一种化学气相沉积装备用基座制造技术

本发明专利技术公开了一种化学气相沉积装备用基座，包括反应箱和基座，反应箱内部设有基座，基座内部镶嵌有加热嵌件，基座上端面设有限位框，限位框内底壁通过若干第一固定架分别固接有固定环，每一个固定环上固接有连接绳的一端，连接绳的另一端固接在同一个转动轴上，转动轴水平设置，转动轴的一端固接有电机的输出端，电机通过第二固定架固接在基座下端面上，转动轴的另一端贯穿第三固定架到达第三固定架的另一侧，限位框与基座上端面形成置物槽，置物槽内部放置有待处理物。本发明专利技术能够提高制作效率，提高产品品质，很好的解决了现有技术中被处理物的边沿尖锐部分不成膜，在后续工艺中会产生缺陷，导致质量不过关的缺点。

A base for chemical vapor deposition equipment

The invention discloses a base for chemical vapor deposition equipment, which comprises a reaction box and a base. A base is arranged in the reaction box, a heating insert is embedded in the base, a limit frame is arranged on the upper end face of the base, and a fixed ring is fixed on the bottom wall of the limit frame through a number of first fixing frames, and a connecting rope is fixed on each fixed ring. One end of the connecting rope is fixed on the same rotating shaft, the rotating shaft is arranged horizontally, one end of the rotating shaft is fixed with the output end of the motor, the motor is fixed on the lower end surface of the base through the second fixing frame, the other end of the rotating shaft runs through the third fixing frame to the other side of the third fixing frame, the limit frame and the upper end of the base. The surface is formed by placing grooves, and the disposed grooves are placed inside the placing grooves. The invention can improve the production efficiency and product quality, and solves the defect that the sharp edge part of the treated object does not become a film in the prior art, and the defect will occur in the subsequent process, which leads to the defect of poor quality.

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积装备用基座
本专利技术涉及一种基座，尤其涉及一种化学气相沉积装备用基座。
技术介绍
现有技术中，半导体器件的加工制造过程中，需要在半导体晶片(wafer)上生成导电薄膜层、绝缘薄膜层等各种薄膜层(thin-film)以及各种沟槽、开口等，生成薄膜层和沟槽等的步骤对半导体器件加工而言是至关重要的环节。一般情况下，薄膜层的生成可以通过PVD(物理气相淀积，又称溅射)、热氧化及CVD(化学气相淀积)等手段实现，沟槽、开口等可以通过刻蚀的方式实现。现有技术中的CVD、热氧化及刻蚀设备的共同点是，均需将待加工的晶片放置在基座上，之后在设备的腔体中进行相应的反应过程，在晶片的加工过程中，为了加快反应速度、提高加工效率等，往往对反应环境的温度会有一定的要求。在控制设备腔体温度的方法中，比较常用的一种方式就是给基座加热，之后由基座将热量传递给位于基座上方的晶片，从而控制反应速度等。使用现有的基座形成的薄膜在被处理物的边沿尖锐部分不成膜，在后续工艺中会产生缺陷，导致质量不过关，即后续工艺中不成膜的边沿尖锐部分作为静电渗透的通路，成为发生电路接触不良的原因，特别是绝缘部位和导电部位形成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学气相沉积装备用基座，包括反应箱（1），其特征在于：所述反应箱（1）内部形成真空腔室（2），所述真空腔室（2）内顶壁通过扩散器固定装置（4）固定连接有扩散器（3），所述扩散器（3）正下方设有基座（5），所述基座（5）内部镶嵌有加热嵌件（6），所述基座（5）上端面设有限位框（11），所述限位框（11）平行于基座（5）设置，所述限位框（11）的下端面贯穿基座（5）到达基座（5）下方，所述限位框（11）内底壁通过若干第一固定架分别固定连接有固定环（10），每一个所述固定环（10）上固定连接有连接绳（15）的一端，所述连接绳（15）的另一端固定连接在同一个转动轴（14）上，所述转动轴（14）...

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积装备用基座，包括反应箱（1），其特征在于：所述反应箱（1）内部形成真空腔室（2），所述真空腔室（2）内顶壁通过扩散器固定装置（4）固定连接有扩散器（3），所述扩散器（3）正下方设有基座（5），所述基座（5）内部镶嵌有加热嵌件（6），所述基座（5）上端面设有限位框（11），所述限位框（11）平行于基座（5）设置，所述限位框（11）的下端面贯穿基座（5）到达基座（5）下方，所述限位框（11）内底壁通过若干第一固定架分别固定连接有固定环（10），每一个所述固定环（10）上固定连接有连接绳（15）的一端，所述连接绳（15）的另一端固定连接在同一个转动轴（14）上，所述转动轴（14）水平设置，所述转动轴（14）的一端固定连接有电机（13）的输出端，所述电机（13）通过第二固定架固...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄在浩，郑大教，
申请(专利权)人：合肥微睿光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34