一种半导体晶圆湿法蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体晶圆湿法蚀刻装置，包括主体外壳、刻蚀腔体、药液槽、循环泵和调温装置，所述主体外壳内壁位于刻蚀腔体和药液槽间固定连接有引流板，所述引流板上等距间隔设有多个蚀刻液进酸孔和蚀刻液抽酸孔，所述调温装置的输入端与循环泵的输出端连接，调温装置的输出端还连接有过滤装置，所述过滤装置的输出端通过输送管道与蚀刻液进酸孔连接，所述蚀刻液抽酸孔通过回流管道与循环泵的输入端连接。本实用新型专利技术通过利用循环系统，将蚀刻液经由前述之引流板，使蚀刻液由进酸孔注入蚀刻槽内或将蚀刻液由蚀刻液抽酸孔抽出刻蚀腔体外，藉由不断重复的注入与抽取蚀刻液所形成的流场变化搭配晶圆自转，达到晶圆蚀刻的目的。

A Wet Etching Device for Semiconductor Wafers

The utility model discloses a semiconductor wafer wet etching device, which comprises a main shell, an etching chamber, a medicine liquid trough, a circulating pump and a temperature regulating device. The inner wall of the main shell is fixed and connected with a drainage plate between the etching cavity and the medicine liquid trough. The drainage plate is equidistantly spaced with a plurality of etching liquid entering acid holes and etching liquid extracting acid holes, and the input end and circulation of the temperature regulating device. The output end of the pump is connected, and the output end of the temperature regulating device is also connected with the filter device. The output end of the filter device is connected with the acid intake hole of the etching liquid through a conveying pipe, and the acid extraction hole of the etching liquid is connected with the input end of the circulating pump through a reflux pipe. The utility model uses a circulating system to inject the etching solution into the etching groove through the aforementioned drainage plate, or pull the etching solution out of the etching cavity through the etching solution drainage hole. The purpose of wafer etching is achieved by matching the flow field changes formed by repeated injection and extraction of the etching solution with the wafer rotation.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆湿法蚀刻装置
本技术涉及半导体湿法刻蚀工艺
，具体是一种半导体晶圆湿法蚀刻装置。
技术介绍
现行半导体湿法蚀刻是以单方向的流向以溢流的方式加上机械摇摆的设计形成蚀刻槽的流场变化来进行湿法蚀刻制程的，同时为使其在蚀刻制程中获得良好的蚀刻均匀性，多数湿法蚀刻设备也会在机械摇摆装置上加上能使半导体晶圆自转的机构，藉以在湿法蚀刻上下摇摆的过程中使半导体晶圆同时自转，以增进蚀刻的质量。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半导体晶圆湿法蚀刻装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种半导体晶圆湿法蚀刻装置，包括主体外壳、刻蚀腔体、药液槽、循环泵和调温装置，所述主体外壳内壁位于刻蚀腔体和药液槽间固定连接有引流板，所述引流板上等距间隔设有多个蚀刻液进酸孔和蚀刻液抽酸孔，所述调温装置的输入端与循环泵的输出端连接，调温装置的输出端还连接有过滤装置，所述过滤装置的输出端通过输送管道与蚀刻液进酸孔连接，所述蚀刻液抽酸孔通过回流管道与循环泵的输入端连接。作为本技术进一步的方案：所述输送管道的一端分流设计，且每一节分流管道均与对应的蚀刻液进酸孔连接。作为本技术再进一步的方案：所述回流管道的一端分流设计，且每一节分流管道均与对应的蚀刻液抽酸孔连接。作为本技术再进一步的方案：所述输送管道上位于与循环泵的连接处设有节流阀。作为本技术再进一步的方案：所述蚀刻液进酸孔和蚀刻液抽酸孔上均设有单向逆止阀门。作为本技术再进一步的方案：所述主体外壳为中空双层结构且主体外壳为透明塑料材质。与现有技术相比，本技术的有益效果是：与现有蚀刻设备机构相比，所述之半导体晶圆湿法蚀刻装置，舍弃了传统的机械摇摆装置并以刻蚀腔体底部均匀排列独立运作之蚀刻液进酸及蚀刻液抽酸孔，利用循环系统不断重复的将蚀刻液注入与抽取所形成的流场变化达到晶圆蚀刻并同时简化设备机构及降低设备成本的目的；同时，藉由调整往覆式循环系统的参数，可针对产品特性，进行蚀刻参数及蚀刻液液位的调整，以增加本技术蚀刻设备生产之应用性并节省蚀刻液的用量而达到、节省成本且间接达到保护环境的目的。附图说明图1为半导体晶圆湿法蚀刻装置的结构示意图。图中：1、主体外壳；2、刻蚀腔体；3、药液槽；4、晶圆自转机构；5、循环泵；6、调温装置；7、引流板；8、蚀刻液进酸孔；9、蚀刻液抽酸孔；10、过滤装置；11、输送管道；12、回流管道；13、节流阀。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种半导体晶圆湿法蚀刻装置，包括主体外壳1、刻蚀腔体2、药液槽3、晶圆自转机构4、循环泵5和调温装置6，主体外壳1为中空双层结构且主体外壳1为透明塑料材质，使整个装置的内部结构更加清晰，更加方便对操作的掌控，同时也方便了设备的维护和检修，主体外壳1内壁位于刻蚀腔体2和药液槽3间固定连接有引流板7，引流板7上等距间隔设有多个蚀刻液进酸孔8和蚀刻液抽酸孔9，蚀刻液进酸孔8和蚀刻液抽酸孔9上均设有单向逆止阀门，调温装置6的输入端与循环泵5的输出端连接，调温装置6的输出端还连接有过滤装置10，过滤装置10的输出端通过输送管道11与蚀刻液进酸孔8连接，输送管道11的一端分流设计，且每一节分流管道均与对应的蚀刻液进酸孔8连接，输送管道11上位于与循环泵5的连接处设有节流阀13，蚀刻液抽酸孔9通过回流管道12与循环泵5的输入端连接，回流管道12的一端分流设计，且每一节分流管道均与对应的蚀刻液抽酸孔9连接，通过循环泵5配合输送管道11和回流管道12使蚀刻液形的流向形成循环系统。本技术的工作原理是：循环泵5将蚀刻液通过输送管道11输送到调温装置6再经过滤装置10，从蚀刻液进酸孔进入刻蚀腔体2对晶圆自转机构4上的半导体晶圆进行蚀刻，通过透明塑料材质的主体外壳1，能够清晰的观察整个装置的内部情况，根据情况，调节节流阀13，从而控制蚀刻液的输送量，蚀刻结束后，通过循环泵5配合回流管道12将蚀刻液从蚀刻液抽酸孔9抽出刻蚀腔体2，使得蚀刻液循环利用，而同时以蚀刻液进酸孔8和蚀刻液抽酸孔9上均设有的单向逆止阀门，使得刻蚀腔体底部的刻液进酸孔8和蚀刻液抽酸孔9均匀排列独立运作。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶圆湿法蚀刻装置，包括主体外壳(1)、刻蚀腔体(2)、药液槽(3)、晶圆自转机构(4)、循环泵(5)和调温装置(6)，其特征在于，所述主体外壳(1)内壁位于刻蚀腔体(2)和药液槽(3)间固定连接有引流板(7)，所述引流板(7)上等距间隔设有多个蚀刻液进酸孔(8)和蚀刻液抽酸孔(9)，所述调温装置(6)的输入端与循环泵(5)的输出端连接，调温装置(6)的输出端还连接有过滤装置(10)，所述过滤装置(10)的输出端通过输送管道(11)与蚀刻液进酸孔(8)连接，所述蚀刻液抽酸孔(9)通过回流管道(12)与循环泵(5)的输入端连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆湿法蚀刻装置，包括主体外壳(1)、刻蚀腔体(2)、药液槽(3)、晶圆自转机构(4)、循环泵(5)和调温装置(6)，其特征在于，所述主体外壳(1)内壁位于刻蚀腔体(2)和药液槽(3)间固定连接有引流板(7)，所述引流板(7)上等距间隔设有多个蚀刻液进酸孔(8)和蚀刻液抽酸孔(9)，所述调温装置(6)的输入端与循环泵(5)的输出端连接，调温装置(6)的输出端还连接有过滤装置(10)，所述过滤装置(10)的输出端通过输送管道(11)与蚀刻液进酸孔(8)连接，所述蚀刻液抽酸孔(9)通过回流管道(12)与循环泵(5)的输入端连接。2.根据权利要求1所述的半导体晶圆湿法蚀刻装置，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：江富杰，
申请(专利权)人：合肥新汇成微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34