反应腔室以及等离子体设备制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种反应腔室以及等离子体设备，反应腔室包括：腔室本体、内衬、支撑组件和升降驱动装置；内衬包括：第一内衬和第二内衬；第二内衬同轴外套或内套于第一内衬上，在第一内衬与第二内衬之间具有间隙，升降驱动装置用于驱动第二内衬上升或下降；在对晶圆进行工艺处理时，第一内衬和第二内衬的重叠部分的长度为预定长度，使得晶圆位于由第一内衬和第二内衬围成的工艺区域内。本发明专利技术的反应腔室以及等离子体设备，可以在工艺处理过程中将等离子体限定在一定的工艺区域内，同时能够保护腔室本体的内壁不被刻蚀，提高了工艺过程中的气流均匀性，能够保证工艺长时间稳定，使晶圆中心到边缘的刻蚀结果有较好的一致性，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
反应腔室以及等离子体设备
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种反应腔室以及等离子体设备。
技术介绍
等离子体设备广泛用于当今的半导体、太阳能电池、平板显示等制作工艺中。在目前的制造工艺中，已经使用等离子体设备类型有多种，例如电容耦合等离子体、电感耦合等离子体以及电子回旋共振等离子体等类型。目前这些类型的放电被广泛应用于物理气相沉积、等离子体刻蚀以及等离子体化学气相沉积等。图1是现有的一种常见的用于半导体干法刻蚀设备的反应腔结构。工艺气体通过进气通道02流入反应腔09内部，上部电极射频天线01产生的高频能量透过介质窗03将介质窗03下方的工艺气体电离成等离子体04，等离子体04通过物理轰击或者化学反应的方式对晶圆06上的目标区域进行刻蚀。反应腔09内部的内衬05将等离子体04限定在一定区域，同时能够保护反应腔09内壁不被刻蚀。工艺过程产生的刻蚀副产物通过内衬05底部的排气通道08排到压力控制器010，最终被抽气泵011抽走。内衬05侧面上的传片口015用于刻蚀工艺开始前传入晶圆06以及刻蚀工艺完成后传出晶圆06。刻蚀工艺开始前，内门013在内门驱动器012的作用下下降，门阀0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：腔室本体、内衬、用于支撑晶圆的支撑组件和升降驱动装置；所述内衬和所述支撑组件设置在所述腔室本体内；所述内衬包括：第一内衬和第二内衬；所述第一内衬与所述腔室本体固定连接，所述第二内衬同轴外套或内套于所述第一内衬上，在所述第一内衬与所述第二内衬之间具有间隙，所述升降驱动装置用于驱动所述第二内衬上升或下降；其中，在对晶圆进行工艺处理时，所述升降驱动装置驱动所述第二内衬下降并位于预设的第一位置，所述第一内衬和所述第二内衬的重叠部分的长度为预定长度，所述晶圆位于由所述第一内衬和所述第二内衬围成的工艺区域内。

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：腔室本体、内衬、用于支撑晶圆的支撑组件和升降驱动装置；所述内衬和所述支撑组件设置在所述腔室本体内；所述内衬包括：第一内衬和第二内衬；所述第一内衬与所述腔室本体固定连接，所述第二内衬同轴外套或内套于所述第一内衬上，在所述第一内衬与所述第二内衬之间具有间隙，所述升降驱动装置用于驱动所述第二内衬上升或下降；其中，在对晶圆进行工艺处理时，所述升降驱动装置驱动所述第二内衬下降并位于预设的第一位置，所述第一内衬和所述第二内衬的重叠部分的长度为预定长度，所述晶圆位于由所述第一内衬和所述第二内衬围成的工艺区域内。2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述升降驱动装置包括：可伸缩的升降波纹管；所述升降波纹管与所述第二内衬连接，通过所述升降波纹管的伸缩驱动所述第二内衬升降。3.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述升降驱动装置包括：气缸组件；其中，通过所述气缸组件驱动所述升降波纹管伸缩。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11