正对片槽中心位置的要求，本发明专利技术的检测方法具有更高的检测精度，提高了对于晶片位置检测的准确率。

【技术实现步骤摘要】
晶片位置检测方法
本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种晶片位置检测方法。
技术介绍
在半导体的制程工艺中，如图1所示，待处理的晶片3通常由片盒1承载，该片盒1包括用于承载晶片3的多个片槽2，且沿竖直方向间隔排布。并且，通常使用机械手5将各个晶片3装载至片盒1中的片槽2内，或者自片槽2取出晶片3。为了保证准确得将片盒1中的晶片3传送至反应腔室中，需要使用机械手5对片盒1中的晶片3进行扫描，以确定晶片3在片盒1中的位置正常，没有出现交叉片或者重叠片的情况，以方便后续的生产。现有的一种晶片3位置检测方法，是将反射型的光电传感器4设置在机械手5的肘部，并在机械手5的带动下，自下而上对各个片槽2中的晶片3进行扫描。如图2所示，具体来说，通常采用中心线检测法，在机械手5的带动下，使光电传感器4位于片槽2的垂直中心线上，即，使光电传感器4的检测位置在X点所在的位置处，X点位于片槽2正前方中央位置处，在水平方向上光电传感器4在X点处正对着同一水平面上的片槽2的中心进行扫描。这种检测方法在实际应用中不可避免地存在以下问题：其一，是由于机械手5的坐标系和片盒1的坐标系不同，因此很难保证光电传感器4的起始扫描位置位于片槽2的垂直中心线上，对位置调试的要求较高。其二，上述检测方法检测交叉片的精度很大程度上取决于预先设定的允许偏差的阈值，若设定的阈值较小，则可能出现没有检测出交叉片的情况，若设定的阈值较大，则可能将位置正常的晶片3认为是交叉片，从而很容易出现误判的情况。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种晶片位置检测方法，本专利技术的检测方法具有更高的检测精度，提高了对于晶片位置检测的准确率。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是提供一种晶片位置检测方法，晶片由片盒承载，所述片盒包括用于承载晶片的多个片槽，且沿竖直方向间隔排布，所述晶片位置检测方法包括以下步骤：S1，分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；所述两条侧位垂直线分别位于所述片槽的垂直中心线的两侧；S2，将同一晶片的沿所述两条侧位垂直线的两个扫描结果进行对比，若两个扫描结果一致，则确定晶片位置正常；若两个扫描结果不一致，则确定晶片位置异常。优选的是，所述步骤S1进一步包括以下步骤：利用光电传感器分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；记录在所述光电传感器的电平信号发生变化时，所述光电传感器的当前高度值；所述电平信号包括高电平信号和低电平信号，二者分别表示扫描到晶片时的信号和未扫描到晶片时的信号。优选的是，所述步骤S2进一步包括以下步骤：判断同一晶片的沿两条侧位垂直线扫描的所述光电传感器的电平信号在第一次出现高电平信号时，两个所述光电传感器的当前高度值是否出现在同一片槽高度区间；若是，则确定晶片位置正常；若否，则确定晶片出现交叉片情况。优选的是，所述步骤S2进一步包括以下步骤：计算同一晶片的沿两条侧位垂直线扫描的所述光电传感器的电平信号在第一次出现高电平信号时，两个所述光电传感器的当前高度值的差值；判断所述差值是否超出预设阈值，若否，则确定晶片位置正常；若是，则确定晶片出现交叉片情况。优选的是，所述预设阈值为单个晶片厚度的1.5～2倍。优选的是，所述步骤S1进一步包括以下步骤：利用光电传感器分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；记录所述光电传感器的电平信号发生的极短跳变；所述电平信号包括高电平信号和低电平信号，二者分别表示扫描到晶片时的信号和未扫描到晶片时的信号；所述极短跳变是指在出现所述低电平信号极短时间之后切换至所述高电平信号。优选的是，所述步骤S2进一步包括以下步骤：计算同一片槽内的沿一条侧位垂直线扫描晶片的所述光电传感器的电平信号出现所述极短跳变时，光电传感器检测到高电平信号时对应着其在同一个片槽内的垂直方向上移动的距离的和；判断所述移动的距离的和是否超出预设阈值，若否，则确定晶片位置正常；若是，则确定晶片出现重叠片情况。优选的是，所述预设阈值为晶片厚度的1.65～1.85倍。优选的是，以片槽的中心为圆心，所述侧位垂直线和所述垂直中心线之间的中心夹角的取值范围在15～60°。优选的是，所述两条侧位垂直线相对于所述片槽的垂直中心线对称分布。优选的是，所述光电传感器为反射型传感器，其安装在用于传输晶片的机械手上，用以在所述机械手的带动下分别沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片。本专利技术的晶片位置检测方法，只需沿着片槽的侧位垂直线扫描片槽内的晶片即可，对于侧位的扫描位置并没有具体的要求，避免了现有技术中的中心线检测法对于扫描位置必须要严格的正对片槽中心位置的要求，本专利技术的检测方法具有更高的检测精度，提高了对于晶片位置检测的准确率。附图说明图1为
技术介绍
中的片盒与机械手的结构示意图；图2为
技术介绍
中的晶片在片槽内的俯视图；图3为本专利技术实施例2、3中的晶片在片槽的结构示意图；图4为本专利技术实施例2中的晶片在片槽的结构示意图；图5为本专利技术实施例3中的传感器的扫描信号图；图6为本专利技术实施例4中的传感器的扫描信号图；图7为本专利技术实施例1中的晶片位置检测方法的流程图；图8为本专利技术实施例2中的晶片位置检测方法的流程图；图9为本专利技术实施例3中的晶片位置检测方法的流程图；图10为本专利技术实施例4中的晶片位置检测方法的流程图。图中：1-片盒；2-片槽；3-晶片；4-光电传感器；5-机械手；6-第一槽；7-第二槽；8-第三槽；9-第四槽；10-第五槽；11-第一晶片；12-第二晶片；13-第三晶片。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1如图7所示，本实施例提供一种晶片位置检测方法，晶片由片盒承载，片盒包括用于承载晶片的多个片槽，且沿竖直方向间隔排布，晶片位置检测方法包括以下步骤：S101，分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；两条侧位垂直线分别位于片槽的垂直中心线的两侧；S102，将同一晶片的沿两条侧位垂直线的两个扫描结果进行对比，若两个扫描结果一致，则确定晶片位置正常；若两个扫描结果不一致，则确定晶片位置异常。本实施例的晶片位置检测方法，只需沿着片槽的侧位垂直线扫描片槽内的晶片即可，对于侧位的扫描位置并没有具体的要求，避免了现有技术中的中心线检测法对于扫描位置必须要严格的正对片槽中心位置的要求，本实施例的检测方法具有更高的检测精度，提高了对于晶片位置检测的准确率。实施例2如图8所示，本实施例提供一种晶片位置检测方法，晶片由片盒承载，片盒包括用于承载晶片的多个片槽，且沿竖直方向间隔排布，晶片位置检测方法包括以下步骤：S201，利用光电传感器分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；两条侧位垂直线分别位于片槽的垂直中心线的两侧；记录在光电传感器的电平信号发生变化时，光电传感器的当前高度值；电平信号包括高电平信号和低电平信号，二者分别表示扫描到晶片时的信号和未扫描到晶片时的信号。S202，将同一晶片的沿两条侧位垂直线的两个扫描结果进行对比，判断同一晶片的沿两条侧位垂直线扫描的光电传感器的电平信号在第一次出现高电平信号时，两个光电传感器的当前高度值是否出现在同一片槽高度区间；若是，则确定晶片位置正常；若否，则确定晶片出现交叉片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片位置检测方法，晶片由片盒承载，所述片盒包括用于承载晶片的多个片槽，且沿竖直方向间隔排布，其特征在于，所述晶片位置检测方法包括以下步骤：S1，分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；所述两条侧位垂直线分别位于所述片槽的垂直中心线的两侧；S2，将同一晶片的沿所述两条侧位垂直线的两个扫描结果进行对比，若两个扫描结果一致，则确定晶片位置正常；若两个扫描结果不一致，则确定晶片位置异常。

【技术特征摘要】
1.一种晶片位置检测方法，晶片由片盒承载，所述片盒包括用于承载晶片的多个片槽，且沿竖直方向间隔排布，其特征在于，所述晶片位置检测方法包括以下步骤：S1，分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；所述两条侧位垂直线分别位于所述片槽的垂直中心线的两侧；S2，将同一晶片的沿所述两条侧位垂直线的两个扫描结果进行对比，若两个扫描结果一致，则确定晶片位置正常；若两个扫描结果不一致，则确定晶片位置异常。2.根据权利要求1所述的晶片位置检测方法，其特征在于，所述步骤S1进一步包括以下步骤：利用光电传感器分别或同时沿两条侧位垂直线扫描各个片槽内的晶片；记录在所述光电传感器的电平信号发生变化时，所述光电传感器的当前高度值；所述电平信号包括高电平信号和低电平信号，二者分别表示扫描到晶片时的信号和未扫描到晶片时的信号。3.根据权利要求2所述的晶片位置检测方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括以下步骤：判断同一晶片的沿两条侧位垂直线扫描的所述光电传感器的电平信号在第一次出现高电平信号时，两个所述光电传感器的当前高度值是否出现在同一片槽高度区间；若是，则确定晶片位置正常；若否，则确定晶片出现交叉片情况。4.根据权利要求2所述的晶片位置检测方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括以下步骤：计算同一晶片的沿两条侧位垂直线扫描的所述光电传感器的电平信号在第一次出现高电平信号时，两个所述光电传感器的当前高度值的差值；判断所述差值是否超出预设阈值，若否，则确定晶片位置正常；若是，则确定晶片出现交叉片情况。5.根据权利要求4所述的晶片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李靖，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11