对位部件及反应腔室制造技术

本实用新型专利技术提供一种对位部件及反应腔室，用于在基座位于工艺位置时使基片与基座的承载面对中，对位部件包括环形本体和引流结构，在环形本体的内周壁上设置有凸部，凸部在基座自传片位置上升至工艺位置的过程中，通过与基片的边缘相接触，来校正基片在基座上的位置，并且，在基座到达工艺位置时，凸部位于基座的承载面下方，以能够与基片相分离；引流结构与环形本体相邻设置，引流结构用于在基座位于工艺位置时，将吹扫气体引向基片上表面的边缘区域。本实用新型专利技术提供的对位部件及反应腔室，能够避免对位部件与基片相接触，阻挡吹扫气体对基片的边缘区域进行吹扫，从而提高基片的边缘排除区域尺寸的均匀性。

Counterpart and reaction chamber

The utility model provides a counter-position component and a reaction chamber, which is used in the bearing face of the substrate and the base when the base is based on the process position. The counter-position component includes a ring body and a drainage structure. A convex part is arranged on the inner and outer wall of the ring body, and the convex part is corrected by contacting the edge of the substrate in the process of raising the base autobiography plate position to the process position. The position on the base, and when the base reaches the technological position, the convex part is below the bearing surface of the base to separate from the substrate; the drainage structure is adjacent to the annular body, and the drainage structure is used to lead the purge gas to the edge area of the upper surface of the substrate when the base is based on the technological position. The alignment component and the reaction chamber provided by the utility model can avoid the contact between the alignment component and the substrate, prevent the purging gas from purging the edge area of the substrate, thereby improving the uniformity of the size of the edge exclusion area of the substrate.

【技术实现步骤摘要】
对位部件及反应腔室
本技术涉及半导体工艺设备
，具体地，涉及一种对位部件及反应腔室。
技术介绍
目前，在化学气相沉积(CVD)工艺中，需要避免晶片边缘沉积薄膜，即需要在晶片的边缘留有边缘排除(Edgeexclusion)区域，以保证后续工艺的正常进行，因此，通常需要对晶片的边缘进行边吹扫(Edgepurge)，将工艺气体从晶片的边缘排除区域吹走。但是，若晶片的中心偏离基座的中心放置，会导致晶片阻挡吹扫气体，以及边缘排除区域的尺寸不均匀，因此，就需要对晶片进行对位设置。如图1和图2所示，在现有技术中，对位部件环绕在基座12的周围，且与基座12中心对称，对位部件包括对位件13和遮挡件14，对位件13与基座12之间还具有供吹扫气体通过的间隙17，对位件13上设置有朝向基座12中心凸出的对位部15，对位部15上还设置有斜面16，当向腔室内传递晶片11时，基座12下降至低位，使对位件13与遮挡件14分开，晶片11可从对位件13与遮挡件14之间传入，若晶片11的中心偏离基座12的中心，则晶片11会落在斜面16上，并沿斜面16滑落到基座12上，从而使晶片11与基座12中心对称，之后基座12上升，使对位件13与遮挡件14接触，此时，遮挡件14会遮挡在晶片11边缘的上方，从而使吹扫气体沿间隙17以及遮挡件14流动对晶片11的边缘进行吹扫。但是，在现有技术中，为了使晶片11能够沿斜面16滑落到基座12上，对位部15要高于基座12，这就使得晶片11位于基座12上后，晶片11的边缘会与对位部15的边缘相接触，从而阻挡吹扫气体的流动，使吹扫气体无法对晶片11与对位部15接触处的晶片11的边缘进行吹扫，导致工艺后边缘排除区域的尺寸不均匀。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种对位部件及反应腔室，其能够避免对位部件与基片相接触，阻挡吹扫气体对基片的边缘区域进行吹扫，从而提高基片的边缘排除区域尺寸的均匀性。为实现本技术的目的而提供一种对位部件，用于在基座位于工艺位置时使基片与所述基座的承载面对中，所述对位部件包括环形本体和引流结构，在所述环形本体的内周壁上设置有凸部，所述凸部在所述基座自传片位置上升至所述工艺位置的过程中，通过与所述基片的边缘相接触，来校正所述基片在所述基座上的位置，并且，在所述基座到达所述工艺位置时，所述凸部位于所述基座的承载面下方，以能够与所述基片相分离；所述引流结构与所述环形本体相邻设置，所述引流结构用于在所述基座位于所述工艺位置时，将吹扫气体引向所述基片上表面的边缘区域。优选的，所述凸部包括对位斜面，所述对位斜面朝向所述环形本体的轴线设置，且与所述环形本体的轴线之间的间距由下而上逐渐减小；在所述基座自所述传片位置上升至所述工艺位置的过程中，所述对位斜面通过与所述基片的边缘相接触，来校正所述基片在所述基座上的位置。优选的，所述对位斜面与所述承载面之间的夹角大于80°，且小于90°。优选的，所述凸部为闭合的环体；或者，所述凸部为多个，多个所述凸部沿所述环形本体的周向间隔设置。优选的，当所述凸部为多个时，每个所述凸部沿所述环形本体的周向的长度的取值范围为1mm-5mm。优选的，所述引流结构包括第一引流环体和第二引流环体，其中，所述第一引流环体与所述环形本体相邻设置，且在所述基座位于所述工艺位置时，所述第一引流环体环绕在所述基片周围；并且在所述第一引流环体与所述基片之间具有第一间隙；所述第二引流环体与所述第一引流环体相邻设置，且在所述基座位于所述工艺位置时，所述第二引流环体遮挡在所述基片上表面的边缘区域上方。优选的，在所述第一引流环体的内周壁上设置有环形凹槽，所述环形凹槽在所述基座位于所述工艺位置时，环绕在所述基片周围。优选的，所述第一间隙大于1.5mm。优选的，所述引流结构还包括辅助环体，所述基座包括第一基座和设置在所述第一基座下方的第二基座，所述第一基座的外径小于所述第二基座的外径，所述第一基座用于承载所述基片，所述第二基座用于承载所述辅助环体，且所述辅助环体环绕在所述第一基座的周围，并与所述第一基座之间具有第二间隙，所述辅助环体用于在所述基座位于所述工艺位置时，承载所述环形本体。本技术还提供一种反应腔室，包括基座和上述所述对位部件。本技术具有以下有益效果：本技术提供的对位部件，借助设置在环形本体内周壁上的凸部，在基座自传片位置上升至工艺位置的过程中，通过与基片的边缘相接触，来校正基片在基座上的位置，从而在基座达到工艺位置时使基片与基座的承载面对中，并且在基座达到工艺位置时，借助与环形本体上相邻设置的引流结构，将吹扫气体引向基片上表面的边缘区域，并且凸部位于基座的承载面下方，以能够与基片相分离，从而避免对位部件与基片相接触，阻挡吹扫气体对基片的边缘区域进行吹扫，进而提高基片的边缘排除区域尺寸的均匀性。本技术提供的反应腔室，借助本技术提供的对位部件，在基座位于工艺位置时使基片与基座的承载面对中，并且能够避免对位部件与基片向接触，阻挡吹扫气体对基片的边缘区域进行吹扫，从而提高基片的边缘排除区域尺寸的均匀性。附图说明图1为现有技术中对位部件在传片时的结构示意图；图2为现有技术中对位部件在工艺时的结构示意图；图3为本技术提供的对位部件在基座位于传片位置时的结构示意图；图4为本技术提供的对位部件在基座位于工艺位置时的结构示意图；附图标记说明：11-晶片；12-基座；13-对位件；14-遮挡件；15-对位部；16-斜面；17-间隙；21-基片；31-环形本体；32-凸部；33-对位斜面；41-辅助环体；42-环形凹槽；43-第二引流环体；51-第一基座；52-第二基座；61-第一间隙；62-第二间隙。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图来对本技术提供的对位部件及反应腔室进行详细描述。如图3和图4所示，本实施例提供一种对位部件，用于在基座位于工艺位置时使基片21与基座的承载面对中，对位部件包括环形本体31，在环形本体31的内周壁上设置有凸部32，凸部32在基座自传片位置上升至工艺位置的过程中，通过与基片21的边缘相接触，来校正基片21在基座上的位置，并且，在基座到达工艺位置时，凸部32位于基座的承载面下方，以能够与基片21相分离；在环形本体31上还设置有引流结构，引流结构用于在基座位于工艺位置时，将吹扫气体引向基片21上表面的边缘区域。本实施例提供的对位部件，借助设置在环形本体31内周壁上的凸部32，在基座自传片位置上升至工艺位置的过程中，通过与基片21的边缘相接触，来校正基片21在基座上的位置，从而在基座达到工艺位置时使基片21与基座的承载面对中，并在基座达到工艺位置时，借助设置在环形本体31上的引流结构，将吹扫气体引向基片21上表面的边缘区域，并且凸部32位于基座的承载面下方，以能够与基片21向分离，从而避免对位部件与基片21相接触，阻挡吹扫气体对基片21的边缘区域进行吹扫，进而提高基片21的边缘排除区域尺寸的均匀性。在实际应用中，引流结构还包括辅助环体41，基座包括第一基座51和设置在第一基座51下方的第二基座52，第一基座51的外径小于第二基座52的外径，第一基座51用于承载基片2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对位部件，用于在基座位于工艺位置时使基片与所述基座的承载面对中，其特征在于，所述对位部件包括环形本体和引流结构，在所述环形本体的内周壁上设置有凸部，所述凸部在所述基座自传片位置上升至所述工艺位置的过程中，通过与所述基片的边缘相接触，来校正所述基片在所述基座上的位置，并且，在所述基座到达所述工艺位置时，所述凸部位于所述基座的承载面下方，以能够与所述基片相分离；所述引流结构与所述环形本体相邻设置，所述引流结构用于在所述基座位于所述工艺位置时，将吹扫气体引向所述基片上表面的边缘区域。

【技术特征摘要】
1.一种对位部件，用于在基座位于工艺位置时使基片与所述基座的承载面对中，其特征在于，所述对位部件包括环形本体和引流结构，在所述环形本体的内周壁上设置有凸部，所述凸部在所述基座自传片位置上升至所述工艺位置的过程中，通过与所述基片的边缘相接触，来校正所述基片在所述基座上的位置，并且，在所述基座到达所述工艺位置时，所述凸部位于所述基座的承载面下方，以能够与所述基片相分离；所述引流结构与所述环形本体相邻设置，所述引流结构用于在所述基座位于所述工艺位置时，将吹扫气体引向所述基片上表面的边缘区域。2.根据权利要求1所述的对位部件，其特征在于，所述凸部包括对位斜面，所述对位斜面朝向所述环形本体的轴线设置，且与所述环形本体的轴线之间的间距由下而上逐渐减小；在所述基座自所述传片位置上升至所述工艺位置的过程中，所述对位斜面通过与所述基片的边缘相接触，来校正所述基片在所述基座上的位置。3.根据权利要求2所述的对位部件，其特征在于，所述对位斜面与所述承载面之间的夹角大于80°，且小于90°。4.根据权利要求1-3任意一项所述的对位部件，其特征在于，所述凸部为闭合的环体；或者，所述凸部为多个，多个所述凸部沿所述环形本体的周向间隔设置。5.根据权利要求4所述的对位部件，其特征在于，当所述凸部为多个时，每个所述凸部沿所述环...

【专利技术属性】
技术研发人员：何中凯，傅新宇，荣延栋，魏景峰，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11