The invention provides a sweeping method, which comprises a sweeping step: a sweeping gas is injected into the chamber, a sweeping is started according to the preset parameters, and a first voltage is loaded to the DC electrode of the electrostatic chuck during the sweeping process. The purging method provided by the invention makes the charged particles on the electrostatic chuck and its surrounding process suite easy to be purged, thereby improving the product yield.
【技术实现步骤摘要】
一种吹扫方法
本专利技术属于微电子加工
，具体涉及一种吹扫方法。
技术介绍
刻蚀工艺是集成电路(IC)芯片制造中形成图形图案的关键工艺，工艺气体通过射频产生等离子体，等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和衬底相互作用使材料表面发生各种物理和化学反应,从而使材料表面性能发生变化，完成刻蚀工艺。在实际应用中，由于颗粒在刻蚀前或刻蚀过程中会掉落在衬底上，就会在刻蚀中形成掩膜，影响原有光刻图形的转移，降低产品良率。因此，颗粒污染问题已经严重制约集成电路领域向更低技术节点的延伸，尤其是，进入32-14纳米技术代后，刻蚀的关键尺寸进一步减小，对衬底的颗粒污染提出了更高的要求。为避免上述的颗粒污染，现有技术中，通常采用图1所示的吹扫方法，将工艺残余气体和腔室内的颗粒清除干净，具体地，如图1所示，一般在刻蚀工艺完成后，确定是否进行吹扫，若否，则将衬底传出，结束；若是，则按照预设的吹扫时间、吹扫气体的流量和腔室的压力进行吹扫，吹扫完成后，将衬底传出，结束。采用图1所述的吹扫方法能够在一定程度上可以减少氢卤酸等工艺残气和颗粒，但是，...
【技术保护点】
1.一种吹扫方法，其特征在于，包括：吹扫步骤：向腔室内通入吹扫气体，按照预设参数开始进行吹扫，在吹扫过程中向静电卡盘的直流电极加载第一电压。
【技术特征摘要】
1.一种吹扫方法，其特征在于，包括：吹扫步骤：向腔室内通入吹扫气体，按照预设参数开始进行吹扫，在吹扫过程中向静电卡盘的直流电极加载第一电压。2.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，所述吹扫步骤还包括：在吹扫过程中向所述直流电极加载第一电压预设时间后，停止加载第一电压，并向所述直流电极加载与第一电压极性相反的第二电压。3.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，在所述吹扫步骤之前还包括：确定步骤，确定是否进行吹扫步骤，若是，则执行所述吹扫步骤。4.根据权利要求2所述的吹扫方法，其特征在于，所述第一电压的模值等于所述直流电极在固定衬底时的工作电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏晓，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。