抽真空腔室及抽真空方法技术

本发明专利技术提供一种抽真空腔室及抽真空方法，该抽真空腔室包括腔室本体；边缘固定装置，设置在所述腔室本体中，用于基于待加工工件的边缘将所述待加工工件可控地固定在所述腔室本体中；及吹扫装置，设置在所述边缘固定装置的下方，用于对所述待加工工件的下表面进行吹扫。本发明专利技术提供的抽真空腔室，不仅包括抽真空装置，还包括吹扫装置，可以在抽真空过程中对边缘固定装置上固定的晶圆的下表面进行吹扫，将待加工工件下表面上影响其固定的较大尺寸的颗粒吹落，从而有效减少因待加工工件下表面的颗粒黏附而造成的固定异常现象(静电吸附不牢固)；且吹落的颗粒物质会在抽真空腔室抽真空过程中被带走，不会对工艺气体或者待加工工件再次造成污染。

Vacuum chamber and method

The invention provides a vacuumizing cavity and a vacuumizing method, the vacuumizing cavity includes a cavity body; an edge fixing device is arranged in the cavity body, which is used to fix the workpiece to be processed in the cavity body based on the edge of the workpiece to be processed; and a purging device is arranged under the edge fixing device, which is used for fixing the workpiece to be processed Blow down the lower surface. The vacuum chamber provided by the invention not only includes a vacuum pumping device, but also a purging device. During the vacuum pumping process, the lower surface of the wafer fixed on the edge fixing device can be purged to blow off the larger size particles on the lower surface of the workpiece to be processed that affect its fixation, so as to effectively reduce the abnormal fixation caused by the adhesion of particles on the lower surface of the workpiece to be processed Like (the electrostatic absorption is not firm); and the blown particles will be taken away during the vacuumizing process of the vacuum chamber, which will not cause pollution to the process gas or the workpiece to be processed again.

【技术实现步骤摘要】
抽真空腔室及抽真空方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种抽真空腔室及抽真空方法。
技术介绍
随着集成电路的不断发展，对晶圆刻蚀精度以及稳定性的要求也在不断提高。在目前的晶圆刻蚀工艺中，通常是先将晶圆传输到工艺腔室的静电卡盘上，通过静电吸附进行固定，并通过静电卡盘的自身控温以及氦气的通入对晶圆温度进行精确控制。其中，将晶圆通过静电吸附固定到静电卡盘上是进行晶圆正常刻蚀的重要前提。现有技术中，传统的晶圆传输过程为，首先将晶圆从大气环境传入抽真空腔室内，然后对抽真空腔室进行抽真空处理，之后再传入真空的工艺腔室内。由于晶圆在进入抽真空腔室之前，通常已进行了多项工艺处理，而晶圆从上一层工艺到下一层工艺的过程中，其底部可能会粘有一些大颗粒物质，而当晶圆底部存在大尺寸、颗粒状的附着物时，会使得工艺腔室里的静电卡盘对晶圆的静电吸附力不足，导致晶圆底面氦气流量异常，甚至造成刻蚀机台报警，刻蚀流程终止等，严重者还会造成晶圆发生偏移，继而造成晶圆的报废。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种抽真空腔室及抽真空方法。为实现本专利技术的目的，一方面提供一种抽真空腔室，包括：腔室本体；边缘固定装置，设置在所述腔室本体中，用于基于待加工工件的边缘将所述待加工工件可控地固定在所述腔室本体中；吹扫装置，设置在所述边缘固定装置的下方，用于对所述待加工工件的下表面进行吹扫。可选地，所述吹扫装置包括：多个出气管路、分别与所述多个出气管路连接的供气管路、设置在所述供气管路上的通断开关和流量控制器，其中，所述多个出气管路用于向所述待加工工件的下表面喷出吹扫气体；所述供气管路用于向所述多个出气管路提供所述吹扫气体；所述通断开关用于控制所述供气管路的关断和导通；所述流量控制器用于控制所述吹扫气体的流量。可选地，所述多个出气管路的出气口分布在圆心与所述边缘固定装置的轴线重合的一个或多个半径不同的圆周上，同一所述圆周上的多个所述出气口沿该圆周均匀分布。可选地，所述多个出气管路形成在所述腔室本体的底板中，所述出气管路的出气口分布在所述底板的内表面上，所述出气管路的进气口位于所述底板的外表面上，并与所述供气管路连通。可选地，所述抽真空腔室还包括：压力传感器和控制单元，其中，所述压力传感器设置在所述腔室本体中，用于检测所述腔室本体中的气体压力，并将其发送至所述控制单元；所述控制单元用于根据所述气体压力控制所述通断开关的开合和/或控制所述流量控制器调节所述供气管路中的气体流量大小。可选地，所述边缘固定装置为设置在所述腔室本体侧壁上的环状真空吸附盘，用于真空吸附所述待加工工件的边缘将所述待加工工件可控地固定在所述腔室本体中。可选地，所述抽真空腔室还包括：升降机构，用于驱动所述边缘固定装置作升降运动，以将所述待加工工件移动至预设位置。另一方面，基于上述抽真空腔室相同的专利技术构思，提供一种抽真空方法，应用于上述的抽真空腔室，包括：S101，将待加工工件固定在边缘固定装置上，对腔室本体进行抽真空处理，直至所述腔室本体内的压力达到预设的第一压力值；S102，开启所述吹扫装置，对所述待加工工件的下表面进行吹扫，直至满足预设的吹扫条件；S103，继续对所述腔室本体进行抽真空处理，直至所述腔室本体内的压力达到预设的目标压力值。可选地，所述步骤S102具体包括：S1021，开启所述吹扫装置，对所述待加工工件的下表面进行吹扫；S1022，判断是否满足所述预设吹扫条件，所述预设吹扫条件为所述腔室本体内的压力是否达到预设的第二压力值，或者吹扫时间是否达到预设时长；若是，则停止吹扫；若否，则继续吹扫。可选地，在步骤S102之前，还包括：启动升降机构，驱动所述边缘固定装置作升降运动，将所述待加工工件移动至预设位置可选地，所述第一压力值为5Torr-100Torr；和/或所述第二压力值为500Torr-760Torr；和/或在所述步骤S102中，所采用的气体流量值为300sccm～800sccm。可选地，还包括：S201，接收用户输入的启用所述吹扫装置的第一指令或不启用所述吹扫装置的第二指令；若接收到所述第一指令，则进行步骤S202；若接收到所述第二指令，则进行不吹扫的抽真空处理；S202，接收用户输入的所有工艺默认启用所述吹扫装置的第三指令，或者单个工艺启用所述吹扫装置的第四指令；若接收到所述第三指令，则进行步骤S203；若接收到所述第四指令，则进行步骤S204；S203，接收用户选择的所述预设吹扫条件，并进行步骤S101；S204，接收用户输入的当前工艺启用所述吹扫装置的第五指令，或当前工艺不启用所述吹扫装置的第六指令；若接收到所述第五指令，则进行所述步骤S203；若接收到所述第六指令，则进行所述不吹扫的抽真空处理。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的抽真空腔室，不仅包括腔室本体和边缘固定装置，还包括吹扫装置，可以在抽真空过程中对边缘固定装置上固定的待加工工件的下表面进行吹扫，将待加工工件下表面上影响其固定的较大尺寸的颗粒吹落，从而有效减少因待加工工件下表面的颗粒黏附而造成的固定异常现象(吸附不牢固)；且吹落的颗粒物质会在对腔室本体抽真空处理的过程中被带走，不会对工艺气体或者待加工工件再次造成污染。附图说明图1为本专利技术实施例提供的抽真空腔室的剖切结构示意图；图2A为本专利技术实施例提供的出气管路的布置示意图一；图2B为本专利技术实施例提供的出气管路的布置示意图二；图3A为本专利技术实施例提供的出气管路的布置示意图三；图3B为本专利技术实施例提供的出气管路的布置示意图四；图4为本专利技术实施例提供的抽真空方法的工艺流程图；图5为本专利技术实施例提供的抽真空方法中包括的选择过程的流程示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的抽真空腔室及抽真空方法进行详细描述。如图1所示，本实施例提供一种抽真空腔室，其是待加工工件进入工艺腔室前的过渡腔室，该抽真空腔室可以应用于刻蚀类的半导体设备，其可以包括腔室本体100、边缘固定装置10及吹扫装置，其中，边缘固定装置10设置在腔室本体100中，用于基于待加工工件的边缘将待加工工件可控地固定在腔室本体100中。吹扫装置设置在边缘固定装置10的下方，用于对待加工工件60的下表面进行吹扫，图1中箭头所指的是吹扫气体的流动方向。其中待加工工件60可以是晶圆，下面均以晶圆为例进行说明。本实施例提供的抽真空腔室，不仅包括腔室本体100和边缘固定装置10，还包括吹扫装置，可以在抽真空过程中对边缘固定装置10上固定的晶圆的下表面进行吹扫，将晶圆下表面上影响其固定的较大尺寸的颗粒吹落，从而有效减少工艺过程中因晶圆下表面的颗粒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抽真空腔室，其特征在于，包括：/n腔室本体；/n边缘固定装置，设置在所述腔室本体中，用于基于待加工工件的边缘将所述待加工工件可控地固定在所述腔室本体中；/n吹扫装置，设置在所述边缘固定装置的下方，用于对所述待加工工件的下表面进行吹扫。/n

【技术特征摘要】
1.一种抽真空腔室，其特征在于，包括：
腔室本体；
边缘固定装置，设置在所述腔室本体中，用于基于待加工工件的边缘将所述待加工工件可控地固定在所述腔室本体中；
吹扫装置，设置在所述边缘固定装置的下方，用于对所述待加工工件的下表面进行吹扫。


2.根据权利要求1所述的抽真空腔室，其特征在于，所述吹扫装置包括：多个出气管路、分别与所述多个出气管路连接的供气管路、设置在所述供气管路上的通断开关和流量控制器，其中，
所述多个出气管路用于向所述待加工工件的下表面喷出吹扫气体；
所述供气管路用于向所述多个出气管路提供所述吹扫气体；
所述通断开关用于控制所述供气管路的关断和导通；
所述流量控制器用于控制所述吹扫气体的流量。


3.根据权利要求2所述的抽真空腔室，其特征在于，所述多个出气管路的出气口分布在圆心与所述边缘固定装置的轴线重合的一个或多个半径不同的圆周上，同一所述圆周上的多个所述出气口沿该圆周均匀分布。


4.根据权利要求2或3所述的抽真空腔室，其特征在于，所述多个出气管路形成在所述腔室本体的底板中，所述出气管路的出气口分布在所述底板的内表面上，所述出气管路的进气口位于所述底板的外表面上，并与所述供气管路连通。


5.根据权利要求2所述的抽真空腔室，其特征在于，还包括：压力传感器和控制单元，其中，
所述压力传感器设置在所述腔室本体中，用于检测所述腔室本体中的气体压力，并将其发送至所述控制单元；
所述控制单元用于根据所述气体压力控制所述通断开关的开合和/或控制所述流量控制器调节所述供气管路中的气体流量大小。


6.根据权利要求1-3任一项所述的抽真空腔室，其特征在于，所述边缘固定装置为设置在所述腔室本体侧壁上的环状真空吸附盘，用于真空吸附所述待加工工件的边缘将所述待加工工件可控地固定在所述腔室本体中。


7.根据权利要求1-3任一项所述的抽真空腔室，其特征在于，还包括：
升降机构，用于驱动所述边缘固定装置作升降运动，以将所述待加工工件移动至预设位置。


8.一种抽真空方法，其特征在于，应用于权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张德群，陈国动，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11