一种下电极结构及工艺腔室制造技术

本发明专利技术提供一种下电极结构及工艺腔室，所述下电极结构包括基台和位于基台下方的红外加热装置，红外加热装置包括多个真空电极和和多个红外加热管，由真空电极为红外加热管供电，使红外加热管产生红外线，利用红外加热方式为待加工工件加热，用红外加热装置代替现有的铠装加热器，一方面，由于去除了铠装加热器的出线法兰，可以解决出线法兰区域温度低的问题，提高加热均匀性；另一方面，红外加热管产生的红外线能量可以直接辐射到基台上，无需通过铠装加热器的各层结构逐层传导，减少热传导路径，提高升温及降温速率；此外，红外加热装置结构简单，重量轻，由单人即可完成红外加热装置的安装，安装方便，省时省力。

【技术实现步骤摘要】
一种下电极结构及工艺腔室
本专利技术涉及半导体设备制造
，具体涉及一种下电极结构及工艺腔室。
技术介绍
LEDPECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积设备)主要用于蓝宝石或硅片表面的化学气象沉积，将SiN/O等沉积到晶片表面，LEDPECVD设备对晶片表面的温度控制有严格要求，晶片表面的温度均匀性对成膜厚度、折射率等参数影响重大，由于基台的高低和均匀性直接影响晶片表面的温度高低和均匀性好坏，因此对LEDPECVD而言，对基台表面的温度控制相当重要。LEDPECVD的工艺腔室结构如图1所示，包括基台11、铠装加热器12、腔室本体13和射频支撑柱14。基台11用来承载晶片，铠装加热器12安装于基台11下方，铠装加热器12通过热传导和辐射加热的形式对基台11进行加热，从而对放置在基台11上的晶片进行加热。射频支撑柱14支撑并固定铠装加热器12。铠装加热器12的出线法兰16伸出到腔室本体13外，出线法兰16和腔室本体13通过波纹管15相连，以保证腔室本体13内部的真空状态。如图2a和图2b所示，铠装加热器12包括加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种下电极结构，包括用于承载待加工工件的基台，其特征在于，还包括位于所述基台下方的红外加热装置，所述红外加热装置包括多个真空电极和和多个红外加热管，所述真空电极的一端与与其对应的所述红外加热管相连，所述真空电极的另一端外接电缆。

【技术特征摘要】
1.一种下电极结构，包括用于承载待加工工件的基台，其特征在于，还包括位于所述基台下方的红外加热装置，所述红外加热装置包括多个真空电极和和多个红外加热管，所述真空电极的一端与与其对应的所述红外加热管相连，所述真空电极的另一端外接电缆。2.根据权利要求1所述的下电极结构，其特征在于，所述红外加热管均匀设置于所述基台的下方，且所述基台的正投影落入所述红外加热管的正投影所限定的范围内。3.根据权利要求1所述的下电极结构，其特征在于，所述下电极结构还包括侧壁和底壁，所述侧壁、底壁与所述基台三者共同形成密闭的加热空间，所述红外加热管容置于所述加热空间内，所述真空电极贯穿所述底壁。4.根据权利要求3所述的下电极结构，其特征在于，所述下电极结构还包括介质窗，所述基台设置在所述介质窗的上表面，所述侧壁、底壁与所述介质窗三者共同形成所述加热空间。5.根据权利要求4所述的下电极结构，其特征在于，所述下电极结构还包括压环，所述压环用于将所述介质窗固定于所述侧壁上。6.根据权利要求3或4所述的下电极结构，其特征在于，所述下电极结构还包括反射隔热内衬，所述反射隔热内衬设置于所述加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：王福来，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11