一种工艺设备制造技术

本发明专利技术属于半导体制备技术领域，具体涉及一种工艺设备。该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。该工艺设备能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜膜厚均匀性，改善工艺稳定性和产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种工艺设备
本专利技术属于半导体制备
，具体涉及一种工艺设备。
技术介绍
物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，简称PVD)技术被广泛应用于镀膜行业，磁控溅射一般在真空工艺腔室中进行，工艺腔室里有基座，用于支撑置于其上的衬底。一般地，由将被沉积到衬底上的材料制成的靶材固定在工艺腔室的顶部，磁铁安装在靶材背面，通过磁场增强束缚电子的能力。在衬底和靶材之间通入氩气等气体，对靶材施加负电压，使得气体电离产生等离子体，氩离子撞击靶材产生靶材材料的原子或离子，这些粒子沉积在衬底上形成薄膜。如图1所示为目前的PVD腔室(PVDchamber)的结构示意图，包括靶材1、内衬2、工艺腔室3、基座5、冷泵8(coldpump)、冷泵转接件7和冷泵门阀9等部件构成。工艺腔室的一侧为冷泵8与工艺腔室3连接的抽气口6，抽气口6下方分别为冷泵8和冷泵门阀9，冷泵门阀9可以控制冷泵8对工艺腔室3的抽气速率。从图2的PVD腔室的俯视图可见，基座5位于工艺腔室3的中心，抽气口6位于工艺腔室3的侧面，冷泵8和冷泵门阀9为偏置安装，工艺气体进入工艺腔室3后从基座5上方流过，并从基座5下方通过抽气口6进入冷泵8中。由于基座5安装在工艺腔室3的中间位置，而冷泵8偏置安装在工艺腔室3的一侧，气体进入工艺腔室3后进入基座5上方，从基座5侧面进入冷泵8的抽气区域，在基座5下方气体流动都是朝向冷泵8的方向，且越靠近冷泵8的位置气体流动速度越大，同理,这就造成在基座5上方越靠近冷泵8的位置气体流动速度较大，远离冷泵8的位置的气体流动速度较小，基座5上方气体的流动方向如图2所示。此时若进行工艺处理，由于基座5上方气体速度不同，沉积时靠近冷泵端的离子被流动速度较大的气流带走，使得距离冷泵8较近的位置因为离子较少导致薄膜偏薄，距离冷泵8较远的位置薄膜偏厚，造成了沉积薄膜厚度不同的情况，均匀性较差，良率下降。薄膜厚度的均匀性是工艺结果的重要检测指标之一，这就要求衬底表面附近存在均匀分布的气流场，在生长过程中只有输运到衬底表面各个部位的气体运动的速率都相等，气流场保持均匀平行层流，避免任何波动、湍流和对流涡旋，才能满足薄膜的浓度和厚度均匀性的要求。如何减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜的均匀性一直以来都是工程师不断追求的目标。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种工艺设备，该工艺设备能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜的均匀性。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。优选的是，所述连通位置为开设于所述隔离分流板中的开孔结构，所述隔离分流板中所述开孔的总面积大于所述抽气口的面积。优选的是，所述隔离分流板中多个所述开孔的孔径不同，靠近所述抽气口的所述开孔的孔径最小，远离所述抽气口的所述开孔的孔径最大。优选的是，所述隔离分流板中的多个所述开孔的孔径相同。优选的是，所述隔离分流板中的多个所述开孔均匀分布。优选的是，所述隔离分流板为板状无孔结构，所述连通位置为所述隔离分流板与所述支撑机构和腔室侧壁之间形成的空隙，所述空隙的总面积大于所述抽气口的面积。优选的是，所述隔离分流板与所述支撑机构之间的空隙、所述隔离分流板与所述腔室侧壁之间的空隙以所述基座的中心为中心对称分布。优选的是，还包括设置于所述工艺腔室底部的支撑柱，所述支撑柱用于固定和支撑所述隔离分流板。优选的是，所述隔离分流板采用耐高温、具有镜面反射效果的金属材料形成。优选的是，所述隔离分流板采用钼材料或不锈钢材料形成。本专利技术的有益效果是：该工艺设备通过设置隔离分流板，能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜的均匀性，改善工艺稳定性和产品良率。附图说明图1为现有技术中工艺腔室的结构示意图；图2为现有技术工艺腔室的基座上方气体流动示意图；图3为本专利技术实施例1中设置有隔离分流板的工艺腔室结构示意图；图4为图3中隔离分流板的俯视图；图5为图3中基座上方气体流动示意图；图6为本专利技术实施例2中隔离分流板的俯视图；图7为本专利技术实施例3中隔离分流板的工艺腔室结构示意图；图8为图7中隔离分流板的俯视图；图9为图7中基座上方气体流动示意图；附图标记中：1-靶材；2-内衬；3-工艺腔室；4-支撑机构；5-基座；6-抽气口；7-冷泵转接件；8-冷泵；9-冷泵门阀；10-隔离分流板；11-支撑柱；12-支撑机构与隔离分流板之间的空隙；13-隔离分流板与工艺腔室之间的空隙；14-冷泵挡板；15-加热灯管；101-工艺区；102-冷泵抽气区；141、142、143-三种不同孔径的开孔。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术工艺设备作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种工艺设备，其中通过隔离分流板(ShuntDevice)来提高沉积薄膜的均匀性，减小了冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，极大的提高了薄膜的浓度和厚度的均匀性，从而增强了设备的工艺性能，提高产品的良率。该工艺设备包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，支撑机构设置于工艺腔室底部并支撑基座，抽气口位于工艺腔室底壁以使抽气装置与工艺腔室连通，其中，在基座和抽气口之间设置有隔离分流板，隔离分流板将工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且连通位置的总面积大于抽气口的面积。例如，抽气装置为冷泵，基座设置于工艺腔室内的中心区域，冷泵通过位于工艺腔室底部的抽气口与工艺腔室连通，在工艺腔室内抽气口的上方环绕设置有隔离分流板，隔离分流板使得工艺腔室内的气体通过空隙与抽气口进行交换，空隙以基座的中心为中心对称。如图3所示为本实施例中具有隔离分流板的工艺腔室结构，其包括靶材1、内衬2(shield)、工艺腔室3、基座5、冷泵门阀9、冷泵8，抽气口6上方安装有隔离分流板10。基座5通过下方的支撑机构4安装在工艺腔室的中部，通过支撑机构4可以实现基座5的支撑和升降。隔离分流板10设在支撑机构与腔室底壁之间，由设置于工艺腔室3底部的支撑柱11固定和支撑。在本实施例的工艺设备中，将原来的工艺腔室3隔离分为两个空间，上方为工艺区101，下方为冷泵抽气区102。在本实施例的工艺设备中，连通位置为开设于隔离分流板10上的开孔结构，隔离分流板10上开孔的总面积大于抽气口的面积。如图4所示，隔离分流板10上的多个开孔的孔径相同。优选的是，隔离分流板10上的多个开孔均匀分布。图4中隔离分流板10上布置的均匀的开孔，开孔的孔径范围为10-20mm，开孔总面积大于冷泵8的抽气口6的面积，隔离分流板10的厚度范围为1-3mm，从而可以在不对抽气效果产生影响的情况下，将冷泵8的抽气作用等效分布在隔离分流板10上。此时，如图5所示，隔离分流板10上方的气体流动速度近似相等，冷泵8偏置对抽气的影响因为隔离分流板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其特征在于，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。

【技术特征摘要】
1.一种工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其特征在于，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。2.根据权利要求1所述的工艺设备，其特征在于，所述连通位置为开设于所述隔离分流板上的开孔结构，所述隔离分流板中所述开孔的总面积大于所述抽气口的面积。3.根据权利要求2所述的工艺设备，其特征在于，所述隔离分流板中多个所述开孔的孔径不同，靠近所述抽气口的所述开孔的孔径最小，远离所述抽气口的所述开孔的孔径最大。4.根据权利要求2所述的工艺设备，其特征在于，所述隔离分流板中的多个所述开孔的孔径相同。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵康宁，董博宇，武学伟，王桐，王军，郭冰亮，李丽，耿玉洁，马怀超，王庆轩，徐宝岗，刘绍辉，张鹤南，李赫楠，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11