托盘、反应腔室、半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种托盘、反应腔室、半导体加工设备，属于半导体加工技术领域，其可解决现有技术中基片容易出现位置偏差的问题。本发明专利技术的托盘，包括托盘本体，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。

Pallet, reaction chamber, semiconductor processing equipment

The invention provides a tray, a reaction chamber and a semiconductor processing equipment, which belongs to the field of semiconductor processing technology, which can solve the problem that the position deviation of the base sheet in the existing technology is easy to appear. A tray of the present invention includes a tray body, the tray body is provided with a concave part; the area surrounding the concave part of the upper surface of the tray body is a first bearing position; the first bearing position is used to carry the base sheet; the concave part is used to hold the gas between the base sheet and the first bearing position.

【技术实现步骤摘要】
托盘、反应腔室、半导体加工设备
本专利技术属于半导体加工
，具体涉及一种托盘、反应腔室、半导体加工设备。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，简称CVD)方法，是一种利用不同气体在高温下相互反应来制备外延薄膜层的方法，一般通过CVD设备在单晶衬底(基片)上生长一层与衬底晶向相同的单晶层，即进行外延生长。在整个外延生长的过程中，基片必须严格处于某个特定的凹槽限定范围内，这是因为超出凹槽范围都会影响外延生长结果，因此，外延设备在整个传片过程中都有严格的基片校中及定位设施。外延设备在将基片从基片放置盒(LPA)中取出后，会将基片放置在对准器(Aligner)上进行校中，然后将基片传输到吹扫腔室(LL)进行N2吹扫，在上述过程中，均采用机械手对基片S进行传输。如图1和图2所示，在现有技术中，一般硅外延设备均兼容第一尺寸的基片(例如，6inch)和第二尺寸的基片(例如，8inch)。具体的，托盘1包括托盘本体11，托盘本体11包括凹部，凹部内形成有至少一层台阶12，每层台阶12用于承载对应尺寸的基片S；托盘本体11还包括有一个开口13，开口13用于在机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种托盘，包括托盘本体，其特征在于，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。

【技术特征摘要】
1.一种托盘，包括托盘本体，其特征在于，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述凹部的中心区域形成有至少一层台阶，每层所述台阶的台阶面的内沿区域作为第二承载位，位于所述第二承载位上的基片的侧壁与所述凹部的侧壁之间存在预设间隙，所述预设间隙用于将在放置基片时基片与所述第二承载位之间的气体导出。3.根据权利要求2所述的托盘，其特征在于，所述预设间隙的宽度为小于等于17.5mm。4.根据权利要求2所述的托...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎俊希，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11