本发明提供一种腔室及半导体加工设备，在腔室内设置有工艺组件及用于在腔室空闲时烘烤工艺组件的加热装置，还包括温度监控装置，用于监测工艺组件的温度；根据工艺组件的温度，来调节加热装置的输出功率，以将工艺组件的温度维持在目标温度。本发明提供的...

本发明提供一种晶圆预定位方法，其包括：使晶圆旋转，同时进行晶圆槽口寻找过程，以确定晶圆槽口位置；使晶圆停止旋转，并计算晶圆槽口的当前位置与目标位置的距离；将晶圆槽口旋转至目标位置。本发明提供的晶圆预定位方法，其无需晶圆旋转360°以上，...

本发明提供一种抽真空腔室及抽真空方法，该抽真空腔室包括腔室本体；边缘固定装置，设置在所述腔室本体中，用于基于待加工工件的边缘将所述待加工工件可控地固定在所述腔室本体中；及吹扫装置，设置在所述边缘固定装置的下方，用于对所述待加工工件的下表...

本发明提供一种阻挡层沉积方法、金凸块的底层金属薄膜及其制备方法，该沉积方法用于在底材上形成阻挡层组，包括包括在底材上形成阻挡层组的步骤，该步骤包括：沿远离底材的方向依次沉积至少三层叠置的阻挡层来形成所述阻挡层组；其中，沉积最上层的阻挡层...

本申请实施例提供了一种上电极结构、刻蚀腔室及半导体加工设备。该上电极结构，用于向刻蚀腔室内施加射频功率，其包括：线圈、电极及射频电源组件；所述线圈设置于所述刻蚀腔室内且位于设置在所述刻蚀腔室内的介质窗的上方；所述电极设置于所述刻蚀腔室内...

本发明提供一种生长炉用坩埚托盘及生长炉，该生长炉用坩埚托盘包括托盘本体、调节底托、第一调节件、第二调节件，其中，调节底托设置于托盘本体的底部，用于承载托盘本体；第一调节件为多个，均设置于调节底托上，并沿调节底托的周向分布；第二调节件也为...

一种用于薄膜沉积设备的源瓶和半导体设备，用于薄膜沉积设备的源瓶包括源瓶本体、设于源瓶本体内且相连接的内转动件和用于承载固态源的承载件、设于源瓶本体外的外转动件、以及用于驱动外转动件转动的驱动组件，其中，外转动件能够通过磁力作用驱动内转动...

本发明提供一种清洗装置，用于对石英管及石英舟清洗，包括工艺槽、滚动机构及机械手；所述工艺槽用于提供清洗液以清洗所述石英管及所述石英舟；所述滚动机构包括滚轮，所述滚轮设置于所述工艺槽内，用于带动所述石英管转动；所述机械手位于所述工艺槽的上...

本发明公开了一种静电卡盘、工艺腔室和半导体处理设备。静电卡盘包括卡盘本体，具有用于承载待测晶片的承载面；射频负偏压检测组件，用于检测待测晶片的射频负偏压，射频负偏压检测组件包括：检测电极，至少部分内嵌于卡盘本体内；导电层，设置在承载面上...

本发明公开了一种限位结构、机械手、传输腔室和半导体处理设备。包括限位件和与限位件相对设置的接触组件，限位件上设置有缓冲部和限位部，接触组件与限位件之间产生相对运动时，接触组件能够在缓冲部上平缓移动后经限位部限位。本发明的限位结构，利用所...

本发明提供一种机械手调度方法、机械手调度系统及半导体设备，机械手包括第一机械手和第二机械手，该方法包括以下步骤：S1：控制所述第一机械手获取待加工工件；S2：检测腔室中是否有工件；若有，执行步骤S3；若没有，执行步骤S4；S3：当所述腔...

本发明公开了一种实现多个腔室匹配的方法和装置。方法包括设定各腔室的初始工艺参数，其中，各所述腔室的初始工艺参数均相同；获取各所述腔室的实际硬件参数信息；根据所述实际硬件参数信息确定对应的所述腔室的工艺参数调整量；基于各所述腔室的所述工艺...

本发明提供一种SOG片预处理方法、SOG片传输方法、翘曲度检测装置及SOG片传输系统，通过确定待预热SOG片的翘曲度，并根据翘曲度、预设的翘曲度阈值和预设的预热时间阈值之间的关系式确定待预热SOG片的预热时间。本发明通过在每个SOG片预...

本发明提供一种清洗方法和清洗设备，该方法包括以下步骤：S1，使晶片旋转，向晶片正面喷淋能够去除晶片正面上的氧化膜的第一清洗液，同时向晶片背面喷淋超纯水；S2，保持晶片旋转，并向晶片正面喷淋超纯水，同时在晶片的转速大于或等于预设转速值时，...

本发明公开了一种反应腔室及半导体加工设备，在反应腔室内设置有匀流板，匀流板将反应腔室分隔为匀流腔和位于该匀流腔下方的工艺腔，所述工艺腔中设有用于承载晶圆的基座，该匀流板为非平板结构，该非平板结构被设置为：使所述匀流腔的边缘区域中的气体经...

本发明公开了射频阻抗匹配的方法、装置和设备。包括：S110、扫频匹配阶段；S120、扫频保持阶段；S110包括循环执行至少一次下述步骤：S111、获取当前脉冲周期在预定的至少一个脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；S112、分别判断当...

本发明属于计算机/工控技术领域，涉及工业设备控制方法及其系统、存储设备。该工业设备控制方法包括步骤：获取下位机对上位机的通知需求；增设下位机线程，将其配置为下位机对上位机的通讯线程；增设任务包，将上位机的回调函数中的处理内容的待通知内容...

本申请实施例提供了一种晶体生长炉。该晶体生长炉用于碳化硅晶体的生长，包括：坩埚及设置于坩埚内环形石墨片；坩埚的顶部用于承载待加工件，环形石墨片与坩埚的底壁之间的空间用于容置碳化硅原料；环形石墨片的外边缘与坩埚内壁贴合，用于阻挡坩埚内壁处...

一种溅射方法。该溅射方法包括进行至少一次溅射工艺，各溅射工艺包括：S1：将基板移入腔室；S2：将挡板设置在靶材和基板之间；S3：利用靶材在挡板上溅射靶材金属的化合物；S4：将挡板从靶材与基板之间移开；以及S5：利用靶材在基板上沉积靶材金...

本发明提供一种静电卡盘，包括导电基座和绝缘层，所述导电基座包括第一承载面，所述绝缘层包括用于承载工件的第二承载面和与所述第二承载面相对的热传导面，所述热传导面朝向所述第一承载面，其中，所述静电卡盘还包括绝缘导热件，所述绝缘导热件设置在所...