本发明公开了一种形成钝化保护层的方法、发光二极管的制作方法和发光二极管。形成钝化保护层的方法包括采用至少两个沉积阶段形成所述钝化保护层；各个沉积阶段形成具有预定厚度的钝化保护子层；多个所述钝化保护子层叠加形成所述钝化保护层；各沉积阶段的...

本发明提供的基座调节装置、腔室及半导体加工设备，该装置包括升降支架、主调节组件、第一副调节组件和第二副调节组件，升降支架与基座的升降机构连接；主调节组件、第一副调节组件和第二副调节组件将升降支架固定在腔室下方，三者的排布方式为：在基座上...

本发明公开了一种静电卡盘、工艺腔室和半导体处理设备。包括基体；冷却体，所述冷却体与所述基体相对设置；导热组件，所述导热组件夹设在所述基体与所述冷却体之间，所述导热组件包括连接件和导热件，所述连接件将所述基体与所述冷却体固定连接，所述导热...

本发明提供一种开盖装置和半导体加工设备，包括升降组件和调整组件，其中，升降组件用于驱动上电极系统升降，并在驱动上电极系统下降的过程中，将上电极系统传递至调整组件上，且在上电极系统传递至调整组件上后与上电极系统分离；调整组件用于在上电极系...

本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。所述工艺腔室包括腔室本体和LED灯源，LED灯源用于朝向腔室本体内的待处理工件发出光线，所述LED灯源包括灯罩和在所述灯罩内设置的至少一个LED芯片，每个所述LED芯片均能够发出预定波长的光线。...

本发明提供一种内衬组件及工艺腔室，所述内衬组件包括：环形的内衬主体，所述内衬主体接地；环形挡板，与地电绝缘，且设置在所述内衬主体的内侧，并且能够沿所述内衬主体的轴向移动，以调节所述环形挡板的外周壁与所述内衬主体的内周壁的重叠面积。本发明...

本发明公开了一种晶片脱附的方法、装置及半导体处理设备。所述晶片脱附的方法包括：S110、伺服控制器获取预设安全扭矩值；S120、伺服控制器控制伺服电机驱动顶针机构运动，以对晶片进行脱附，并获取所述伺服电机驱动过程中的最大扭矩值；S130...

本发明提供一种工艺腔室及半导体加工设备，该工艺腔室包括下电极机构和设置在该下电极机构上方的上电极机构，下电极机构包括多个用于承载晶片的承载位，多个承载位均匀分布在以第一圆心为圆心的第一环形区域内，上电极机构包括多个出气口，多个出气口对称...

本发明提供一种承载装置及工艺腔室，包括可升降的基座、至少三个可升降的顶针和托件，其中，基座能够上升至工艺位置或下降至传片位置，在其中设置有供顶针穿过且贯穿其厚度的通孔，托件的数量与通孔的数量相同，且一一对应的安装在各个通孔中，并能够相对...

本发明提供一种半导体设备工艺数据处理方法及系统，该方法包括：获取最后一个工艺数据及其对应的最后时间点；自所述最后时间点，向前推进预设时间获得数据处理开始数据及其对应的开始时间点，并将所述开始时间点至所述最后时间点之间的所有工艺数据作为预...

本发明提供一种反应腔室部件结构，包括部件本体和氧化膜层，其中，部件本体采用5系铝合金材料制成；氧化膜层通过部件本体氧化形成。本发明还提供反应腔室部件结构的制备方法及反应腔室。本发明可提高反应腔室部件的抗腐蚀性，从而可以提高反应腔室的使用...

本发明提供一种刻蚀方法，其包括：测试步骤，对测试晶片进行刻蚀，以形成侧壁具有预设扇贝尺寸的沟槽；比较步骤，对沟槽侧壁的深度方向上的不同位置处的扇贝尺寸进行比较；调试步骤，对待刻蚀晶片进行刻蚀，且在刻蚀过程中根据比较步骤中获得的比较结果调...

本发明公开了一种原子层沉积设备及方法。该设备包括反应腔室和至少两路气体传输系统，所述气体传输系统向所述反应腔室通入气体，每路所述气体传输系统包括：前驱体源、前驱体携载管路、前驱体稀释管路、前驱体吹扫管路和前驱体供应管路；所述前驱体吹扫管...

本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：预处理步骤，向反应腔室内通入工艺气体和能够去除晶片表面上的杂质的预处理气体；第一沉积步骤，停止通入预处理气体，并继续向反应腔室内通入工艺气体，且开启激励电源，向靶材施加激励功率，以在晶片上形成缓冲层；...

本发明提供一种承载装置及工艺腔室，该承载装置包括顶升机构、加热组件和用于承载晶片的基座，其中，基座包括用于承载晶片的承载面；顶升机构用于带动晶片上升至高于承载面的加热位置，或带动晶片下降至承载面上；加热组件贯穿基座，设置在承载面上，用于...

本发明提供一种晶圆减薄方法，其包括以下步骤：S1，向反应腔室内通入沉积气体，并开启上电极电源，以在晶圆的待减薄表面上沉积薄膜；S2，关闭上电极电源，并停止通入沉积气体，然后向反应腔室内通入刻蚀气体；S3，开启上电极电源和下电极电源，以刻...

本发明公开了一种磁控管驱动机构、磁控源和磁控溅射设备。磁控管驱动机构包括导轨、移动件、升降组件和旋转组件；移动件设置在所述导轨上且能沿所述导轨往复移动，用于与磁控管连接；升降组件与所述移动件连接，并能够作往复移动，以带动所述移动件在所述...

本发明实施例公开了一种反应气体供应系统及其控制方法，其中的反应气体供应系统包括：前驱物容器和供给调节装置；前驱物容器与反应腔室对应设置，用于向反应腔室提供反应气体；前驱物容器之间通过供给调节装置连通，通过供给调节装置控制一个或多个前驱物...

本发明提供了一种冷泵盖板及反应腔室，冷泵盖板包括挡板，挡板安装在冷泵的泵口处，还包括用于冷却挡板的冷却装置。本发明提供的冷泵盖板，包括挡板，还设有用于冷却挡板的冷却装置，工作过程中，冷却装置可以对挡板进行冷却，在高温、高功率工艺下，可以...

本实用新型实施例公开了一种腔室进气结构以及反应腔室，其中的腔室进气结构包括：设置在腔室上盖上的连接件装置和设置在腔室内的喷气盘；连接件装置设置有第一混合腔，喷气盘设置有第二混合腔；多种不反应气体在第一混合腔中进行混合，混合气体通过第一混...