托盘、反应腔室、半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种托盘、反应腔室、半导体加工设备，属于半导体加工技术领域，其可解决现有技术中基片容易出现位置偏差的问题。本发明专利技术的托盘，包括托盘本体，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。

Pallet, reaction chamber, semiconductor processing equipment

The invention provides a tray, a reaction chamber and a semiconductor processing equipment, which belongs to the field of semiconductor processing technology, which can solve the problem that the position deviation of the base sheet in the existing technology is easy to appear. A tray of the present invention includes a tray body, the tray body is provided with a concave part; the area surrounding the concave part of the upper surface of the tray body is a first bearing position; the first bearing position is used to carry the base sheet; the concave part is used to hold the gas between the base sheet and the first bearing position.

【技术实现步骤摘要】
托盘、反应腔室、半导体加工设备
本专利技术属于半导体加工
，具体涉及一种托盘、反应腔室、半导体加工设备。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，简称CVD)方法，是一种利用不同气体在高温下相互反应来制备外延薄膜层的方法，一般通过CVD设备在单晶衬底(基片)上生长一层与衬底晶向相同的单晶层，即进行外延生长。在整个外延生长的过程中，基片必须严格处于某个特定的凹槽限定范围内，这是因为超出凹槽范围都会影响外延生长结果，因此，外延设备在整个传片过程中都有严格的基片校中及定位设施。外延设备在将基片从基片放置盒(LPA)中取出后，会将基片放置在对准器(Aligner)上进行校中，然后将基片传输到吹扫腔室(LL)进行N2吹扫，在上述过程中，均采用机械手对基片S进行传输。如图1和图2所示，在现有技术中，一般硅外延设备均兼容第一尺寸的基片(例如，6inch)和第二尺寸的基片(例如，8inch)。具体的，托盘1包括托盘本体11，托盘本体11包括凹部，凹部内形成有至少一层台阶12，每层台阶12用于承载对应尺寸的基片S；托盘本体11还包括有一个开口13，开口13用于在机械手取放基片S时，向机械手提供足够的取片空间。请参照图3，第二尺寸的基片S放置在由上至下的第一个台阶12的台阶面，该台阶12的直径比该基片S的直径略大，是为了在保证在可容纳该基片S的同时，该台阶12的侧壁还能够限制基片S的移动；因此，基本上该台阶12的整个台阶面用于承载基片S。但在实际应用中发现，当机械手将基片S放到托盘上后，基片S的位置容易出现偏差，从而导致机械手传片失败，影响机台的产能。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够避免因基片和托盘表面之间的气膜导致的基片的位置出现偏差的问题，从而避免机械手传片失败的托盘、反应腔室、半导体加工设备。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种托盘，包括托盘本体，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。其中，所述凹部的中心区域形成有至少一层台阶，每层所述台阶的台阶面的内沿区域作为第二承载位，位于所述第二承载位上的基片的侧壁与所述凹部的侧壁之间存在预设间隙，所述预设间隙用于将在放置基片时基片与所述第二承载位之间的气体导出。其中，所述预设间隙的宽度为小于等于17.5mm。其中，在每层所述台阶的台阶面的外沿区域内设置有排气槽。其中，所述排气槽设置在所述外沿区域的靠近所述内沿区域的位置处，且沿所述内沿区域的周向设置。其中，所述排气槽的深度大于0.5mm。其中，所述排气槽在所述外沿区域内的面积比例大于5.7％。其中，所述托盘本体上还设置有与所述凹部相连通的开口。作为另一技术方案，本专利技术还提供一种反应腔室，包括上述任意一项所述的托盘。作为另一技术方案，本专利技术还提供一种半导体加工设备，包括上述的反应腔室。本专利技术的托盘、反应腔室、半导体加工设备中，该托盘包括托盘本体，托盘本体上设置有凹部，预设托盘本体的上表面的围绕凹部的区域为第一承载位，第一承载位用于承载基片，凹部用于容纳在放置基片时基片与第一承载位之间的气体，也就是说，在基片从机械手放置在托盘上的过程中，基片与托盘的接触面之间会逐渐形成气膜，由于挤压作用气膜内的空气会向两侧流出，向托盘本体的的上表面周侧流出的气体可以直接排入大气中，而通过使基片与托盘的接触面积保持在一个较小的区域内，并借助凹部容纳在放置基片时流向托盘本体中心区域的气体，也能够使该部分气体很顺利的排入到大气之中。附图说明图1为现有的托盘的俯视图；图2为沿图1中的AA线的截面图；图3为2的放大示意图；图4为本专利技术的实施例1的托盘的结构示意图；图5为沿图4中的BB线的截面放置基片的一种示意图；图6为沿图4中的BB线的截面放置基片的另一种示意图；图7为现有技术中基片与托盘的接触面积的示意图；图8为本专利技术实施例1中基片与托盘的接触面积的示意图；图9为沿图4中的BB线的截面放置基片的另一种示意图；其中，附图标记为：S、基片；1、托盘；11、托盘本体；12、台阶；121、内沿区域；122、外沿区域；13、开口；14、托盘本体的上表面；15、排气槽。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。在对本专利技术提供的托盘进行描述之前，首先对现有技术中存在问题的原因进行分析。具体如下：请参照图3，在实际操作过程中，在基片S被机械手放置在托盘1上对应尺寸的台阶12的台阶面上的过程中，基片S的下表面与本层台阶12的台阶面之间会形成一层很薄的气膜(如图3中箭头所在位置处)，气膜受到挤压后需要从两侧溢出，如图3中的箭头所示，其中，向托盘1内侧(即图3中的右侧)溢出的气流可直接流入下一层台阶12中，进而通过开口4流向大气中；而本层台阶12的直径只比基片S的直径略大一点，也即，基片S与本层台阶12的侧壁之间的缝隙很小，本层台阶12的侧壁仅用于限定基片S的位置，因此，向托盘1外侧(即图3中的左侧)溢出的气流会受到台阶12的侧壁阻挡，因此，无法在短时间内溢出，这使得当基片S脱离机械手时，基片S与本层台阶12的台阶面之间仍存在一部分气膜，且基片S与本层台阶12之间的接触面积较大(8inch硅片的接触宽度约为25mm)，导致气膜的面积较大，因此，此时，当托盘1稍微有一点倾斜时，由于气膜的存在，基片S与托盘1之间无法形成有效的摩擦阻力，基片S便会在对应的台阶12内发生移动，从而改变基片S在后续工艺中放置的位置，进而导致传片失败。实施例1：请参照图4至图9，为解决现有技术中的上述问题，本实施例提供一种托盘1，包括托盘本体11，托盘本体11上设置有凹部；预设托盘本体的上表面14的围绕凹部的区域为第一承载位；第一承载位用于承载基片S；凹部用于容纳在放置基片S时基片S与第一承载位之间的气体。具体请参照图5，由于托盘本体11上形成有凹部，因此，托盘本体的上表面14必然高于凹部中的底面，当使用的基片S的尺寸较大(如8inch)时，凹部中的底面无法承载该较大尺寸的基片S，此时，可使用环绕凹部的托盘本体的上表面14承载该较大尺寸的基片S，即托盘本体的上表面14即为第一承载位。可以理解，由于图5中的基片S的左侧没有阻挡，从而能使基片S下方的气膜朝向左侧方向流动不会受到阻碍，能够很顺利得排入到大气之中；而基片S下方的气膜朝向右侧方向流动可以流向凹部内，因此，本实施例提供的托盘可以保证该基片在一些微小倾斜的情况下不会发生偏移，相较于现有技术，本实施例的托盘在确保基片S的稳定性的基础上，还能使托盘兼容的基片S数量加1。可以理解的是，为了能够增加机械手放置基片S时的准确度，托盘本体11的直径仅稍大于放置在第一承载位上的基片S的直径即可，在此不再赘述。其中，凹部的中心区域形成有至少一层台阶12，每层台阶12的台阶面的内沿区域121作为第二承载位，位于第二承载位上的基片S的侧壁与凹部的侧壁之间存在预设间隙，预设间隙用于将在放置基片S时基片S与第二承载位之间的气体导出。本实施例的托盘相对现有技术而言，增宽了基片S与凹部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种托盘，包括托盘本体，其特征在于，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。

【技术特征摘要】
1.一种托盘，包括托盘本体，其特征在于，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述凹部的中心区域形成有至少一层台阶，每层所述台阶的台阶面的内沿区域作为第二承载位，位于所述第二承载位上的基片的侧壁与所述凹部的侧壁之间存在预设间隙，所述预设间隙用于将在放置基片时基片与所述第二承载位之间的气体导出。3.根据权利要求2所述的托盘，其特征在于，所述预设间隙的宽度为小于等于17.5mm。4.根据权利要求2所述的托...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎俊希，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11