反应腔室以及电容耦合等离子体设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种反应腔室以及电容耦合等离子体设备，反应腔室包括底壁、内衬、支撑组件和磁性组件。内衬设置于腔室本体内，包括位于腔室本体底壁上方的底衬；支撑组件设置于被底衬环绕的工艺区域内，用于支撑晶片；磁性组件设置于工艺区域外，用于形成磁场，以缩小晶片的边缘区域与中心区域的刻蚀速率的差距。

Reactive chamber and capacitive coupled plasma equipment

The utility model provides a reaction chamber and a capacitively coupled plasma device, and the reaction chamber comprises a bottom wall, an inner liner, a supporting component and a magnetic component. The inner lining is set in the chamber, including the bottom lining on the bottom of the chamber body; the support assembly is set in the process area surrounded by the bottom lining to support the wafer; the magnetic component is set outside the process area to form a magnetic field to narrow the gap between the edge area and the etching rate of the middle heart region.

【技术实现步骤摘要】
反应腔室以及电容耦合等离子体设备
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种反应腔室以及电容耦合等离子体设备。
技术介绍
在半导体刻蚀工艺中，晶片的刻蚀均匀性是其重要的技术指标。图1是一种常见的电容耦合等离子体(CCP)预清洗(Preclean)腔室的结构示意图。腔室一般为圆柱体，由腔室本体1、内衬(上内衬2、下内衬3)、下电极结构等部分组成。下电极结构主要由支撑盘体7、绝缘基座11、射频匹配器9、射频电源10组成。腔室本体1还开有抽气口4，反应气体及刻蚀副产物从此处排出。匀气板6使由进气口(图中未示出)进入反应腔室的气体分布更均匀。支撑盘体7通常为金属，其直径L略小于晶片。绝缘基座11使支撑盘体7与下内衬3绝缘。波纹管8可带动支撑盘体7在一定范围内升降。整个反应腔室除支撑盘体7外均与地接触良好。为了防止支撑盘体被刻蚀从而污染晶片，等离子体刻蚀设备的下电极尺寸通常都小于晶片尺寸。因此在晶片的边缘存在着远高于中心区的电场，导致该边缘区域等离子体密度较高，到达晶片边缘的离子通量很大，造成晶片边缘刻蚀速率偏高，严重影响晶片的刻蚀均匀性，这种效应叫做边缘电场效应，在电容耦合等离子体(CCP)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应腔室，包括：腔室本体，包括底壁；内衬，设置于所述腔室本体内，包括位于所述腔室本体底壁上方的底衬；支撑组件，设置于被所述底衬环绕的工艺区域内，用于支撑晶片；磁性组件，设置于所述工艺区域外，用于形成磁场，以缩小所述晶片的边缘区域与中心区域的刻蚀速率的差距。

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，包括：腔室本体，包括底壁；内衬，设置于所述腔室本体内，包括位于所述腔室本体底壁上方的底衬；支撑组件，设置于被所述底衬环绕的工艺区域内，用于支撑晶片；磁性组件，设置于所述工艺区域外，用于形成磁场，以缩小所述晶片的边缘区域与中心区域的刻蚀速率的差距。2.如权利要求1所述的反应腔室，所述支撑组件设置于所述底衬的上表面，所述磁性组件设置于所述底衬的下表面，并与所述支撑组件的边缘部分位置对应，所述磁性组件形成的磁场分布于所述支撑组件的边缘部分，以降低所述晶片的边缘区域的刻蚀速率。3.如权利要求2所述的反应腔室，所述磁性组件包括：沿径向分布内层磁铁和外层磁铁；所述内层磁铁与所述外层磁铁极性相反。4.如权利要求3所述的反应腔室，所述内层磁铁和外层磁铁为环状结构。5.如权利要求4所述的反应腔室，所述环状结构由多个圆柱形磁铁等间距排列形成。6.如权利要求4所述的反应腔室，所述环状结构由多个弧形磁铁等间距排列形...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文章，陈鹏，丁培军，刘菲菲，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11