本发明实施例提供一种蚀刻系统放电异常检测方法和装置，该方法包括：获取与等离子体腔室连接的匹配器中可变器件的当前阻抗值；若所述当前阻抗值与预设阈值相匹配，且匹配的持续时间不小于预设时长，则确认放电异常。通过上述方案，有效解决蚀刻系统中的等...

本发明公开了一种石英件、一种工艺腔室和一种半导体处理设备。所述石英件包括底壁以及自所述底壁边沿弯折延伸形成的侧壁，所述底壁的靠近所述侧壁的边缘区域设置有至少一个贯穿所述底壁厚度的排气槽。本发明的石英件，其底壁上设置有多个上述结构的排气槽...

本发明实施例提供一种磁控溅射装置和托盘检测方法，该装置包括：腔室，所述腔室内设有用于承载托盘的基座；传感器，所述传感器能发射和/或接收沿直线路径传播的探测信号，且所述探测信号的路径平行于所述基座的承载表面，以检测所述基座上的托盘；以及控...

本发明提供了介质窗组件，包括第一介质窗和第二介质窗；所述第一介质窗与腔体壁形成封闭的腔室；所述第二介质窗叠置在所述第一介质窗的背离所述腔室的一面上。本发明还提供一种包括上述介质窗组件的反应腔室。本发明不仅降低介质窗更换成本，而且可提高介...

本发明提供一种基座偏压调节装置、半导体加工设备及薄膜制作方法，该装置包括正偏压调节单元、负偏压调节单元和转换开关，其中，正偏压调节单元的第一端接地，第二端与基座连接，用于使基座产生正偏压，并能够调节正偏压的大小；负偏压调节单元的第一端接...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，在反应腔室内设置有基座和喷淋装置，基座包括用于承载晶片的承载面；喷淋装置位于承载面上方，用于朝向承载面喷出工艺气体，还包括遮挡盘和驱动装置，在驱动装置的驱动下，遮挡盘能够移动至位于基座与喷淋装置之...

本发明公开了一种沉积系统，包括第一腔室、第二腔室及其共用的一气体供给装置，气体供给装置包括前躯体A源、前躯体B源和吹扫气体C源，前躯体A源通过第一腔室前躯体A输出管路和第二腔室前躯体A输出管路分别连接第一腔室和第二腔室，前躯体B源通过第...

本发明公开了一种反应液自动回收系统及方法，反应液自动回收系统包括：源瓶，用于存储反应液；输入管路，用于向源瓶中通入载气；输出管路，用于在工艺状态时向反应腔室通入由载气携带的源瓶中反应液的饱和蒸汽；回收管路，一端连接在所述输出管路上，用于...

本申请公开了一种顶针高度调节装置及反应腔室，该顶针高度调节装置包括：升降托，顶针的底部位于升降托上，且升降托底部设置第一斜面和第二斜面；第一调节块，第一调节块的顶部设置有第三斜面，第一斜面和第三斜面相对匹配设置；第二调节块，第二调节块的...

本申请公开了一种下电极结构，包括：底座；绝缘环，所述绝缘环放置于所述底座之上，且二者之间存在间隙；隔热环，所述隔热环完全嵌入在所述底座内；保护环，所述保护环位于所述底座与所述绝缘环之间的间隙内，且环绕在所述隔热环的外侧。保护环将隔热环与...

本发明提供一种腔室装载基片的方法，包括以下步骤：包括装载步骤和卸载步骤，所述装载步骤包括：S1，至少打开背吹气路上沿气体流向最靠近基座的背吹通道的控制阀，以使所述背吹气路中的至少部分被憋气体自所述基座的背吹通道释放至腔室中；S2，将基片...

本发明提供了一种基座安装组件，用于将基座在腔体底壁的通孔内与所述腔体底壁固定安装；所述基座安装组件包括：连接盘和辅助件；所述辅助件的底部位于所述基座的下方；所述连接盘抵在所述腔体底壁的下表面与所述辅助件固定；所述辅助件和所述基座相接触的...

本发明提供一种等离子体腔室，包括腔体、保护筒、基座、卡环和壳体，腔体内还设有壳体；在等离子体腔室进行反应加工时，所述壳体的内表面和所述保护筒的内表面围成第一空间，所述基座和所述卡环位于所述第一空间内；所述基座能够施加射频功率；所述腔体的...

本发明公开了一种表面波等离子体设备，包括依次相连的微波产生装置、微波传输装置和反应腔室，微波产生装置用于产生形成表面波等离子体的微波，微波传输装置包括波导和微波天线，微波天线包括基片集成波导和金属隔离件，金属隔离件将基片集成波导划分为至...

本发明提出了一种管路保护装置及方法。所述管路保护装置包括：气源，用于提供注入所述进气系统的气体；堵块组件，在所述第二进气管路与所述第三进气管路分离时，所述堵块组件封闭所述第二进气管路和所述第三进气管路的管口，并且所述气源经由所述堵块组件...

本实用新型提供一种半导体晶片处理腔室及半导体处理设备，该半导体晶片处理腔室包括腔体、设置在该腔体内可沿竖直方向移动的片盒和设置在腔体内的加热组件，还包括温度检测组件，该温度检测组件包括测温元件和温度检测板，该温度检测板设置在腔体内，且与...

公开了一种反应腔室和半导体设备，反应腔室包括：腔室主体；设置在腔室主体内的基座组件，所述基座组件包括金属加热盘以及用于接地的接地盘，金属加热盘具有用于承载基片的承载面；处理组件，包括围绕承载面的外沉积环，处理组件用于与基座组件配合形成工...

本发明实施例公开了一种磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备，其中的组件包括：适配器；适配器被设置为遮蔽内衬的底部和侧壁，用于将内衬固定在反应腔室内；适配器的侧壁与内衬的侧壁之间具有预设的间隙，适配器的底部与内衬的底部相接触，适配器...

本发明提供了一种阻抗匹配装置，存储单元预先存储多个阻抗可调单元中开关的多种组合状态和每种对应的阻抗参数；控制器根据传感器检测到的信号计算当前阻抗匹配装置的输入阻抗，并在存储单元查询与当前开关组合状态对应的阻抗参数，同时基于输入阻抗和阻抗...

本发明涉及一种腔室压力稳定控制系统，用于稳定控制腔室内的压力，包括控制器、用于与所述腔室连通的进气管路和出气管路；所述进气管路包括流量控制单元；所述流量控制单元用于在所述控制器的控制下控制向所述腔室通入相应气流量的气体；所述控制器，用于...