本发明专利技术实施例公开了一种等离子体处理装置，等离子体处理装置包括反应腔室、位于反应腔室内的上电极、下电极和包覆结构以及至少一个挡板，反应腔室的底部未设置下电极的部分设置有多个排气孔；包覆结构包覆排气孔和部分下电极，下电极放置基板的表面裸露，包覆结构上设置有至少一个第一开孔；挡板对应第一开孔设置，挡板用于遮挡至少部分对应的第一开孔，挡板遮挡第一开孔的面积可调。通过上述技术方案，可以通过调节挡板遮挡对应第一开孔的遮挡面积调节等离子体处理装置中工艺气体的流向，实现对刻蚀和沉积均匀性的局部改善，且包覆结构的设置减小了等离子体处理装置的反应腔室的空间，提高了工艺气体的利用率，有利于提高刻蚀或沉积速率。
【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体以及液晶显示器制造工艺中，利用等离子体来进行干蚀刻的技术较为常见，等离子体处理既可以应用在刻蚀制程中，也可以应用在沉积制程中，例如在薄膜晶体管液晶显示器前段数组的制造工艺中，常常使用等离子体进行刻蚀与沉积。等离子体刻蚀的原理是使暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速，释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。在等离子体刻蚀工艺或沉积工艺中，工艺气体在基板表面分配的均匀性是均匀刻蚀或均匀沉积的前提和保证，工艺过程中压力、温度、气体流量以及射频电源电压等因素都会引起工艺气体在基板表面存在分配不均匀的问题，进而导致刻蚀过程中存在刻蚀不均匀或沉积过程中存在沉积不均匀的问题。目前可以通过更改制程配方进行均匀性的改善，但是更改制程配方的难度系数大耗时长，更改制程配方后还需要进行大量信耐性测试，且无法对刻蚀均匀性或沉积均匀性进行局部改善。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种等离子体处理装置，设置包覆结构包覆排气孔和部分下电极，下电极放置基板的表面裸露，包覆结构上设置有至少一个第一开孔，对应第一开孔设置有挡板，挡板能够遮挡至少部分对应的第一开孔，且挡板遮挡第一开孔的面积可调，可以通过调节挡板遮挡对应第一开孔的遮挡面积调节等离子体处理装置中工艺气体的流向，实现对刻蚀均匀性或沉积均匀性的局部改善，且包覆结构的设置减小了等离子体处理装置的反应腔室的空间，提高了工艺气体的利用率，有利于提高刻蚀速率或沉积速率。本专利技术实施例提供了一种等离子体处理装置，包括反应腔室，还包括：上电极和下电极，所述上电极和所述下电极位于所述反应腔室内，所述下电极设置于所述反应腔室的底部，所述反应腔室的底部未设置所述下电极的部分设置有多个排气孔；包覆结构，所述包覆结构位于所述反应腔室内，所述包覆结构包覆所述排气孔和部分所述下电极，所述下电极放置基板的表面裸露，所述包覆结构上设置有至少一个第一开孔；至少一个挡板，所述挡板对应所述第一开孔设置，所述挡板用于遮挡至少部分对应的所述第一开孔，所述挡板遮挡所述第一开孔的面积可调。具体地，所述下电极包括垂直于所述反应腔室底部的第一表面与平行于所述反应腔室底部的第二表面，所述包覆结构包括多个第一包覆板和一个第二包覆板，所述第一表面分别相对设置有所述第一包覆板，所述第二包覆板平行于所述第二表面设置。具体地，所述第二包覆板围绕所述下电极设置，所述第二包覆板到所述反应腔室底部的垂直距离小于或等于所述下电极的上表面到所述反应腔室底部的垂直距离。具体地，所述反应腔室与所述下电极均为长方体结构。具体地，所述第一包覆板上设置有至少四个所述第一开孔，且所述第一开孔所在位置关于所述第一包覆板的几何中心对称；所述第二包覆板上设置有至少四个第一开孔，且所述第一开孔所在位置关于所述第二包覆板的几何中心对称。具体地，所述反应腔室的底部未设置所述下电极的部分设置有至少四个所述排气孔，且所述排气孔所在位置关于所述反应腔室底部的几何中心对称。具体地，所述上电极与所述下电极相对设置，所述上电极上设置有多个第二开孔，所述等离子体处理装置的进气侧为所述上电极远离所述下电极的一侧。具体地，所述挡板通过铰链或滑道固定于所述包覆结构上。具体地，所述等离子体处理装置还包括：挡板调节部件，所述挡板调节部件用于根据用户输入的挡板调节指令调节所述挡板遮挡对应的所述第一开孔的面积。具体地，所述挡板通过铰链或滑道固定于所述包覆结构上。具体地，构成所述包覆结构的材料包括金属材料或陶瓷材料中的一种。本专利技术实施例提供了一种等离子体处理装置，设置等离子体处理装置包括反应腔室、位于反应腔室内的上电极和下电极和包覆结构以及至少一个挡板，设置下电极位于反应腔室的底部，反应腔室的底部未设置下电极的部分设置有多个排气孔，包覆结构包覆排气孔和部分下电极，下电极用于放置基板的表面裸露，包覆结构上设置有至少一个第一开孔，挡板对应第一开孔设置，挡板用于遮挡至少部分对应的第一开孔，且挡板遮挡第一开孔的面积可调，可以通过调节挡板遮挡对应第一开孔的遮挡面积调节等离子体处理装置中工艺气体的流向，实现对刻蚀均匀性或沉积均匀性的局部改善，解决了现有技术通过更改制程配方无法实现刻蚀均匀性或沉积均匀性的局部调节的问题，且包覆结构的设置使得工艺气体以及刻蚀或沉积生成的易挥发物质的活动空间由原来的反应腔室变为包覆结构形成的包覆空间，相当于减小了等离子体处理装置的反应腔室的空间，提高了工艺气体的利用率，有利于提高刻蚀速率或沉积速率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种等离子体处理装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种等离子体处理装置的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种挡板的设置方式的俯视结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种挡板的设置方式的侧视示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的终端设备的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。本专利技术实施例设置等离子体处理装置包括反应腔室、位于反应腔室内的上电极和下电极和包覆结构以及至少一个挡板，设置下电极位于反应腔室的底部，反应腔室的底部未设置下电极的部分设置有多个排气孔，包覆结构包覆排气孔和部分下电极，下电极用于放置基板的表面裸露，包覆结构上设置有至少一个第一开孔，挡板对应第一开孔设置，挡板用于遮挡至少部分对应的第一开孔，且挡板遮挡第一开孔的面积可调。在等离子体刻蚀工艺或沉积工艺中，工艺气体在基板表面分配的均匀性是均匀刻蚀或均匀沉积的前提和保证，工艺过程中压力、温度、气体流量以及射频电源电压等因素都会引起工艺气体在基板表面存在分配不均匀的问题，进而导致刻蚀过程中存在刻蚀不均匀或沉积过程中存在沉积不均匀的问题。目前可以通过更改制程配方进行均匀性的改善，但是更改制程配方的难度系数大耗时长，更改制程配方后还需要进行大量信耐性测试，且无法对刻蚀均匀性或沉积均匀性进行局部改善。本专利技术实施例设置等离子体处理装置包括反应腔室、位于反应腔室内的上电极和下电极和包覆结构以及至少一个挡板，设置下电极位于反应腔室的底部，反应腔室的底部未设置下电极的部分设置有多个排气孔，包覆结构包覆排气孔和部分下电极，下电极用于放置基板的表面裸露，包覆结构上设置有至少一个第一开孔，挡板对应第一开孔设置，挡板用于遮挡至少部分对应的第一开孔，且挡板遮挡第一开孔的面积可调，可以通过调节挡板遮挡对应第一开孔的遮挡面积调节等离子体处理装置中工艺气体的流向，实现对刻蚀均匀性或沉积均匀性的局部改善，解决了现有技术通过更改制程配方无法实现刻蚀均匀性或沉积均匀性的局部调节的问题，且包覆结构的设置使得工艺气体以及刻蚀或沉积生成的易挥发物质的活动空间由原来的反应本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，包括反应腔室，其特征在于，还包括：上电极和下电极，所述上电极和所述下电极位于所述反应腔室内，所述下电极设置于所述反应腔室的底部，所述反应腔室的底部未设置所述下电极的部分设置有多个排气孔；包覆结构，所述包覆结构位于所述反应腔室内，所述包覆结构包覆所述排气孔和部分所述下电极，所述下电极放置基板的表面裸露，所述包覆结构上设置有至少一个第一开孔；至少一个挡板，所述挡板对应所述第一开孔设置，所述挡板用于遮挡至少部分对应的所述第一开孔，所述挡板遮挡所述第一开孔的面积可调。
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，包括反应腔室，其特征在于，还包括：上电极和下电极，所述上电极和所述下电极位于所述反应腔室内，所述下电极设置于所述反应腔室的底部，所述反应腔室的底部未设置所述下电极的部分设置有多个排气孔；包覆结构，所述包覆结构位于所述反应腔室内，所述包覆结构包覆所述排气孔和部分所述下电极，所述下电极放置基板的表面裸露，所述包覆结构上设置有至少一个第一开孔；至少一个挡板，所述挡板对应所述第一开孔设置，所述挡板用于遮挡至少部分对应的所述第一开孔，所述挡板遮挡所述第一开孔的面积可调。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极包括垂直于所述反应腔室底部的第一表面与平行于所述反应腔室底部的第二表面，所述包覆结构包括多个第一包覆板和一个第二包覆板，所述第一表面分别相对设置有所述第一包覆板，所述第二包覆板平行于所述第二表面设置。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二包覆板围绕所述下电极设置，所述第二包覆板到所述反应腔室底部的垂直距离小于或等于所述下电极的上表面到所述反应腔室底部的垂直距离。4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应腔...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈富军，戴巧云，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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