磁性靶材组件及其制备方法、溅射腔室技术

本发明专利技术公开了一种磁性靶材组件及其制备方法、溅射腔室。本发明专利技术公开的磁性靶材组件包括：背板，背板的厚度均匀；磁性靶材，磁性靶材固定于背板，且在磁性靶材的溅射面上设置有凸起的溅射损耗部，用于防止磁性靶材被溅射穿透，从而提高磁性靶材的利用率。本发明专利技术公开的溅射腔室包含本发明专利技术的磁性靶材组件。本发明专利技术还公开了一种制备上述磁性靶材组件的制备方法。本发明专利技术公开的磁性靶材组件设置了凸起的溅射损耗部，能够防止磁性靶材被溅射穿透，从而提高磁性靶材的利用率和使用寿命。

Magnetic target assembly, preparation method and sputtering chamber

The invention discloses a magnetic target assembly and a preparation method thereof, and a sputtering chamber. The magnetic target component disclosed by the invention includes: the thickness of the back plate and the back plate is uniform; the magnetic target, the magnetic target are fixed on the back plate, and the sputtering loss part is provided on the sputtering surface of the magnetic target, which is used to prevent the magnetic target from being sputter through, thus improving the utilization ratio of the magnetic target. The sputtering chamber disclosed in the invention includes a magnetic target assembly of the invention. The invention also discloses a preparation method of the above magnetic target assembly. The magnetic target component disclosed in the invention provides a protruding sputtering loss part, which can prevent the magnetic target from being sputter through, thus improving the utilization and service life of the magnetic target.

【技术实现步骤摘要】
磁性靶材组件及其制备方法、溅射腔室
本专利技术属于半导体加工
，具体涉及一种磁性靶材组件及其制备方法、溅射腔室。
技术介绍
在集成电路与显示器的制造中，通常利用溅射腔室来溅射磁性材料并使磁性材料沉积至基板上。溅射沉积的工作原理为：将工艺气体激发形成等离子体，形成的等离子体轰击靶材，从靶材上溅射出的磁性材料沉积至基板上形成磁性薄膜。在溅射腔室中设置有磁控管，用于塑造磁场形状将磁场局限在靶材周围。目前使用的磁性靶材组件一般为厚度均匀的磁性靶材安装在厚度均匀的背板上。而在磁性靶材的溅射工艺中存在磁聚现象，使磁性靶材溅射面上具有不同的溅射速率。图1a示出了磁聚现象的原理，在图1a中，磁控管2000产生的磁力线用F表示，磁力线F的中轴线用C表示，在中轴线C两侧位置1和位置3处的电子受到库仑力和洛伦兹力的作用F向中轴线C的方向移动，而位置2的电子不受横向力的作用，因此，中轴线C上的等离子体密度最大，这种现象即为磁聚现象。由于磁聚现象的存在，中轴线C所对应的靶材表面区域的溅射速率大于其它区域的溅射速率，且中轴线C所对应的区域极易被溅射穿透。图1b-1d示出了磁聚现象存在时对厚度均匀的磁性靶材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性靶材组件，其特征在于，所述磁性靶材组件包括：背板，所述背板的厚度均匀；磁性靶材，所述磁性靶材固定于所述背板，且在所述磁性靶材的溅射面上设置有凸起的溅射损耗部，用于防止所述磁性靶材被溅射穿透，从而提高所述磁性靶材的利用率。

【技术特征摘要】
1.一种磁性靶材组件，其特征在于，所述磁性靶材组件包括：背板，所述背板的厚度均匀；磁性靶材，所述磁性靶材固定于所述背板，且在所述磁性靶材的溅射面上设置有凸起的溅射损耗部，用于防止所述磁性靶材被溅射穿透，从而提高所述磁性靶材的利用率。2.根据权利要求1所述的磁性靶材组件，其特征在于，所述溅射损耗部为台阶状凸起。3.根据权利要求2所述的磁性靶材组件，其特征在于，所述台阶状凸起包括至少两个连续的厚度不同的台阶。4.根据权利要求3所述的磁性靶材组件，其特征在于，所述台阶的厚度随所述磁性靶材溅射深度的增大而增大。5.根据权利要求1所述的磁性靶材组件，其特征在于，所述溅射损耗部的厚度范围为3mm～10mm。6.一种溅射腔室，包括磁性靶材组件，其特征在于，所述磁性靶材组件采用权利要求1-5中任一所述的磁性靶材组件。7.一种磁性靶材组件的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉杰，丁培军，赵晋荣，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11