The embodiment of the application provides an upper electrode structure, an etching chamber and a semiconductor processing device. The upper electrode structure is used to apply RF power to the etching chamber, which includes: coil, electrode and RF power supply assembly; the coil is arranged in the etching chamber and is located above the medium window in the etching chamber; the electrode is arranged in the etching chamber and is located above the medium window, and the projection position of the electrode on the medium window Inside and / or outside of the radial projection of the coil on the medium window; the radio frequency power supply assembly is electrically connected with the coil and the electrode for applying radio frequency power to the coil and / or the electrode for etching or cleaning the etching chamber. The embodiment of the application enables the coil to be used as a part of the electrode during cleaning, can effectively improve the cleaning efficiency, and can effectively improve the uniformity of cleaning the etching chamber and the medium window.
【技术实现步骤摘要】
上电极结构、刻蚀腔室及半导体加工设备
本申请涉及半导体加工
,具体而言,本申请涉及一种上电极结构、刻蚀腔室及半导体加工设备。
技术介绍
目前,在微机电系统(MicroElectroMechanicalSystem,MEMS)半导体的制造工艺中,刻蚀机是必不可少的设备。在感应耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasmaEtch,ICPE)刻蚀中,随着刻蚀工艺的进行,刻蚀产生的反应副产物、轰击出的掩膜、晶圆中溅射出来的固形物等会附着在刻蚀腔室内壁上。随着使用时间的增加,附着物沉积到一定程度的时候会影响刻蚀腔室环境,从而改变刻蚀结果。所以,定期对刻蚀腔室进行清洗,恢复稳定的刻蚀腔室环境有利于工艺结果的稳定和重复。另外作为射频功率馈入刻蚀腔室的通道,介质窗上附着物的沉积情况更为重要,尤其是在刻蚀含有金属或使用金属做掩膜的晶圆时,金属颗粒被轰击溅射到介质窗上,会引起两方面影响:一方面其他副产物会围绕它附着,在外界条件变化时掉落形成微粒(Particle);另一方面,金属附着在介质窗上形成类似于法拉第屏蔽的金属膜层,会改变射频功率的耦合情况,造成起辉困难及等离子体成份变化。所以,减少介质窗下附着物的沉积、提高刻蚀腔室的清洗周期是很有必要的。但是现有技术中对于刻蚀腔室内清洗效率不理想,需要定期的对刻蚀腔室进行开腔清洗,不仅清洗周期长,而且还影响生产效率。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点,提出一种上电极结构、刻蚀腔室及半导体加工设备,用以解决现有技术存在刻蚀腔室内清洗效果不理想以及 ...
【技术保护点】
1.一种上电极结构,用于向刻蚀腔室内施加射频功率,其特征在于,包括:线圈、电极及射频电源组件;/n所述线圈设置于所述刻蚀腔室内,且位于设置在所述刻蚀腔室内的介质窗的上方;/n所述电极设置于所述刻蚀腔室内,且位于所述介质窗的上方,所述电极在所述介质窗上的投影位于所述线圈在所述介质窗上的投影的径向上的内侧和/或外侧;/n所述射频电源组件与所述线圈及所述电极电连接,用于向所述线圈和/或所述电极施加射频功率,以进行刻蚀或对所述刻蚀腔室进行清洗。/n
【技术特征摘要】
1.一种上电极结构,用于向刻蚀腔室内施加射频功率,其特征在于,包括:线圈、电极及射频电源组件;
所述线圈设置于所述刻蚀腔室内,且位于设置在所述刻蚀腔室内的介质窗的上方;
所述电极设置于所述刻蚀腔室内,且位于所述介质窗的上方,所述电极在所述介质窗上的投影位于所述线圈在所述介质窗上的投影的径向上的内侧和/或外侧;
所述射频电源组件与所述线圈及所述电极电连接,用于向所述线圈和/或所述电极施加射频功率,以进行刻蚀或对所述刻蚀腔室进行清洗。
2.如权利要求1所述的上电极结构,其特征在于,所述电极包括内电极以及与所述内电极相连的外电极;所述内电极位于所述线圈径向上的内侧,所述外电极位于所述线圈径向上的外侧。
3.如权利要求2所述的上电极结构,其特征在于,所述内电极的外缘与所述线圈之间沿径向具有第一距离;所述外电极的内缘与所述线圈之间沿径向具有第二距离;所述第一距离及所述第二距离均大于等于一预设安全阈值。
4.如权利要求3所述的上电极结构,其特征在于,所述预设安全阈值大于等于20毫米。
5.如权利要求2-4任一项所述的上电极结构,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘春明,李兴存,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。