薄膜沉积装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的一实施例的薄膜沉积装置可以包括气体喷射单元，所述气体喷射单元包括沿第一方向对齐布置而向基板喷射互不相同的沉积气体的第一喷射部及第二喷射部，所述第一喷射部包括：第一喷射模块，喷射第一气体；以及第二喷射模块，布置于所述第一喷射模块的所述第一方向上的两侧面中的至少一面，并喷射第二气体，且所述第一喷射模块包括：第一气体管，供应所述第一气体；以及第一等离子体生成电极，布置于所述第一气体管下方，使所述第一气体贯通而使所述第一气体向所述基板喷射，且所述第二喷射模块包括：喷射主体，在内部布置有收容所述第二气体的空间；以及多个喷射喷嘴，布置于所述喷射主体的下侧，并喷射位于所述空间内的第二气体。

【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积装置
本专利技术涉及一种薄膜沉积装置。
技术介绍
通常，在基板上沉积预定厚度的薄膜的方法有如溅射(sputtering)等利用物理碰撞的物理气相沉积法(PVD：physicalvapordeposition)，以及利用化学反应的化学气相沉积法(CVD：chemicalvapordeposition)等。通常的CVD同时向腔室内注入多种反应气体而将产生的反应生成物沉积于基板。但是，在通过CVD方式同时向腔室内注入反应气体的情况下，不仅在基板表面发生反应，而且在基板上方也发生反应，从而导致产生微粒的可能性高，且成膜速度高达100nm/min以上，从而难以形成致密的薄膜。因此，正在开发一种减少颗粒产生并能够形成致密的薄膜的原子层沉积法(ALD：atomiclayerdeposition)。原子层沉积法是向腔室注入包括一种源物质的反应气体而使其化学吸附于加热后的基板，然后通过向腔室注入包括其他源物质的反应气体，从而通过源物质之间的化学反应而在基板表面沉积生成物的方法。这种原子层沉积法能够沉积阶梯覆盖(stepcoverage)优秀且杂质含量低的纯薄膜。但是，原子层沉积法的缺点在于，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜沉积装置，其中，包括：气体喷射单元，包括沿第一方向对齐布置而向基板喷射互不相同的沉积气体的第一喷射部及第二喷射部，其中，所述第一喷射部包括：第一喷射模块，喷射第一气体；以及第二喷射模块，布置于所述第一喷射模块的所述第一方向上的两侧面中的至少一面，并喷射第二气体，所述第一喷射模块包括：第一气体管，供应所述第一气体；以及第一等离子体生成电极，布置于所述第一气体管下方，使所述第一气体贯通而使所述第一气体向所述基板喷射，所述第二喷射模块包括：喷射主体，在内部布置有收容所述第二气体的空间；以及多个喷射喷嘴，布置于所述喷射主体的下方，并喷射位于所述空间内的所述第二气体。

【技术特征摘要】
2017.02.20 KR 10-2017-00223771.一种薄膜沉积装置，其中，包括：气体喷射单元，包括沿第一方向对齐布置而向基板喷射互不相同的沉积气体的第一喷射部及第二喷射部，其中，所述第一喷射部包括：第一喷射模块，喷射第一气体；以及第二喷射模块，布置于所述第一喷射模块的所述第一方向上的两侧面中的至少一面，并喷射第二气体，所述第一喷射模块包括：第一气体管，供应所述第一气体；以及第一等离子体生成电极，布置于所述第一气体管下方，使所述第一气体贯通而使所述第一气体向所述基板喷射，所述第二喷射模块包括：喷射主体，在内部布置有收容所述第二气体的空间；以及多个喷射喷嘴，布置于所述喷射主体的下方，并喷射位于所述空间内的所述第二气体。2.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，所述第一喷射模块还包括：第一排气部，相邻于所述第一等离子体生成电极而布置，并排出所述第一气体。3.如权利要求2所述的薄膜沉积装置，其中，当在平面上观察时，所述第一排气部包围所述第一等离子体生成电极。4.如权利要求2所述的薄膜沉积装置，其中，所述第一等离子体生成电极是具有四边形平面的板状形状。5.如权利要求4所述的薄膜沉积装置，其中，所述第一等离子体生成电极沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸。6.如权利要求5所述的薄膜沉积装置，其中，所述第一等离子体生成电极具有沿着第三方向贯通的多个第一贯通孔，所述第三方向与所述第一方向及第二方向交叉。7.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，所述第一喷射部还包括：第一气帘气喷射部，包围所述第一喷射模块，并向所述基板喷射气帘气。8.如权利要求7所述的薄膜沉积装置，其中，所述第一喷射部还包括：第二气帘气喷射部，包围所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张喆旼，金定坤，奇圣勋，许明洙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR