本发明涉及硅片生产技术领域，尤其涉及一种手动输送硅片机构，其包括支座、滑动单元、滚动单元、硅片承载桶和手柄，所述支座上设有所述滑动单元，所述滑动单元固定连接所述手柄，所述滑动单元上设有所述滚动单元，所述滚动单元上设有所述硅片承载桶。本发...

本发明涉及扩散炉技术领域，尤其涉及扩散炉炉门密封结构，包括石英管、炉门本体、平移机构和旋转机构，平移机构和旋转机构均与炉门本体连接，分别用于带动炉门本体平移和旋转，进而使炉门打开或关闭，石英管包括第一管段和沿第一管段的轴向向外延伸出的第...

本发明涉及光伏硅片制造技术领域，尤其涉及一种烘干设备，包括槽体、加热控温组件、风机组件和硅片篮支撑件，槽体设置于清洗设备内，加热温控组件设置于槽体的内侧壁上，风机组件与硅片篮支撑件均设置于槽体内，硅片篮支撑件上放置硅片篮，风机组件的出风...

本发明涉及碳纳米管制备技术领域，尤其涉及一种冷却器及制备碳纳米管的高真空系统，包括壳体、端盖、水冷环、进气管和出气管，壳体与端盖连接，水冷环设置于壳体内部，水冷环包括定位筒和水冷管，定位筒一端与端盖连接，另一端与壳体之间留有空隙，水冷管...

本发明公开了一种磁性靶材组件及其制备方法、溅射腔室。本发明公开的磁性靶材组件包括：背板，背板的厚度均匀；磁性靶材，磁性靶材固定于背板，且在磁性靶材的溅射面上设置有凸起的溅射损耗部，用于防止磁性靶材被溅射穿透，从而提高磁性靶材的利用率。本...

本发明公开了一种磁性靶材组件及其制备方法、溅射腔室。本发明公开的磁性靶材组件包括磁性靶材和背板，磁性靶材上设置有凸起的溅射损耗部，用于防止磁性靶材被溅射穿透，从而提高磁性靶材的利用率；背板上设置有凹陷的配合部；磁性靶材安装于背板上，且溅...

本发明涉及清洗设备技术领域，尤其涉及一种自动夹取装置，包括底座、动力机构、滑移板、转动杆和夹取勾手，转动杆的数量为两根，两根转动杆平行设置在底座上，转动杆的下方设置夹取勾手，且两根转动杆上的夹取勾手相对设置，滑移板设于两根转动杆之间，且...

本发明公开了一种腔室及半导体设备。该腔室包括腔体、设置在腔体底部的基座、套置在腔体内壁的屏蔽环、叠置在屏蔽环下表面边缘区域的遮蔽环，且遮蔽环位于基座边缘区域上方，该腔室还包括环绕基座外周壁设置的导通装置，并且基座外周壁接地。在工艺时，基...

本发明公开了一种腔室及半导体设备。该腔室包括腔体、设置在腔体底部的基座、套置在腔体内壁的屏蔽环、叠置在屏蔽环下表面边缘区域的遮蔽环，且遮蔽环位于基座边缘区域上方，该腔室还包括屏蔽装置，其中，屏蔽装置环绕基座设置、且位于屏蔽环下方，用于密...

本发明提供一种阻抗匹配方法、阻抗匹配系统和半导体处理装置。该阻抗匹配方法包括：检测射频脉冲的开启关闭状态；若射频脉冲为开启状态，计算并调整匹配网络中可变元件的值到目标值，以使负载阻抗与射频源的阻抗相匹配；若射频脉冲为关闭状态，判断负载阻...

本实用新型提供一种下电极机构及反应腔室，其包括基座，在基座与腔室底壁之间设置有绝缘环，以在基座的底面的边缘区域与腔室底壁之间形成等效电容，该等效电容由至少两种不同介质填充形成的平行板电容并联而成。本实用新型提供的下电极机构，可以实现对下...

本发明提供了一种工艺腔室及半导体加工设备，工艺腔室的顶壁和/或底壁为透明介质窗，透明介质窗包括透明介质板和加强筋；加强筋固定在透明介质板上，用以加强透明介质窗的强度。本发明提供的工艺腔室，可保证工艺腔室具有较强的抗负压能力，同时该工艺腔...

本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体，在所述腔室主体的外侧设置有与电源相连的偏置电磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件；偏置电磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有...

一种等离子体产生装置和包括该装置的半导体设备，该等离子体产生装置包括主筒和沿主筒周向设置的主筒线圈，还包括副筒和沿副筒周向设置的副筒线圈，其中，副筒设置于主筒下方，且副筒与所述主筒同轴设置，副筒的内径大于主筒的内径。本发明提供的等离子体...

本发明公开了一种等离子体产生装置及包括该装置的半导体设备，等离子体产生装置包括主筒和沿主筒周向设置的主筒线圈，主筒上方设有中心进气孔，还包括副筒和沿副筒周向设置的副筒线圈，其中，副筒设置于主筒下方，且副筒与主筒同轴设置，副筒的内径大于主...

本发明公开一种深硅刻蚀方法，其包括刻蚀步骤和沉积步骤，所述刻蚀步骤和所述沉积步骤交替循环直至刻蚀到预设深度，在所述沉积步骤中，通入沉积气体和由碳元素和氢元素组成的第一辅助气体进行沉积。通过上述深硅刻蚀方法，可以降低刻蚀图形顶部的线宽损失。

本发明提供一种去气腔室和半导体加工设备。本发明的去气腔室，包括：腔体和设置于腔体上部的加热装置，加热装置通过发出的光线对放置于腔体内的待加工件进行加热；腔体的内侧壁和/或内底壁设置有防反射结构，用于减弱或消除腔体的内侧壁和/或内底壁对光...

本发明提供一种腔室，包括用于承载被加工工件的承载件，以及设置在其上方的加热装置，该加热装置用于朝向被加工工件辐射热量，加热装置包括：安装板，设置在承载件的上方；热源，设置在安装板的下方，且沿安装板的周向间隔分布；调节组件，调节组件设置在...

本发明提供一种双腔传片装置及传片方法，通过设置两个晶片托架，由升降机构同时带动两个晶片托架升降运动，从而在一个放片和取片过程中完成两个晶片的放片和取片操作，在保证晶片放置准确性的前提下，提高了晶片传递效率，缩短传片时间，减少机械手和升降...

本发明提供一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备，在向工艺腔室内传片之前，向工艺腔室内通入第一气体，并使工艺腔室的压力维持在预设的阈值，在向工艺腔室内传片之后，向工艺腔室内通入第二气体，并使工艺腔室内的压力仍然维持在所述阈值，同时对晶片进...