北京北方华创微电子装备有限公司专利技术

北京北方华创微电子装备有限公司共有3788项专利

  • 本发明公开了一种半导体设备,包括:沉积腔室,用于对衬底进行沉积工艺,形成沉积层;表面处理腔室,用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理;远程等离子体源,共用于沉积腔室和表面处理腔室,用于向表面处理腔室通入第一等离子体,以对沉积层进行表面钝...
  • 本发明公开了一种半导体设备的清洗系统及清洗方法,清洗系统包括反应腔室、远程等离子体源、原位等离子体源、第一清洗通道和第二清洗通道,可通过第一清洗通道对反应腔室内的反应区域通入激发态清洗气体进行清洗,以及通过第二清洗通道对反应腔室内的非反...
  • 本发明提供一种冷泵再生控制方法、装置及半导体加工设备。冷泵再生控制方法包括以下步骤:步骤S1,至少一个冷泵接收到冷泵再生指令后开始再生;步骤S2,在冷泵再生时,监控所述冷泵的再生状态,若所述冷泵结束排气,则终止所述冷泵的再生;步骤S3,...
  • 本申请提供了一种反应腔室和半导体处理设备,包括:石英管、上法兰、下法兰、密封圈和缓冲件;所述石英管的一端与所述上法兰连接,所述石英管的另一端与所述下法兰连接;其中,所述上法兰包括:上法兰垫、上冷却法兰和上进气法兰,所述上法兰垫、所述上冷...
  • 本发明提供一种中转腔室及半导体加工设备,该中转腔室包括腔体、加热装置和排风装置,其中,在腔体内设置有承载装置,用于承载被加工工件;加热装置用于对被加工工件进行加热,以使被加工工件表面的残留气体挥发;排风装置用于排出腔体内的气体。本发明提...
  • 本发明提供一种预处理方法及晶片处理方法,该预处理方法包括:预处理步骤,在腔室内壁形成保护层;保护层修饰步骤,增加保护层在过薄区域的厚度,和/或减少保护层在过厚区域的厚度。本发明提供的预处理方法,其不仅可以通过形成保护层来防止腔室壁上的金...
  • 本发明提供了一种聚焦环,套置在用于承载基片的卡盘的外周壁,聚焦环包括由上至下依次叠置的上环部、中环部和下环部;中环部的内壁垂直下环部的上表面,且下环部的内径小于中环部的内径,以使基片的底部边缘能够放置于下环部相对中环部内壁凸出的上表面上...
  • 本发明公开了一种分离正负离子的装置,用于实现等离子体源中正负离子的分离,包括:绝缘腔体,绝缘腔体顶端与等离子体源连通,且绝缘腔体上设置有相对的第一开口和第二开口;电场产生组件,用于产生方向交替变化的电场,可使正离子和负离子在电场力作用下...
  • 本发明提供了一种磁控管组件,包括:旋转机构,用于在驱动机构的驱动下沿其中心轴旋转;第一磁控管,通过第一旋转臂与所述旋转机构固定连接,用以在所述旋转机构旋转时带动所述第一磁控管绕所述中心轴旋转;第二磁控管,与第二旋转臂固定连接,所述第二旋...
  • 本发明公开了一种进气机构,用于向腔室内通入反应气体,进气机构包括源进气块,源进气块设于腔室侧壁上方的凹槽内,源进气块和腔室侧壁的上表面的至少一部分覆盖有上盖,源进气块与上盖之间、上盖与腔室侧壁之间均采用密封圈进行密封,源进气块的下表面与...
  • 本发明公开了一种薄膜沉积设备,包括:反应腔室,内设有用于放置衬底的基座,基座上方设有气体喷淋头,气体喷淋头上设有用于向反应腔室内通入前躯体A的主通道以及用于向反应腔室内通入前躯体B的副通道,基座周围环绕设有气体匀流栅;反应腔室通过真空排...
  • 本发明提供了一种沉积环固定组件,包括支撑柱、固定板、限位件以及弹性件,其中:支撑柱,第一端用于与所述沉积环连接;固定板,固定设置且所述固定板上开设有安装孔,所述支撑柱的第二端贯穿所述安装孔;限位件,设置在所述支撑柱上;弹性件,被限制在所...
  • 本实用新型提供一种静电卡盘及反应腔室,该静电卡盘包括绝缘层和设置在绝缘层底部的加热体,还包括:冷却结构,设置在加热体的下方,且与加热体间隔设置,冷却结构用于通过冷却液体来将加热体的热量传递出去。本实用新型提供的静电卡盘,其可以在工艺过程...
  • 本实用新型提供一种顶针机构及反应腔室,其驱动源为直线驱动源,用于直接驱动顶针上升或下降,这与现有技术相比,无需利用曲柄机构转换方向,从而避免了因曲柄机构的方向转换而导致的速度与推动力不平稳的问题,从而可以提高顶针在推动晶圆时的平稳性,避...
  • 本实用新型提供一种对位部件及反应腔室,用于在基座位于工艺位置时使基片与基座的承载面对中,对位部件包括环形本体和引流结构,在环形本体的内周壁上设置有凸部,凸部在基座自传片位置上升至工艺位置的过程中,通过与基片的边缘相接触,来校正基片在基座...
  • 本实用新型提供一种感应线圈组及反应腔室,该感应线圈组包括用于设置在反应腔室的介质窗上方的感应线圈,感应线圈的两端分别为功率输入端和接地端,感应线圈的两端与介质窗之间的垂直间距大于感应线圈的两端之间的部分与介质窗之间的垂直间距。本实用新型...
  • 本发明公开了一种用于驱动磁控管的扫描机构、磁控源和磁控溅射设备。该扫描机构包括:导轨,导轨上设置有限位件;移动结构,设置在导轨上且能沿导轨往复移动;驱动组件,可转动地设置在导轨上,用于驱动移动结构在导轨上移动至第一预设位置或第二预设位置...
  • 本实用新型的实施例提供一种固体前驱体蒸汽的稳压和纯化装置,包括:壳体,壳体内部形成封闭的处理空间;壳体设有与处理空间相通的进气口和排气口;以及,多个匀流部件,多个匀流部件设置在壳体内部并且沿着竖直方向依次排列,将处理空间分隔成从下至上依...
  • 本实用新型提供一种喷嘴,用于向腔体内部输送工艺气体,包括进气管、第一固定件和第二固定件,其中,在所述腔体中设置有贯穿其厚度的第一通孔,所述进气管穿过所述第一通孔,并延伸至所述腔体内部;在所述第一通孔中形成有第一配合部,所述第一固定件设置...
  • 本发明提供一种机械手指、晶片传输方法及机械手,该机械手指包括用于承载晶片的手指本体,在手指本体中设置有多个吸气孔,用于吸附晶片,以将晶片固定在手指本体上,在手指本体的外侧还设置有吹气装置,用于在将晶片固定在手指本体上之后,朝向晶片的边缘...